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电子发烧友网>电源/新能源>功率器件>Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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2024-06-18 16:06:011457

Nexperia推出两款650V超快速恢复整流二极管

2024年7月10日,半导体行业的领军企业Nexperia隆重推出了两款专为高压环境设计的650V超快速恢复整流二极管,这些产品采用了独特的D2 PAK真双引脚(R2P)封装技术,旨在广泛应用于工业及消费领域,如充电适配器、光伏(PV)系统、逆变器、数据中心服务器以及开关模式电源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:0111753

Nexperia推出650V两种超快速恢复整流二极管

Nexperia(安世半导体)近日推出了采用D2PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管,可用于各种工业和消费应用,包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式
2024-07-11 16:10:111291

Nexperia发布650V超快速恢复整流二极管

在半导体技术的持续创新浪潮中,Nexperia再次站在了行业的前沿,隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累,也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
2024-07-12 15:20:431381

新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
2024-07-27 08:14:36869

Navitas推出新一代650V SiC MOSFET,采用高效TOLL封装

Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET,新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率
2024-08-05 11:25:201265

汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能

电子发烧友网站提供《汽车650V GaN功率级顶部冷却QFN 12x12封装的热设计和性能.pdf》资料免费下载
2024-09-24 11:27:100

森国科推出650V/60A IGBT

森国科近期推出650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898

森国科650V/6A IGBT的性能特点

森国科推出650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:131162

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780

ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:531194

TI LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:35:36831

TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-20 16:54:57883

LMG3614 具有集成驱动器和保护功能的 650V 170mΩ GaN FET概述

LMG3614 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。该LMG3614通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中,简化了设计并减少了元件数量。
2025-02-21 14:37:23729

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

GNP1150TCA-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1150TCA-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 16:45:55748

东芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901

Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET数据手册

Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器,从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
2025-07-04 15:50:44658

新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:031016

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级数据手册

Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级适用于开关模式电源应用。LMG3624将氮化镓场效应晶体管 (GaN FET) 和栅极驱动器集成在
2025-07-25 14:56:463992

LMG3616 650V GaN功率FET技术解析与应用指南

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护,适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在
2025-08-13 14:56:51759

LMG3612 650V GaN功率FET技术解析与应用指南

Texas Instruments LMG3612单通道GaN FET提供650V漏源电压和120mΩ漏源电阻,以及专为开关模式电源应用设计的集成驱动器。该 IC 将 GaN FET、栅极驱动器
2025-08-13 15:13:49777

英飞凌CoolGaN BDS 650V G5双向开关产品介绍

CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓(GaN)技术的单片双向开关,凭借其卓越的性能和创新的设计,正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:113435

东芝推出三款最新650V SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
2025-09-01 16:33:492082

龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品

随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高压MOS管HKTD7N65的特性和应用

在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻,为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:101414

快充国产替代新突破!争妍微650V GaN HEMT赋能300W USB-C PD,替代英诺赛科INN650D02

在消费电子快充领域,300W USB-C PD快充因适配笔记本、便携式储能等高频需求,成为市场增长核心赛道。而650V GaN HEMT作为快充方案的核心器件,长期被英诺赛科INN650D02等进口型号主导,存在成本高、供货周期不稳定、技术支持滞后等痛点。
2025-12-23 14:50:05886

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET的卓越性能与设计要点

探索TP65H050G4YS 650V SuperGaN® FET的卓越性能与设计要点 在电子设备不断追求高效、小型化的今天,功率半导体器件的性能起着至关重要的作用。今天我们就来详细探讨一下
2025-12-29 10:05:1576

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET:高效能与可靠性的完美结合

探索TP65H070G4RS 650V SuperGaN® GaN FET:高效能与可靠性的完美结合 引言 在当今电子技术飞速发展的时代,功率半导体器件的性能和可靠性对于各种电子设备的运行
2025-12-29 10:05:2292

TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET:高效开关的理想之选

了解一下 Transphorm 公司推出的 TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET,看看它能为我们的电路设计带来哪些惊喜。 文件下载: Renesas Electronics
2025-12-29 14:45:1077

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