GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸；内置ESD保护功能，有助于实现高可靠性的设计。另外，通过采用通用性高的DFN封装，不仅散热性能出色，还非常易于安装。采用DFN8080K 封装，属于 650V 增强型氮化镓场效应晶体管（GaN FET） ，导通电阻 70mΩ，栅极电荷 5.2nC。
*附件：GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册.pdf
主要规格
- 型号 | GNP1070TC-ZE2
- 封装 | DFN8080K
- 包装形态 | Taping
- 包装数量 | 3500
- 最小独立包装数量 | 3500
- RoHS | Yes
特性
- 650V 增强型氮化镓场效应晶体管（E-mode GaN FET）
- 70mΩ 电阻
- 5.2nC 栅极电荷
绝对最大额定值
电气特性
测量电路和波形
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