Holtek持续深化血糖监测产品发展,新推出BH66F2455 Flash MCU。具备超低功耗、小体积、高度集成等特点,适用于连续血糖监测产品(CGM)。
2025-12-28 10:09:11
802 威兆半导体推出的VS40200AT是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB直插封装,凭借超低导通电阻与200A大电流承载能力,适配低压超大电流DC/DC
2025-12-03 09:48:43
296 
威兆半导体推出的VS8402ATH是一款面向80V中压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,采用TO-220AB封装,凭借超低导通电阻与160A大电流承载能力,适用于中压DC/DC转换器、电源
2025-11-28 12:10:55
175 
威兆半导体推出的VSP004N10MSC-G是一款面向100V中压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于VeriMOS®II技术实现超低导通电阻与高效能,凭借1.00mΩ极致低阻、125A
2025-11-27 14:48:33
239 
威兆半导体推出的VSP004N10MS-K是一款面向100V中压场景的N沟道增强型功率MOSFET,基于FastMOSII技术实现快速开关与高能量效率,凭借超低导通电阻与高可靠性,适用于中压DC
2025-11-27 14:42:04
194 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4180G是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-25 15:23:16
209 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4522J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-25 15:14:47
190 
仁懋电子(MOT)推出的MOT1111T是一款面向100V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术,适用于高功率系统逆变器、轻型
2025-11-24 17:23:08
546 
仁懋电子(MOT)推出的MOT6556T是一款面向60V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.5mΩ超低导通电阻、400A超大连续电流及超级沟槽技术,适用于高功率系统逆变器、轻型
2025-11-24 17:04:20
514 
仁懋电子(MOT)推出的MOT3136D是一款面向30V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.4mΩ超低导通电阻、120A超大连续电流及优异散热封装,适用于功率开关应用、硬开关高频
2025-11-21 10:46:19
181 
仁懋电子(MOT)推出的MOT3180G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及无铅封装特性,适用于DC/DC转换器、高频开关与同步整流等领域
2025-11-20 15:31:06
159 
仁懋电子(MOT)推出的MOT3510G是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、高雪崩稳定性及高效散热封装,适用于SMPS(开关模式电源)、通用用途电路、硬
2025-11-20 15:06:47
211 
仁懋电子(MOT)推出的MOT8113T是一款面向80V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.1mΩ超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-19 15:21:04
220 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4383T是一款面向40V低压超大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借0.8mΩ超低导通电阻、400A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-19 15:15:00
183 
选型手册:MOT3520JN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子(MOT)推出的MOT3520J是一款面向30V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、高稳定性及无铅封装特性,适用于
2025-11-18 16:08:14
326 
仁懋电子(MOT)推出的MOT5146T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借4.5mΩ超低导通电阻、250A超大电流承载能力及先进沟槽单元设计,适用于高功率系统逆变器
2025-11-18 16:04:11
277 
仁懋电子(MOT)推出的MOT8120T是一款面向80V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、280A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-18 15:58:04
228 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4529J是一款面向40V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、无铅环保封装特性,适用于DC/DC转换器等低压功率转换场景。一、产品基本信息器件类型
2025-11-17 11:27:39
241 
仁懋电子(MOT)推出的MOT2514J是一款面向20V低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻,适用于DC/DC转换器、笔记本核心电源等领域。一、产品基本信息
2025-11-14 15:51:42
201 
仁懋电子(MOT)推出的MOT5130T是一款面向120V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借2.8mΩ超低导通电阻、211A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率
2025-11-14 12:03:12
167 
仁懋电子(MOT)推出的MOT12N65F是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-12 14:19:35
308 
