选型手册：MOT2514J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT2514J是一款面向 20V 低压场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借高密度单元设计实现的超低导通电阻，适用于 DC/DC 转换器、笔记本核心电源等领域。

一、产品基本信息

器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET

核心参数：

漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：20V，适配低压供电场景；

导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=2.5V\)时典型值11mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值8mΩ，低压场景下导通损耗极低；

连续漏极电流（\(I_D\)）：12A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），脉冲漏极电流（\(I_{DM}\)）达40A，满足负载持续与短时过载需求。

二、核心特性

高密度单元设计：通过先进的高密度单元架构，实现超低导通电阻，大幅降低低压场景下的传导损耗；

雪崩特性完全表征：雪崩电压与电流参数完全明确，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性可预测；

小型化封装适配：采用PDFN3X3-8L表面贴装封装，每卷 5000 片，适配笔记本核心电源等对空间要求高的应用场景。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±12V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；

功耗（\(P_D\)）：2.5W，实际应用需结合 PCB 敷铜等散热设计保障长期可靠工作；

结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

四、封装与应用场景

封装形式：PDFN3X3-8L 表面贴装封装，每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；

典型应用：

DC/DC 转换器：在低压同步整流、降压拓扑中作为开关管，低损耗特性提升电源转换效率；

笔记本核心电源：为笔记本电脑的核心供电回路提供高效开关控制，保障设备性能与续航。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）