美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:012494 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:001315 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 东芝将进一步扩大其MOSFET产品线,通过减少损耗提高设备电源效率,进而帮助其降低功耗。
2022-03-31 11:13:271196 中国上海, 2023 年 3 月 9 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路[1]的650V分立IGBT---
2023-03-13 09:56:12662 中国上海, 2023 年 6 月 13 日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品
2023-06-13 16:38:50712 ---“TWxxxZxxxC系列”,该产品采用东芝最新的 [1] 第3代碳化硅MOSFET芯片 ,用于支持工业设备应用 。该系列中五款额定电压为650V,另外五款额定电压为1200V,十款产品于今日开始批量
2023-09-04 15:13:401134 SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 08:19:34
这些超结快速恢复硅基功率MOSFET兼具超低恢复电荷(Qrr)和超快快恢复时间(trr),以及出色的品质因数(RDS(on) x Qg),能够为要求严苛的桥式拓扑和ZVS相移转换器带来极高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一种先进的高压技术功率MOSFET,根据superP&S的结原理。提供的设备提供快速切换和低导通电阻的所有优点,使其特别适用于需要更高效、更紧凑的LED照明,
高性能适配器等。
2023-09-15 06:19:23
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一种先进的高电压功率MOSFET,根据P&S的超结原理。报价设备提供了快速切换的所有好处并且导通电阻低,使其特别适用于需要更多高效,更紧凑,LED照明,高
性能适配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
中国上海,2023年3月9日 ——东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布推出一款用于空调和工业设备大型电源的功率因数校正(PFC)电路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
,工程师们已定义一套FOM以应用于新的低压功率MOSFET技术研发。由此产生的30伏特(V)技术以超级接面(Superjunction)为基础概念,是DC-DC转换器的理想选择;相较于横向和分裂闸极
2019-07-04 06:22:42
XLLGA-3到D2Pak和TO-220封装不等。MOSFET额定电压范围从12 V至200 V以上。功率MOSFET用于便携式设备如手机和平板电脑。它们也用于计算机、服务器、电动工具和汽车。选择合适
2018-10-18 09:13:03
有些功率MOSFET的数据表中列出了重复雪崩电流IAR和重复雪崩能量EAR,同时标注了测量条件,通常有起始温度25C,最高结温150C或者175C,以及电感值、脉冲宽度和脉冲频率,这些测量的条件
2017-09-22 11:44:39
MOSFET和超级结MOSFET。简而言之,就是在功率晶体管的范围,为超越平面结构的极限而开发的就是超级结结构。如下图所示,平面结构是平面性地构成晶体管。这种结构当耐压提高时,漂移层会增厚,存在导通电阻增加
2018-11-28 14:28:53
等级,同时,在器件导通时,形成一个高掺杂N+区,作为功率MOSFET导通时的电流通路,也就是将反向阻断电压与导通电阻功能分开,分别设计在不同的区域,就可以实现上述的要求。基于超结
2018-10-17 16:43:26
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42
保护,过电压保护,温度补偿精密电流源环路补偿和故障保护电路。相比分立MOSFET和控制器或RCC开关转换器解决方案,一飞兆功率开关(FPS)可以减少组件,设计尺寸和重量的总数,所以它会提高效率,生产力
2021-05-18 06:24:41
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的,采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
公司也有生产,但是ROHM在推进独自开发。此次内置的SJ MOSFET不仅实现了650V的高耐压,还实现了低导通电阻与低栅极电荷,开关速度也非常快。这将大大改善开关即MOSFET的导通损耗与开关损耗。这
2019-04-29 01:41:22
、SCT50N120 (Vbr=1200v(SCT*N120),Vbr=650v(SCT*N65G2/G2V)).高温时功率损耗低.高温工作性能(200C).无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电(SCT*N65G2V)了解更多信息,请关注英特洲电子,QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
基于超级结技术的功率MOSFET已成为高压开关转换器领域的业界规范。它们提供更低的RDS(on),同时具有更少的栅极和和输出电荷,这有助于在任意给定频率下保持更高的效率。在超级结MOSFET出现之前
2017-08-09 17:45:55
这个汇总表来介绍。可稍微有些详细,但里面几乎包含了BM2Pxxx系列的所有特点。BM2Pxxx系列的特点和优点・内置ROHM独有的650V超级结MOSFET→[tr]・电流模式PWM控制、逐周期过电流
2018-12-03 14:41:45
描述此参考设计是一款专为低频(基于变压器)单相 UPS(由 12V 电池供电)设计的 650W 逆变器功率级。此设计凭借采用 SON5x6 封装且具有极低 RDS(on) 和低栅极电荷 (Qg
2018-10-18 15:10:58
LTM8027 µModule® 稳压器在4 A输出电流时仅实现80%的功率效率。图2.电压分两步从48 V降至3.3 V,包括一个12 V中间电压。目前,非常常见且更高效的提高功率效率的电路
2018-10-30 11:52:49
