Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET数据手册
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET设计用于开关模式电源应用。LMG3614在8mm x 5.3mm QFN封装中集成了GaN FET和栅极驱动器，从而减少了元器件数量并简化了设计。可编程的导通转换率提供EMI和振铃控制。
数据手册：*附件：Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET数据手册.pdf
Texas Instruments LMG3614支持突发模式运行和转换器轻负载效率要求，具有快速启动时间和低静态电流。保护特性包括过热保护和欠压闭锁 (UVLO)，通过开漏FLT引脚进行报告。
特性
- 650V 170mΩ GaN功率FET
- 集成栅极驱动器，具有低传播延迟和可调节的导通转换率控制
- 通过FLT引脚报告实现过热保护
- 辅助静态电流：55µA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压：26V
- 8mm × 5.3mm QFN封装，带导热片
应用
简化框图
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