SK海力士资本支出大增，HBM是重点

据报道，SK海力士明年将分配约10万亿韩元用于设施投资，与今年相比增长约50%。此举是对“半导体寒冬”的积极应对，旨在保持在包括高带宽存储器（HBM）在内的先进半导体市场的领导地位。

据电子行业人士11月9日消息，SK海力士决定在2024年拨出约10万亿韩元用于资本支出(CAPEX)。这比今年预计的设施投资增加了约3万亿至4万亿韩元6万亿至7万亿韩元。

该计划的重点是投资扩大设施，以满足人工智能（AI）时代不断增长的需求。我们将集中精力扩建 HBM 相关设施，增加对 HBM 生产关键组成部分硅通孔 (TSV) 技术的投资。此外，资金还将用于DDR5和LPDDR5等高附加值DRAM的生产设施。另一方面，据透露，预计明年上半年之前仍将面临赤字的NAND闪存领域的投资将被最小化。

SK 海力士对 HBM 的关注继续其胜利的步伐，并实现了全面售空。在 10 月 26 日的第三季度财报电话会议上，SK 海力士 DRAM 营销副总裁 Park Myoung-soo 表示：“明年第四代 HBM3 产品和第五代 HBM3E 产品的供应量都在增加。”已完全售空。与客户和合作伙伴就 2025 年 HBM 产量进行生产和供应的讨论也在进行中。” SK海力士相关人士表示，明年的设施投资计划尚未最终确定。

SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。

然而，面对尖端半导体HBM产品的稀缺，SK海力士决定明年比今年大幅增加投资。HBM 已显示出完全售罄的迹象，不仅是明年的产量，而且是 2025 年的预期产量。

为了扩大HBM的产能，SK海力士正在大幅增加对TSV技术的投资。TSV 是 HBM 生产中使用的一项技术，涉及创建孔以垂直连接堆叠的 DRAM。半导体设施也在扩建，重点关注先进 DRAM，例如 10 纳米第四代 (1a) 和第五代 (1b)。

SK海力士相信，它可以利用内部现金资源轻松应对这项投资。截至9月底，该公司的现金和现金等价物高达8.53万亿韩元（65亿美元）。9月底的负债率为84.8%，处于适度水平。此外，如果需要，还有进一步借款的空间。

现金流表现也出现改善。尽管今年第三季度出现经营亏损，SK海力士报告同期的息税折旧摊销前利润（EBITDA）为1.54万亿韩元（11.7亿美元）。EBITDA是反映实际现金流量的指标，不包括折旧费用，仅在纸面上核算。

随着DRAM价格的反弹，预计SK海力士明年将扭亏为盈。根据市场研究公司TrendForce的数据，10月份DRAM固定合约价格环比上涨15.4%，达到1.50美元。这标志着DRAM价格自2021年7月以来两年零三个月以来首次出现上涨趋势。SK海力士明年营业利润的共识预计为8.44万亿韩元。