选型手册：MOT8N65MD 系列 N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的 MOT8N65MD 是一款面向 650V 高压高频场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低栅极电荷、高开关速度及稳定雪崩能力，广泛适用于高效开关电源、半桥式电子镇流器、LED 电源等领域。以下从品牌定位、器件特性、电气参数等维度展开详细说明。

一、品牌背景：仁懋电子（MOT）与高压高频功率半导体布局

仁懋电子（MOT）深耕高压功率半导体器件研发，在650V 级高频 MOSFET 领域具备技术积累，产品以 “高耐压、快开关、高鲁棒性” 为核心优势，服务于高频电源、照明电子、工业控制等场景。MOT8N65 系列作为其高压高频产品线的代表型号，针对 650V 高频开关场景优化了导通电阻与开关特性，在高效电源转换、感性负载驱动等场景中表现突出。

二、MOT8N65MD 基本信息

MOT8N65MD 为N 沟道增强型功率 MOSFET，核心定位 “650V 级高频高效开关器件”，适配 650V 系统的功率控制需求（如高效开关电源、半桥式电子镇流器等）。其核心特性包括：

• 电压适配：漏源极耐压（VDS）达 650V，兼容高压高频供电系统；
• 电流能力：25℃下连续漏极电流（ID）为 8A，脉冲漏极电流（IDpk）达 32A，满足负载瞬间启动与持续工作需求；
• 导通损耗：栅源电压（VGS=10V）下导通电阻（RDS (on)）典型值为 1.2Ω，在高压高频场景中平衡损耗与开关速度；
• 封装形式：采用 TO-252 贴片封装，每卷 2500 片，适配高密度电路板的高频设计需求；同时提供 TO-251 直插封装（对应型号 MOT8N65MC，70 片 / 管），满足传统插装需求。

三、核心特性

MOT8N65MD 围绕 “高压高频高效开关” 需求打造，具备以下技术优势：

• 超低栅极电荷：栅极电荷（Qg）典型值 28nC，降低驱动电路功耗，提升开关频率适配性；
• 低反向传输电容：减少米勒效应影响，支持更高 dv/dt 工况，增强电路抗干扰能力；
• 快速开关能力：开关速度快，适合高效开关电源、半桥式电子镇流器等对开关速度敏感的场景；
• 雪崩能量测试：单脉冲雪崩能量典型值 142mJ，在感性负载开关、异常过压等场景下可靠性更高；
• 高 dv/dt 鲁棒性：峰值反向恢复 dv/dt 典型值 55V/ns，适应高频高压环境的严苛工作条件。

四、关键电气参数（Tc=25℃，除非特殊说明）

1. 绝对最大额定值

• 漏源极电压（VDS）：最大值 650V，超过此值易导致器件击穿；
• 栅源极电压（VGS）：±30V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 连续漏极电流（ID）：8A（Tc=25℃），随结温升高需降额使用；
• 脉冲漏极电流（IDpk）：32A（脉冲宽度≤300μs，占空比≤2%），支持负载短时过载；
• 雪崩能量（EAS）：单脉冲最大值 142mJ，应对感性负载关断时的能量冲击；
• 峰值反向恢复 dv/dt：55V/ns，在高速开关场景中抑制电压尖峰；
• 功耗（PD）：56W（TO-252/TO-251 封装，Tc=25℃），需搭配散热措施保障长期可靠工作；
• 结温范围（TJ）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致。

五、封装与型号释义

MOT8N65 系列通过后缀区分封装类型，型号释义如下：

• MOT8N65MD：“MOT” 为品牌标识（仁懋电子），“8N” 代表 “8A 额定电流（N 沟道）”，“65” 代表 “650V 漏源耐压”，“MD” 为版本标识（TO-252 贴片封装，2500 片 / 卷）；
• MOT8N65MC：后缀 “MC” 对应 TO-251 直插封装，每管 70 片，适配传统插装式高压电路设计。

六、典型应用场景

MOT8N65MD 凭借 650V 耐压与高开关速度特性，典型应用包括：

• 高效开关模式电源：适配 LLC、反激等高频拓扑的 AC-DC/DC-DC 转换器，在服务器电源、工业电源中实现高效能量转换；
• 半桥式电子镇流器：用于荧光灯、高压气体放电灯的镇流器电路，通过高速开关实现灯光稳定驱动；
• LED 电源：在高压 LED 驱动电源中作为主开关管，兼顾耐压与高频开关需求。

七、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：上述参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）