Navitas推出新一代650V SiC MOSFET，采用高效TOLL封装

Navitas半导体公司日前宣布扩展其第三代“快速”系列(G3F)650V碳化硅(SiC)MOSFET，新增一款耐用且高效的表面贴装TOLL(无引脚晶体管外形)封装。这种新型封装专门针对高功率和高可靠性应用，展现出卓越的热性能和快速响应能力。

新发布的650V SiC MOSFET具备出色的功率处理能力和低至20至55毫欧的导通电阻，旨在实现快速的开关速度和高效能，适应人工智能数据中心电源、电动汽车充电、能源存储及太阳能解决方案等多种应用场景。

Navitas的GeneSiC产品采用创新的“沟槽辅助平面”技术，能够在宽温度范围内提供卓越的效率和性能。G3F系列的MOSFET在低温运行时，其壳体温度比其他SiC产品低25°C，使用寿命更是达到其三倍。

在最新的电源系统参考设计中，Navitas采用了G3F45MT60L(650V 40毫欧，TOLL)G3F SiC MOSFET，搭配交错的CCM-TP PFC拓扑，实现了4.5 kW的功率输出。此外，该4.5 kW解决方案在LLC阶段还集成了NV6515(650V，35毫欧，TOLL)GaNSafe™电源集成电路，达成了高达97%的峰值效率，并拥有137 W/inch³的功率密度，成为全球功率密度最高的人工智能电源单元。TOLL封装中的G3F技术同样适用于车载充电器(OBC)、DC-DC转换器，以及功率输出范围在6.6至22 kW的电动汽车牵引驱动系统，特别为400V额定电压的电池系统设计。

相比标准的D2PAK-7L封装，表面贴装的TOLL封装在结到壳体的热阻(RTH,J-C)方面减少了9%，PCB占用面积缩小30%，高度降低50%，体积减少60%。这一系列优化使得高功率密度系统的开发成为可能，适用于如4.5 kW人工智能解决方案这样的高端应用。

此外，采用约2 nH的最小封装电感设计，TOLL封装在实现卓越快速开关性能的同时，最小化了动态损耗。这些创新都标志着Navitas在碳化硅技术领域的重要进步。