仁懋电子(MOT)推出的MOT10N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-12 14:15:44
277 
仁懋电子(MOT)推出的MOT3145J是一款面向30V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、85A大电流承载能力及PDFN3X3-8L小型化封装,适用于便携设备、电池
2025-11-11 09:29:03
206 
仁懋电子(MOT)推出的MOT50N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、50A大电流承载能力及快速开关特性,适用于各类开关应用(如DC-DC
2025-11-11 09:18:36
254 
仁懋电子(MOT)推出的MOT9166T是一款面向200V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借6mΩ超低导通电阻、114A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 16:01:46
413 
仁懋电子(MOT)推出的MOT6120T是一款面向60V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借1.5mΩ超低导通电阻、229A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统
2025-11-10 15:50:16
247 
仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款N沟道超级结功率MOSFET,凭借700V耐压、超低导通电阻及高频开关特性,适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。一、产品基本信息器件
2025-11-07 10:54:01
164 
仁懋电子(MOT)推出的MOT12N70F是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、UPS等领域
2025-11-07 10:31:03
211 
仁懋电子(MOT)推出的MOT7N65AF是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-11-06 16:15:37
292 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4N70D是一款面向700V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、快速开关特性及稳定雪崩能力,广泛适用于高频开关电源、电子镇流器、LED电源等
2025-11-06 16:12:24
294 
仁懋电子(MOT)推出的MOT100N03MC是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、100A大电流承载能力及优异的开关特性,适用于各类开关应用(如
2025-11-06 15:44:22
300 
仁懋电子(MOT)推出的MOT70N03D是一款面向30V低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通损耗、70A大电流承载能力及RoHS合规性,适用于各类开关应用(如DC-DC
2025-11-05 16:01:03
236 
选型手册:MOT5122TN沟道功率MOSFET晶体管仁懋电子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借120V耐压、2.0mΩ超低导通损耗
2025-11-05 15:53:52
207 
仁懋电子(MOT)推出的MOT4111T是一款面向40V低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低导通电阻、300A超大电流承载能力及TOLL-8L小型化封装,适用于高功率系统逆变器
2025-11-05 15:28:39
205 
仁懋电子(MOT)推出的MOT90N03D是一款面向低压大电流DC-DC转换场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借30V耐压、超低导通损耗及优异开关特性,广泛适用于高要求DC-DC转换器、高效
2025-11-03 16:33:23
497 
仁懋电子(MOT)推出的MOT50N02D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借20V耐压、超低导通损耗及50A大电流承载能力,广泛适用于各类开关应用(如DC-DC转换器
2025-10-31 17:36:09
228 
仁懋电子(MOT)推出的MOT5122T是一款面向大电流低压场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借120V耐压、超低导通损耗及260A超大电流承载能力,广泛适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、电池
2025-10-31 17:33:14
177 
仁懋电子(MOT)推出的MOT70R280D是一款基于超级结技术的N沟道功率MOSFET,凭借700V级耐压、超低导通损耗及高鲁棒性,广泛适用于功率因数校正(PFC)、开关模式电源(SMPS
2025-10-31 17:31:08
179 
仁懋电子(MOT)推出的MOT8N65MD是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、高开关速度及稳定雪崩能力,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-10-30 15:44:09
275 
仁懋电子(MOT)推出的MOT7N65AC是一款面向650V高压高频场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借超低栅极电荷、高开关速度及稳定雪崩能力,广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED
2025-10-30 15:30:12
327 
仁懋电子(MOT)推出的MOT130N03D是一款面向低压大电流场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借30V耐压、超低导通损耗及130A大电流承载能力,广泛适用于适配器、充电器的功率开关电路等领域
2025-10-30 14:47:55
283 
仁懋电子(MOT)推出的MOT50N06D是一款面向低压大电流开关场景的N沟道增强型功率MOSFET,凭借60V耐压、超低导通损耗及高速开关特性,广泛适用于各类开关应用(如DC-DC转换器、电机驱动
2025-10-28 17:44:21
