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电子发烧友网>电源/新能源>稳压电源>好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市

好消息 东芝650V超级结功率提高大电流设备效率的MOSFET问市

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2022-03-18 17:35:264581

东芝半导体DTMOSVI系列MOSFET的应用及特性

如今,市场对于高效率电源的需求日益增涨,在此背景下,东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092

650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55614

650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538

东芝推出具有低导通电阻的新款功率器件

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479

650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性

650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360

东芝新型高散热封装的车载40V N沟道功率MOSFET支持车载大电流设备

”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。   近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,
2023-02-04 18:31:452676

浅谈超级MOSFET效率改善和小型化

- 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献,多次提到“因为内置超级MOSFET,......”。接下来请您介绍一下超级MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:15878

东芝推出第三代碳化硅MOSFET提高工业设备效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具 有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150

高性能电流模式PWM控制器ME8133介绍

ME8133是一款高性能,高效率电流模式PWM控制器,内封650V/4A功率MOSFET功率最高可达30W(220VAC)。
2023-03-29 10:08:081214

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34693

超级结结构的600V N沟道功率MOSFET助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

东芝推出第3代650V SiC肖特基势垒二极管,助力提高工业设备效率

点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工业设备的碳化硅 ( SiC ) 肖特基势垒二极管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184

森国科650V超结MOSFET系列产品的性能指标

继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

600-650 V MDmesh DM9:快速恢复SJ功率MOSFET提高效率和稳健性

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2023-08-01 16:09:541

东芝第3代碳化硅MOSFET为中高功率密度应用赋能

MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269

MPVA12N65F 650V12A功率MOSFET

MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:011

SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

东芝推出高速二极管型功率MOSFET助力提高电源效率

东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41977

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯电子第二代650V SiC MOSFET产品通过车规级可靠性认证

近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

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