选型手册：MOT6556T N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT6556T是一款面向 60V 低压超大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借 0.5mΩ 超低导通电阻、400A 超大连续电流及超级沟槽技术，适用于高功率系统逆变器、轻型电动车、BMS（电池管理系统）、无人机等大功率场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：60V，适配低压超大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.5mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：400A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为300A；脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达1200A，满足负载瞬时超大电流需求。

二、核心特性

• 超级 trench 单元设计：采用先进沟槽结构，大幅降低导通电阻，提升电流密度，适配超大电流功率转换场景；
• 高鲁棒性设计：单脉冲雪崩能量达1980mJ，结到壳热阻（\(R_{thJC}\)）0.5℃/W，大电流工况下结温控制更稳定；
• 表面贴装封装：TOLL-8L 小型化封装，每卷 2000 片，适配高功率密度的电源与动力系统设计。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：475W，实际应用需结合散热设计（如散热垫、金属基板）保障长期可靠工作；
• 静态特性：
  • 漏源击穿电压（\(BV_{DSS}\)）：最小值 63V；
  • 栅极阈值电压（\(V_{GS(th)}\)）：2~4V；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)、\(I_{DS}=20A\)时典型 0.5mΩ；
• 二极管特性：
  • 正向电压最大 1.3V；
  • 反向恢复时间（\(t_{rr}\)）：60ns，反向恢复电荷（\(Q_{rr}\)）：61nC；
• 动态特性：
  • 输入电容（\(C_{iss}\)）典型 1725pF，输出电容（\(C_{oss}\)）典型 216pF；
  • 开关时间：导通延迟（\(t_{d(on)}\)）99ns，关断延迟（\(t_{d(off)}\)）151ns，上升时间（\(t_r\)）144ns，下降时间（\(t_f\)）144ns；
  • 栅极电荷：总栅极电荷（\(Q_g\)）典型 164nC，栅源电荷（\(Q_{gs}\)）37nC；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

• 封装形式：TOLL-8L 表面贴装封装，每卷 2000 片，适配小型化、高功率密度的电路设计；
• 典型应用：
  • 高功率系统逆变器：在工业或新能源领域的逆变器中作为功率开关，低损耗特性提升能量转换效率；
  • 轻型电动车与无人机：为电动摩托车、无人机的动力系统提供超大电流功率控制，保障动力输出与系统可靠性；
  • BMS（电池管理系统）：在电池充放电管理回路中，实现超大电流高效切换，保障电池安全与性能。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）