选型手册：MOT70R280D N 沟道超级结功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT70R280D是一款 N 沟道超级结功率 MOSFET，凭借 700V 耐压、超低导通电阻及高频开关特性，适用于功率因数校正、开关模式电源、不间断电源等领域。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道超级结功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：700V，适配高压功率转换场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)，\(V_{GS}=10V\)）：典型值0.28Ω，高压场景下导通损耗极低；
  • 栅极电荷（\(Q_g\)）：典型值27nC，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：15A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达38A，满足负载瞬时功率需求。

二、核心特性

• 超低导通电阻与栅极电荷：0.28Ω 导通电阻与 27nC 栅极电荷的组合，大幅降低导通损耗与开关损耗，适配高频功率转换（如 PFC 拓扑、SMPS 拓扑）；
• 100% UIS 测试验证：通过单向雪崩耐量（UIS）测试，单脉冲雪崩能量达280mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 高 dv/dt 鲁棒性：峰值反向恢复 dv/dt 达50V/ns，适应高压高频环境的严苛工作条件；
• RoHS 合规：采用无铅工艺，符合环保制造要求，适配绿色电子产业需求。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功耗（\(P_D\)）：104W，实际应用需搭配散热措施（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 雪崩电流（\(I_{AR}\)）：24A；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 热阻（\(R_{thJA}\)）：62℃/W，需通过封装与 PCB 设计优化热管理。

四、封装与应用场景

• 封装形式：
  • TO-251 直插封装，包装规格 70 片 / 管，适配传统插装式高压电路设计；
  • TO-252 贴片封装，包装规格 2500 片 / 卷，满足高密度电路板的高频设计需求；
• 典型应用：
  • 功率因数校正（PFC）：在 AC-DC 电源的 PFC 拓扑中作为主开关管，超低损耗特性提升功率因数与能量转换效率；
  • 开关模式电源（SMPS）：适配反激、LLC 等高频拓扑，实现 700V 级高压功率转换；
  • 不间断电源（UPS）：在 UPS 系统的功率回路中，兼顾高压耐压与大电流承载需求，保障供电稳定性。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）