762 
ATA-100系列是一款理想的可放大交、直流信号的功率放大器。带宽高达DC~5MHz,并且具有50Ω、1MΩ两档输入电阻可选,匹配高、低内阻的信号源,实现信号的放大。输出电阻0.5Ω、50Ω可调
2025-10-21 08:04:47
440 
Microchip Technology AVR64DD32 Curiosity Nano评估套件设计用于评估AVR® DD微控制器。AVR64DD32硬件平台安装有AVR64DD32 MCU
2025-10-13 15:45:39
524 
)。AVR32DD和AVR16DD MCU设计用于为工业控制、家电产品、汽车和物联网 (IoT) 等应用提供实时控制和多电压操作。
2025-10-13 13:44:54
616 Microchip Technology AVR32/16DD14/20微控制器 (MCU) 采用带硬件乘法器的AVR^®^ CPU,运行时钟速度高达24MHz,具有高达32KB闪存、高达4KB
2025-10-10 14:46:18
574 
扭矩 前沿动态 德州仪器 (TI) 于近日推出了一款高性价比C2000™ 系列实时微控制器 (MCU),助力工程师以更低成本设计出行业性能领先的产品。新推出的F28E120SC 和 F28E120SB
2025-09-19 17:17:14
38440 
随着汽车电子、新能源系统、生物医疗等领域对高频、高功率、大电流、多场景适配功放的需求日益增长,Aigtek安泰电子经过不断研发创新,特推出了ATS-M1040C宽带互感器驱动电流源、ATA
2025-09-10 18:17:54
4028 
*附件:ATA-P2010单页手册V2.0.pdf
带宽:(-3dB)DC~20kHz
电压范围:-20V~130V
电流:10Ap
功率:1300Wp
压摆率:≥11.5V/μs
应用:压电叠堆、压电偏转镜、纳米定位台、压点电机、压电马达、压电点胶阀、光纤拉伸
2025-08-29 18:22:05
*附件:ATA-P1005单页手册V2.0.pdf
带宽:(-3dB)DC~10kHz
电压范围:0V~150V
电流:5Ap
功率:750Wp
压摆率:≥6.7V/μs
应用:压电叠堆、压电偏转镜、纳米定位台、压点电机、压电马达、压电点胶阀、光纤拉伸
2025-08-29 18:20:14
*附件:ATA-P0102单页手册V2.0.pdf
带宽:(-3dB)DC~1kHz
电压范围:0V~150V
电流:2.5Ap
功率:375Wp
压摆率:≥0.67V/μs
应用:压电叠堆、压电偏转镜、纳米定位台、压点电机、压电马达、压电点胶阀、光纤拉伸
2025-08-29 18:19:32
*附件:ATA-M8功率放大器V1.3.pdf
带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz
电压:690Vrms
功率:800VA
过流保护、过温保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-29 18:18:03
*附件:ATA-M4功率放大器V1.4.pdf
带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz
电压:345Vrms
功率:400VA
过流保护、过温保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-29 18:17:09
*附件:ATA-M2功率放大器V1.4.pdf
带宽:(-3 dB)10kHz~500kHz
电压:175Vrms
功率:200VA
过流保护、过温保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-29 18:16:47
*附件:ATA-L50单页手册V1.3.pdf
带宽:(-3dB)200Hz~120kHz
电压:1200Vrms
功率:6500VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:54:03
*附件:ATA-L30单页手册V1.3.pdf
带宽:(-3dB)200Hz~120kHz
电压:1200Vrms
功率:4000VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:51:32
*附件:ATA-L20单页手册V1.3.pdf
带宽:(-3dB)200Hz~120kHz
电压:1200Vrms
功率:2600VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:51:04
*附件:ATA-L10单页手册V1.3.pdf
带宽:(-3dB)200Hz~120kHz
电压:1200Vrms
功率:1300VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:49:47
*附件:ATA-L8单页手册V3.0.pdf
带宽:(-3dB)200Hz ~ 120kHz
电压:1020Vrms
功率:1000VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:49:15
*附件:ATA-L6单页手册V3.0.pdf
带宽:(-3dB)200Hz~120kHz
电压:1020 Vrms
功率:600VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:47:18
*附件:ATA-L4单页手册V3.0.pdf
带宽:(-3dB)200Hz ~ 120kHz
电压:848Vrms
功率:400VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:45:53
*附件:ATA-L2单页手册V3.0.pdf
带宽:(-3dB)200Hz ~ 120kHz
电压:424Vrms
功率:200VA
阻抗:输出阻抗匹配多档可调
保护:过流保护
应用:水下通信、石油勘探、水声换能器驱动、变压器老化、磁芯损耗测试、水下测距、超声驱鱼
2025-08-28 13:44:12
*附件:ATA-41008单页手册V1.2.pdf
带宽:(-3dB)DC~1.2MHz
电压:160Vp-p(±80Vp)
电流:11.31Ap
功率:905Wp
压摆率:≥426V/μs
应用:超声电机驱动、软磁测试、无损检测、磁芯损耗测试、驱动压电陶瓷、超声换能器
2025-08-27 19:10:32
*附件:ATA-40506单页手册V1.2.pdf
带宽:(-3dB)DC~500kHz
电压:310Vp-p(±155Vp)
电流:8.48Ap
功率:1314Wp
压摆率:≥345V/μs
应用:超声电机驱动、软磁测试、无损检测、磁芯损耗测试、驱动压电陶瓷、超声换能器
2025-08-27 19:09:55
*附件:ATA-8061单页手册V2.3.pdf
工作模式:Class A
工作频率:100kHz~6MHz
P1dB输出功率:500W
饱和输出功率:1000W
