美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:28
2027 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:36
1998 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3624通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 09:18:47
923 
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:21:01
1090 
LMG3616 是一款 650V 270mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该 LMG3616 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-24 10:43:28
987 
随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:00
1692 Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT(高电子迁移率晶体管)。 这两款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:21
3627 基础半导体器件领域的专家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列开始批量供货。
2021-04-27 09:35:37
1842 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51
1055 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3,全新芯片具备更出色的关断软度和更高的阻断电压功能。此外,该器件的短路能力大幅增强。而600V IGBT3主要适用于低功率应用或杂散电感很低的高功率应用。650V IGBT4的设计与技术
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 图1 CoolMOS高压功率MOSFET及其内部体二极管的横截面示意图2. 反向恢复行为新一代CoolMOS™ 650V CFD的反向恢复特性如图2所示。与标准器件相比,新一代
2018-12-03 13:43:55
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:26
2309 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:17
2280 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:45
4 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:29
10826 GAN063-650WSA的特点是低导通电阻(最大RDS(on) 仅为 60 m)以及快速的开关切换;效率非常高。 Nexperia氮化镓器件的目标是高性能要求的应用市场,包括电动汽车、数据中心、电信设备、工业自动化和高端电源。
2019-11-29 09:00:18
3948 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:20
3459 
TP650H070L系列650V,72mΩ 氮化镓(GaN)FET是常关器件。它们结合了最先进的技术高压GaN HEMT和低压硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技术。
2022-03-31 15:03:35
10 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
Nexperia(安世半导体)持续加大投资,扩大产能,以满足市场对于 CFP 封装产品不断增长的需求。为满足高电压功率应用的广大需求,Nexperia(安世半导体)计划进一步扩大 650 V 表面贴装的快恢复整流管(高达30 A)
2022-11-22 14:57:25
1359 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速开关型)”共21种机型,该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性,并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:25
1901 
采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:21
2 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:32
3 采用 CCPAK1212i 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:45
0 采用 CCPAK1212 封装的 650 V、33 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:02
0 采用 TO-247 封装的 650 V、35 mΩ 氮化镓 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:49
6 650 V、50 mOhm 氮化镓 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:24
5 白皮书:GaN FET 技术和 AEC-Q101 认证所需的稳健性 – 中文(650 V GaN FET 技术可提供出色效率,以及 AEC-Q101 认证所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:03
3 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这
2023-05-18 16:34:23
1263 Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34
1314 
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化
2023-05-30 09:03:15
1221 润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
2033 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18
1078 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2048 
650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。增强型晶体管-正常关闭电源开关,符合JEDEC标准的工业应用。
2023-08-16 23:36:51
2182 
650V硅上GaN增强模式功率晶体管,英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸,增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17
4139 
基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54
1513 SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:27
3418 
IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35
1604 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:58
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:40
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 270mΩ GaN FET LMG3626数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:40:13
0 电子发烧友网站提供《650V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3522R050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:41:30
0 电子发烧友网站提供《650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R050数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-22 10:40:05
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 170mΩ GaN FET LMG3624数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 09:50:39
0 电子发烧友网站提供《650V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R030数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 11:31:11
0 电子发烧友网站提供《用于有源钳位反激式转换器的集成650V GaN 半桥LMG2610数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-25 14:46:40
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器、保护和温度报告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-28 10:40:57
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器和电流检测功能的650V 120mΩ GaN FET LMG3622数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-29 09:18:53
0 带有散热片的S6小型封装,具有体积小、结构紧凑、功能强大、用户使用简单灵活的特点,是焊接切割设备,开关电源充电设备等领域的理想功率模块。快速参考数据:650V/10
2024-05-27 11:16:47
1408 
德州仪器 (TI) 推出了适用于 250W 电机驱动器应用的先进 650V 三相 GaN IPM。这款全新的 GaN IPM 解决了工程师在设计大型家用电器及加热、通风和空调 (HVAC) 系统
2024-06-18 14:24:10
1634 德州仪器(TI)近日推出了一款具有划时代意义的650V三相氮化镓(GaN)集成电源模块(IPM)——DRV7308,专为250W电机驱动器应用量身打造。这款全新的GaN IPM凭借其卓越的性能,为大型家用电器及加热、通风和空调(HVAC)系统的工程师们带来了前所未有的便利。
2024-06-18 16:06:01
1457 2024年7月10日,半导体行业的领军企业Nexperia隆重推出了两款专为高压环境设计的650V超快速恢复整流二极管,这些产品采用了独特的D2 PAK真双引脚(R2P)封装技术,旨在广泛应用于工业及消费领域,如充电适配器、光伏(PV)系统、逆变器、数据中心服务器以及开关模式电源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:01
11753 Nexperia(安世半导体)近日推出了采用D2PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管,可用于各种工业和消费应用,包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式
2024-07-11 16:10:11
1291 在半导体技术的持续创新浪潮中,Nexperia再次站在了行业的前沿,隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累,也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
2024-07-12 15:20:43
1381 新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
2024-07-27 08:14:36
869 
Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率
2024-08-05 11:25:20
1265 
电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
2024-09-24 11:27:10
0 森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59
898 森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:13
1162 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:53
1194 LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:35:36
831 
LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:54:57
883 LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-21 14:37:23
729 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54
909 
GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 16:45:55
748 
东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22
901 
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器,从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
2025-07-04 15:50:44
658 
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:03
1016 
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:46
3992 
Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护,适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在
2025-08-13 14:56:51
759 
Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻,以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器
2025-08-13 15:13:49
777 
CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓(GaN)技术的单片双向开关,凭借其卓越的性能和创新的设计,正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:11
3435 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
2025-09-01 16:33:49
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随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:30
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在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻,为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:10
1414 在消费电子快充领域,300W USB-C PD快充因适配笔记本、便携式储能等高频需求,成为市场增长核心赛道。而650V GaN HEMT作为快充方案的核心器件,长期被英诺赛科INN650D02等进口型号主导,存在成本高、供货周期不稳定、技术支持滞后等痛点。
2025-12-23 14:50:05
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探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET的卓越性能与设计要点 在电子设备不断追求高效、小型化的今天,功率半导体器件的性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下
2025-12-29 10:05:15
76 探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET:高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代,功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:22
92 了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET,看看它能为我们的电路设计带来哪些惊喜。 文件下载: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:10
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