美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品，均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”，导通电阻为55mΩ，漏电流在室温时（25℃）为30A，在
2012-05-21 10:31:01
2900 瞻芯电子(IVCT)基于经典寿命模型，对大样本量的第二代(G2)650V SiC MOSFET 进行了鲁棒性验证试验(Robustness-Validation)。该试验严格遵循AEC-Q101
2025-12-18 16:35:545786 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其进入氮化镓场效应管（GaN）市场。
2019-11-22 15:16:322459 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:422572 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET，替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
逆变器等中高功率领域，可显著的减少电路的损耗，提高电路的工作频率。 关断波形图（650V/10A产品） 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小，操作方便，市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点，一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
。SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中，以源极为基准向漏极施加负电压，体二极管为正向偏置状态。该图中Vgs＝0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24
在内的各种应用中的采用。当前的SiC-SBD产品结构分为耐压为650V与1200V、额定电流为5A～40A的产品，具体因封装而异。其概要如下表所示。另外，ROHM正在开发650V产品可支持达100A
2018-12-04 10:09:17
为了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二极管为比较对象，对特性进行了说明。其中，也谈到SiC-SBD本身也发展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代产品的，所以在此汇总一下SiC
2018-11-30 11:51:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产，1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
STMicroelectronics的快速碳化硅结构肖特基二极管 STMicroelectronics碳化硅结构肖特基二极管的开关使设计人员可以达到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高温时功率损耗低.高温工作性能（200C）.无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电（SCT*N65G2V）了解更多信息，请关注英特洲电子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
校正，新能源电网，新能源汽车，轨道交通等不同领域！附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型号选型表：
2021-11-09 16:36:57
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
产品架构与核心特性
1. 高压耐受与负压免疫
650V开关节点耐压 +50V/ns dv/dt抗扰 ：应对电机反电动势和MOSFET开关尖峰
-7V VS负压承受 ：消除体二极管导通导致的负压击穿
2025-06-25 08:34:07
；TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷（典型值为16nC）快速切换经过100％雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数：应用：高效开关模式电源，基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
和低压开关特性等性能。 如图1所示，为单管测试电路，其中，测试负载为200W242欧姆纯电阻。图1 单管测试电路首先考察Vgs在500k频率下的开通延迟时间为938.4ns，关断延迟时间为
2020-05-21 15:24:22
相较于硅，碳化硅（SiC）肖特基二极管采用全新的技术，提供更出色的开关性能和更高的可靠性。SiC无反向恢复电流，且具有不受温度影响的开关特性和出色的散热性能，因此被视为下一代功率半导体。安森美半导体
2018-10-29 08:51:19
电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR（30A）、RGW80TS65CHR（40A）、RGW00TS65CHR（50A）。＜内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ，原装正品，优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
批量生产时LED灯具参数的一致性。■SIC9654具有丰富的保护功能：输出开短路保护、采样电阻开短路保护、欠压保护、输出过压保护、过温自适应调节等。●特性：■内部集成650V功率管■±3%以内的系统恒流
2022-02-17 15:42:55
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
母线电路需设计极小寄生电感。因此，可选用具备软开关特性的专用IGBT，例如全新的650V IGBT4。如图2所示， 600V IGBT3（快速）和650V IGBT4（软度）在开关性能方面差别明显，采用
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
- XD040Q065AY1S3（650V/40A)XDM芯达茂 IGBT单管XD040Q065AY1S3采用先进的微沟槽 FS IGBT 技术，同时采用SiC FRD管进行
2025-01-06 17:19:18
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列，以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371525 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:172280 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布，该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅（SiC）肖特基势垒二极管（SBD）系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26975 
2015年3月2日，德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291759 •正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 3A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 •正温度系数，易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数，易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数，易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 意法半导体推出新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT，为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案，适用于暖通空调系统（HVAC
2016-11-02 17:19:432436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点（相比第二代）ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中，包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET，并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:2910826 碳化硅（SiC）功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布，已经为UJ3C（通用型）和UF3C（硬开关型）系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:022246 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果，让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势，性能一代更比一代强。因此，G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代，在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:524926 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET，标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:505544 2020年7月4日 华润微电子（CR MICRO）正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列，与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 华润微电子
2020-07-04 22:28:508397 新一代SiC MOSFET采用新颖的有源单元设计，结合先进的薄晶圆技术，可在650 V击穿电压实现同类最佳的品质因数Rsp （Rdson * area）。
2021-02-19 14:09:221594 前言背景： 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管，取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:203459 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告，电动汽车充电市场的增长将非常强劲，高达59%。
2022-08-02 15:06:551515 
关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮助大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:153087 
英飞凌的mos管资料，650V工具™ISBuiltoverthesolidsiliconcarbide技术开发时间不超过20年。利用宽带隙SiC材料特性，650V冷却液™MOSFET是独一无二的性能、可靠性和易用性的组合。适用于高在温度和湿度条件下，可降低成本和成本高效系统的有效部署。
2022-08-05 14:40:510 Wolfspeed 新款车规级 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:211907 ROHM最近新推出650V耐压IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速开关型）”共21种机型，该系列产品同时实现了业界顶级的低传导损耗和高速开关特性，并大大减少了开关时的过冲。