功率增益:54dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:55:25
*附件:ATA-8126单页手册V2.4.pdf
工作模式:Class A
工作频率:100kHz~12MHz
P1dB输出功率:300W
饱和输出功率:600W
功率增益:52dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:54:16
*附件:ATA-8055单页手册V1.1.pdf
工作模式:Class A
工作频率:100kHz~5MHz
P1dB输出功率:250W
饱和输出功率:500W
功率增益:51dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:53:53
*附件:ATA-8202单页手册(钣金)V1.5.pdf
工作模式:Class A
工作频率:100kHz~20MHz
P1dB输出功率:100W
饱和输出功率:200W
功率增益:47dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:52:38
*附件:ATA-8255单页手册V1.1.pdf
工作模式:Class A
带宽:100kHz~25MHz
P1dB输出功率:50W
饱和输出功率:100W
功率增益:44dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:52:10
*附件:ATA-8152单页手册V1.2.pdf
工作模式:Class AB
工作频率:100kHz~15MHz
P1dB输出功率:100W
饱和输出功率:200W
功率增益:47dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:49:38
*附件:ATA-8202单页手册(钣金)V1.5.pdf
工作模式:Class AB
带宽:100kHz~22MHz
P1dB输出功率:20W
饱和输出功率:40W
功率增益:40dB
应用:无损检测、声动力治疗、聚焦超声、超声雾化、药物控释、超声医疗测试、细胞肿瘤消融
2025-08-22 16:47:57
*附件:ATA-315单页手册V1.0.pdf
2025-08-18 18:43:23
AVR ® SD 8位MCU。AVR SD MCU集成了AVR CPU与硬件乘法器,运行时钟频率最高可达20MHz,适用于汽车安全系统、工业自动化、消费类电子产品、安全系统及医疗设备
2025-08-05 17:29:26
1611 
爱芯MCU产品助手是一个款资源下载管理工具,旨在帮助用户下载、更新、管理各种产品包。它通过自动化监测和通知机制,确保用户不会错过重要的产品更新,从而提升用户体验和产品满意度。
2025-07-01 10:10:54
817 
扬杰科技最新推出了一系列用于清洁能源的N60V MOSFET产品,产品采用特殊优化的SGT技术,具有较低的导通电阻Rdson和栅极电荷Qg,明显降低导通和开关损耗,同时提升了MOSFET抗冲击电流能力,非常适合应用于高功率密度和高效率电力电子变换系统。
2025-06-27 09:43:53
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Holtek新推出集成感烟探测AFE、双通道LED驱动及9 V蜂鸣器驱动的32-bit Arm Cortex-M0+ MCU HT32L62141,采用超低功耗ULP (Ultra-Low Power) 设计,并提供多种省电模式,可满足10年电池产品寿命需求,适用于感烟探测报警器。
2025-06-18 16:52:20
1170 ATA-308C功率放大器凭借其优异的指标参数受到不少电子工程师的喜欢,其在电子实验中的应用也非常频繁,下面为大家整理出ATA-308功率放大器的应用案例合集,希望能对领域内各位工程师、研究人员有所
2025-05-28 11:23:25
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ATA-3090功率放大器凭借其优异的指标参数受到不少电子工程师的喜欢,其在电子实验中的应用也非常频繁,下面为大家整理出ATA-3090功率放大器的应用案例合集,希望能对领域内各位工程师、研究人员
2025-05-27 11:36:24
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ATA-105B功率放大器是安泰电子打造的高带宽功放产品,其最大输出电压25Vp-p(±12.5Vp),输出功率25Wp,可与主流的信号发生器配套使用,实现信号的放大。凭借其优异的指标参数受到不少
2025-05-27 11:26:35
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ATA-3040是一款理想的可放大交、直流信号的功率放大器,可以驱动功率型负载。凭借其优异的指标参数受到不少电子工程师的喜欢,其在电子实验中的应用也非常频繁,下面为大家整理出ATA
2025-05-26 11:54:56
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ATA-3080是一款理想的可放大交、直流信号的功率放大器,可以驱动功率型负载。凭借其优异的指标参数受到不少电子工程师的喜欢,其在电子实验中的应用也非常频繁,下面为大家整理出ATA
2025-05-26 11:37:43
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近日,国内半导体行业权威平台华强电子网正式公布“2024年度电子元器件行业品牌评选”结果。凭借在MCU芯片领域的市场表现、技术实力及行业贡献,中微爱芯成功斩获“优秀MCU芯片国产品牌企业”奖项。这一荣誉不仅是对中微爱芯技术实力的充分肯定,更是对其在MCU领域持续研发创新的鼓励。
2025-04-17 17:54:54
1333 在国内集成电路产业发展的进程中,小华半导体作为率先投身超低功耗微控制单元(MCU)领域的先锋企业,一直以来都在积极推动技术创新与产品革新。近期,小华半导体正式推出极具竞争力的新一代超低功耗微控制器产品——HC32L021。
2025-04-16 16:46:48
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超低功耗MCU(微控制器)凭借其极低的功耗和高效的能量管理能力,正在快速渗透到多个新兴领域,尤其在物联网(IoT)、可穿戴设备、智能家居和医疗电子等领域展现出巨大的应用潜力,国内超低功耗MCU的崛起
2025-04-12 17:19:50
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今年Embedded World展会上来自TI、英飞凌、ST、瑞萨、Microchip等厂家推出的MCU微控制器,在超低功耗MCU,新兴存储MCU,边缘AI MCU。车规RISC-V MCU,超小型MCU均有新技术满足不同应用需求的的产品发布.
