技术资料#LMG3612 具有集成驱动器和保护功能的 650V 120mΩ GaN FET
LMG3612 是一款 650V 120mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。该 LMG3612 通过将 GaN FET 和栅极驱动器集成到 8mm x 5.3mm QFN 封装中，简化了设计并减少了元件数量。
可编程导通转换速率提供 EMI 和振铃控制。
*附件：具有集成驱动器的 LMG3612650-V120mΩ GaN FET 数据表.pdf
该 LMG3612 支持转换器轻载效率要求和突发模式作，具有低静态电流和快速启动时间。保护功能包括欠压锁定 （UVLO） 和过热保护。漏极开路 FLT 引脚报告过热保护。
特性
- 650V 120mΩ GaN 功率 FET
- 集成栅极驱动器，具有低传播延迟和可调节的导通转换速率控制
- 具有 FLT 引脚报告的过热保护
- AUX 静态电流：55 μA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26 V
- 带导热垫的 8 mm × 5.3 mm QFN 封装
参数
方框图
应用
•AC/DC适配器和充电器
•AC/DC USB壁式插座电源
•AC/DC辅助电源
•电视电源
•移动壁式充电器设计
•USB壁式电源插座
•辅助电源
•电视SMPS电源
•LED电源
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