2023-02-09 10:19:251900 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:571193 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:021596 
功率晶体管与标准门极驱动器兼容，方便集成到现有系统中。 优秀的性能：具备出色的功率损耗特性，显著降低能量损失，提高系统效率。 无需自由轮二极管：由于650V GaN功率晶体管的特性，无需额外添加自由轮二极管，简化了系统设计。 低开关损耗：采用先进的GaN技术，650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:342033 保护和出色的散热性能，方便安装。应用包括高开关频率和高密度转换器。文章来源：http://www.ameya360.com/hangye/109156.html 特性 》650V E模式GaN FET
2023-06-19 15:09:181078 
SiC MOSFET体二极管的关断特性与IGBT电路中硅基PN二极管不同，这是因为SiC MOSFET体二极管具有独特的特性。对于1200V SiC MOSFET来说，输出电容的影响较大，而PN
2023-01-04 10:02:073634 
探究快速开关应用中SiC MOSFET体二极管的关断特性
2023-01-12 14:33:033281 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:272048 
开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS，支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用，仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:011708 Ω 650V SOP7 SIC9773 0.9 4.5Ω 650V SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:371369 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7关键参数，更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:473 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:021808 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:381469 
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:241748 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:131664 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:0746429 
近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:192224 ：2ED2388S06F产品特点工作电压（相对于VS）高达+650V负VS瞬态抗扰度为100V集成超快、低电阻自举二极管90ns传播延迟最大电源电压为25V应用价值集成自举
2024-07-27 08:14:36869 Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率
2024-08-05 11:25:201265 
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品，基于微沟槽场截止技术，可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计，大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性，为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808 
森国科近期推出的650V/60A IGBT（型号：KG060N065LD-R），凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能，在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898 SCS2xxAN（650V）和SCS2xxKN（1,200V）是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装，但通过确保足够的爬电距离，可减轻采取特殊绝缘对策（灌
2024-12-19 09:43:181316 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布，其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:531191 P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准，无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15791 
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101、RoHS标准，无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220-2 封装，符合 AEC-Q101 标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流
2025-02-25 17:03:23871 
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，符合 AEC - Q101 标准，采用 TO - 252 - 2封装。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 17:23:30763 
：SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作
2025-02-25 17:44:07772 
：SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作 正向电压
2025-02-25 18:13:42813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装，符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向
2025-02-26 16:54:52783 
的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流
2025-02-26 17:07:13727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:25:48806 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 17:40:46774 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性
2025-02-26 18:01:16854 
开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS测试等特性。 *附件：SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf
2025-02-27 17:11:28675 
/DC转换器等，满足多种电子设备的电源转换需求。 *附件：SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度
2025-02-27 17:32:44805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220F - 2 封装，符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06713 
P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装，符合 AEC - Q101标准，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数
2025-02-27 18:25:13833 
P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48792 
P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO - 220 - 2 封装。该产品通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正
2025-02-28 17:21:08851 
P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管，采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15813 
P3D06010G2 是一款 650V 的碳化硅肖特基二极管，采用 TO - 263 - 2 封装。其通过了 AEC - Q101认证，具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行等特性，正向电压具有
2025-02-28 18:21:04900 
随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET，不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:441053 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT，实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品，利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性，有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54909 
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，推出四款最新650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092V65C”和“TW123V
2025-05-22 14:51:22901 
电压裕量，有助于满足数据中心和电信应用中交流输入电压提升至277V的要求。此外，它还能为电动汽车充电和固态断路器（SSCB）应用提供额外的浪涌保护。我们的650V
2025-07-04 17:09:031016 CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓（GaN）技术的单片双向开关，凭借其卓越的性能和创新的设计，正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:113434 东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
2025-09-01 16:33:492082 
在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中，功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65，凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻，为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:101414 TP65H070G4PS 650V SuperGaN® GaN FET：高效开关的理想之选 在电子工程师的日常工作中，不断寻找高性能、高可靠性的电子元件是提升设计水平的关键。今天，我们就来深入
2025-12-29 14:45:1077
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