选型手册：MOT3145J N 沟道功率 MOSFET 晶体管

仁懋电子（MOT）推出的MOT3145J是一款面向 30V 低压大电流场景的 N 沟道增强型功率 MOSFET，凭借超低导通电阻、85A 大电流承载能力及 PDFN3X3-8L 小型化封装，适用于便携设备、电池供电系统及笔记本电脑电源管理等场景。

一、产品基本信息

• 器件类型：N 沟道增强型功率 MOSFET
• 核心参数：
  • 漏源极耐压（\(V_{DSS}\)）：30V，适配低压大电流供电场景；
  • 导通电阻（\(R_{DS(on)}\)）：\(V_{GS}=10V\)时典型值3.6mΩ，\(V_{GS}=4.5V\)时典型值5.3mΩ，低压场景下导通损耗极低；
  • 连续漏极电流（\(I_D\)）：85A（\(T_c=25^\circ\text{C}\)），\(T_c=100^\circ\text{C}\)时降额为48A，满足负载持续与短时过载需求。

二、核心特性

• 超低导通损耗：毫欧级导通电阻设计，大幅降低低压大电流场景下的传导损耗，提升系统能量效率；
• 高可靠性设计：通过 100% 单向雪崩耐量（UIS）和栅极电阻（RG）测试，单脉冲雪崩能量达39mJ，在感性负载开关、异常过压工况下可靠性强；
• 环保与小型化封装：采用无卤工艺，符合 RoHS 标准；PDFN3X3-8L 表面贴装封装，适配便携设备、笔记本电脑等对空间与功率密度要求高的应用。

三、关键电气参数（\(T_c=25^\circ\text{C}\)，除非特殊说明）

• 栅源极电压（\(V_{GS}\)）：最大值 ±20V，栅极驱动需控制在该范围以避免氧化层损坏；
• 功率损耗（\(P_D\)）：\(T_c=25^\circ\text{C}\)时31W，\(T_c=100^\circ\text{C}\)时12.5W，实际应用需结合散热设计（如 PCB 敷铜、散热焊盘）保障长期可靠工作；
• 结温范围（\(T_J\)）：-55~+150℃，存储温度范围与结温区间一致；
• 雪崩特性：单脉冲雪崩电流28A，雪崩能量39mJ。

四、封装与应用场景

• 封装形式：PDFN3X3-8L 表面贴装封装，无卤版本每卷 5000 片，适配高密度电路板的小型化设计需求；
• 典型应用：
  • 便携设备与电池供电系统：为手持设备、移动电源的功率回路提供大电流高效切换，保障设备续航与性能；
  • 笔记本电脑电源管理：在笔记本电脑的电源转换、负载开关回路中，实现低损耗大电流控制，提升电源管理效率。

五、信息来源

仁懋电子（MOT）官方产品手册（注：以上参数基于手册标注整理，实际应用需以最新版手册及器件批次测试数据为准。）