2025-03-13 18:11:10
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全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都市)面向企业级高性能服务器和AI服务器电源,开发出实现了业界超低导通电阻*1和超宽SOA范围*2的Nch功率MOSFET*3。
2025-03-13 15:08:04
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在便携式储能领域,电池管理系统(BMS)的性能直接决定了设备的安全性与效率。大联大世平集团针对便携式储能的电池保护系统,推出基于晶丰明源(BPS)的MCU-LKS32MC453和杰华特
2025-02-26 16:34:02
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Holtek针对服务器散热风扇应用,新推出BD66RM2541G、BD66FM6546G Flash MCU,具备高集成化、高稳定度特性,针对单相/三相电机整合MCU、48V N/N预驱、自举二极管
2025-02-25 17:40:08
1197 设计人员能够优化功耗与处理速度的关系。 描述Atmel®AVR®内核将丰富的指令集与32个通用工作区相结合特斯。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(A
2025-02-17 10:50:55
特点Atmel®AVR®内核将丰富的指令集与32个通用工作区相结合特斯。所有32个寄存器都直接连接到算术逻辑单元(ALU),允许两个在一个时钟周期内执行的一条指令中访问独立寄存器。这个由此产生的架构
2025-02-15 15:33:23
Nexperia(安世半导体)近日新推出一系列符合AEC-Q100标准的超低静态电流通用低压差(LDO)稳压器。该新系列同时包含高精度带输出跟随的LDO,集成输出保护功能,且输入电压范围较宽,因此可直接连接汽车电池。
2025-02-14 11:40:50
942 中微爱芯推出四款CBTLVD系列模拟开关。
2025-02-12 14:21:30
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近日,全国产32位MCU小巨人企业爱普特微电子宣布推出一款超高性价比的全国产RISC核32位MCU——APT32F104X,进一步扩展丰富其在全国产、高性价比领域MCU产品系列布局
2025-02-11 09:25:42
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近日,全国产32位MCU领域的佼佼者爱普特微电子,宣布推出一款全新力作——APT32F104X。这款MCU以其超高性价比和全国产RISC核架构,进一步丰富了爱普特微电子在全国产、高性价比领域的MCU
2025-02-08 10:41:49
1127 近日,爱普特微电子凭借自研的微处理器IP库及在RISC核架构领域的深厚积累,重磅推出了APT32F004X。这款全国产32位MCU,凭借其卓越的性能、丰富的外设资源以及超高的性价比,势必将为相关领域
2025-01-20 20:00:16
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近日,全国产32位MCU小巨人企业爱普特微电子宣布推出一款超高性价比的全国产RISC核32位MCU——APT32F104X,进一步扩展丰富其在全国产、高性价比领域MCU产品系列布局
2025-01-20 18:16:26
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ATA-8222射频功率放大器简介ATA-8222是一款射频功率放大器。其饱和输出功率40W,增益1dB压缩点输出功率20W。增益数控可调,一键保存设置,提供了方便简洁的操作选择,可与主流的信号
2025-01-20 14:37:17
0 笙泉科技超低功耗、高性价比MCU(M0+ : MG32L00)
超低功耗M0+ (MG32L003系列)
MG32L003系列是笙泉科技新推出的低功耗MCU,其搭载了高性能的 32 位 ARM
2025-01-20 10:51:21
圣邦微电子推出 SGMNQ32430,一款 30V,功率型,3.1mΩ 超低导通电阻,单通道 N 型,采用 TDFN-2×2-6BL 及 PDFN-3.3×3.3-8L 超小封装的 MOSFET 器件。该器件可应用于 VBUS 过电压保护开关,电池充放电开关和直流-直流转换器。
2025-01-08 16:34:24
1182 2025年1月2日起,全球电子元器件和工业自动化产品授权代理商贸泽电子(Mouser Electronics)正式推出Analog Devices, Inc.(ADI)的MAX32675C超低
2025-01-06 11:12:33
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