Teledyne e2v HiRel新增两款大功率GaN HEMT

Teledyne e2v HiRel为其基于GaN Systems技术的650伏行业领先高功率产品系列新增两款耐用型GaN功率HEMT（高电子迁移率晶体管）。

这两款全新大功率HEMT——TDG650E30B和TDG650E15B——分别提供30A和15A的较低电流性能，而去年推出的第一款650 V产品TDG650E60提供60A的电流。

这些650 V GaN HEMT是市面上电压最高的GaN功率器件，用于要求严格的高可靠性军事、航空电子和太空应用，是诸如电源、电机控制和半桥拓扑等应用的理想之选。

这些器件配有底部冷却装置，采用超低FOM Island Technology®芯片和低电感GaNPX®封装，提供大于100 Mhz的超高频率开关、快速且可控制的下降和上升时间、反向电流能力等等。

Teledyne e2v HiRel业务开发副总裁Mont Taylor表示：“我们很高兴继续为需要最高可靠性的航空等应用打造650 V系列高功率GaN HEMT。我们相信，这些新器件更小的封装将使从事最高功率密度项目设计的客户真正受益。”

TDG650E15B和TDG650E30B均为增强型硅上GaN功率晶体管，可实现大电流、高压击穿和高开关频率，同时为大功率应用提供非常低的结壳（junction-to-case）热阻。

氮化镓器件已经革新了其他行业的功率转换元件，现在以耐辐射的塑料封装推出，这种封装经过严格的可靠性和电气测试以确保关键任务的成功。这些新型GaN HEMT的发布为客户提供了关键航空航天和国防电力应用所需的效率、尺寸和功率密度优势。

对于所有产品线，Teledyne e2v HiRel都会针对最高可靠性应用执行最严苛的认证和测试。对于功率器件，这些测试包括硫酸测试、高空模拟、动态老化、环境温度高达175°C的阶跃应力、9伏栅极电压以及全温度测试。与碳化硅（SiC）器件不同，这次发布的两款器件可以轻松地并行实施，以增加负载电流或降低有效导通电阻（RDSon）。
编辑：hfy