Frederik Dostal问:如何提高高电压输入、低电压输出的电源转换器的效率?答:对于需要从高输入电压转换到极低输出电压的应用,有不同的解决方案。一个有趣的例子是从48 V转换到3.3 V
2018-10-30 11:44:08
ROHM一直专注于功率元器件的开发。最近推出并已投入量产的“SCT2H12NZ”,是实现1700V高耐压的SiC-MOSFET。是在现有650V与1200V的产品阵容中新增的更高耐压版本。不仅具备
2018-12-04 10:11:25
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
要点:・Hybrid MOS是兼备MOSFET和IGBT优势的新结构MOSFET。・同时具备MOSFET的高速性、在低电流范围的低损耗、IGBT在大电流范围的低损耗特性。・有利于提高家电的APF标准。不仅支持大功率,还可提高低电力范围的效率。
2018-11-28 14:25:36
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超结MOSFET: 3/5 A、600V 内置快速恢复二极管N沟道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 从这两项技术
2018-11-20 10:52:44
测量和校核开关电源、电机驱动以及一些电力电子变换器的功率器件结温,如 MOSFET 或 IGBT 的结温,是一个不可或缺的过程,功率器件的结温与其安全性、可靠性直接相关。测量功率器件的结温常用二种方法:
2021-03-11 07:53:26
功率MOSFET的电流感知有哪几种方法?SenseFET方法检测电流的工作原理是什么?影响电流检测准确性的原因有哪些?
2021-04-21 07:16:38
650V SiC MOSFET 的功率损耗低,可以在双向高功率转换应用(例如 EV 的 OBC)中实现高功率密度和高效率。
2023-02-27 09:44:36
BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)为包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑
新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应管 ,原装正品,优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
或RqJA来校核功率MOSFET的结温,通常可以增大散热器,提高器件通过电流的能力。底部没有裸露铜皮的封装,使用RqJL或RqJA来校核功率MOSFET的结温,其散热的能力主要受限于晶片到PCB的热阻
2016-08-15 14:31:59
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
<概要>全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于
2020-03-12 10:08:31
<概要>全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)推出600V耐压超级结 MOSFET“PrestoMOS”系列产品,在保持极快反向恢复时间(trr※1))的同时,提高设计灵活度,非常适用于
2020-03-12 10:08:47
了一个基于650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D的工程样品的原型,以验证设计的性能和热完整性。该原型展示了54 W / in3的功率密度以及在充电和放电模式下的峰值效率
2019-10-25 10:02:58
。IPL65R190E6 ——作为650V CoolMOS™E6器件的代表,具备快速、可控的开关性能,适用于效率和功率密度是关键要求的应用。650VCoolMOS™ E6器件易于应用,是各种高能效开关产品
2017-04-12 18:43:19
的短路鲁棒性:10微秒短路脉冲时间、Tvjop=150°C• 在结温升高(高达Tvjop=150°C)下的最高输出功率和在结温降低下的最高功率循环功能之间具备理想的灵活性总之,设计工程师利用650V
2018-12-07 10:16:11
650V 高压 MOSFET 和高压启动电路
•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力
•多模式控制、无异音工作
•支持降压和升降压拓扑
•默认 12V 输出 (FB 脚悬空)
•待机功耗 <
2024-03-12 14:25:14
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
转换器IC的特点和优点:・内置ROHM独有的650V超级结MOSFET→高效率和小型化・电流模式PWM控制、逐周期过电流限制功能→提高负载瞬态响应的速度・开关频率 65kHz→开关损耗与外围元器件尺寸
2019-07-11 04:20:12
上一篇介绍了近年来的主要功率晶体管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的产品定位,以及近年来的高耐压Si-MOSFET的代表超级结MOSFET(以下简称“SJ-MOSFET”)的概要
2018-12-03 14:27:05
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET,这些功率MOSFET改善效率和具有快速开关速度,应用工作电压高达650V, 电流20A。新的TK系列器件适合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:261672 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845 东芝于日前宣布,开始销售可确保在175℃条件下工作的车载设备用功率MOSFET“TK80A04K3L”。这是一款耐压为+40V的n通道产品,是该公司功率MOSFET系列“U-MOS IV”的新成员。除车载电子设备外,还可用于工业电子设备和消费类电子产品等的马达驱动电路和开关稳压器。
2013-01-23 09:25:13737 新的E系列器件采用Vishay Siliconix超级结技术,导通电阻低至30mΩ、电流达6A~105A,在8种封装中实现低FOM和高功率密度。
2013-06-04 15:57:241063 日前,东芝公司宣布,公司已为智能手机与平板电脑灯移动设备的高电流充电电路开关推出超紧凑型MOSFET,包括两种高功耗封装电池“SSM6J781G”和“SSM6J771G”。
2013-07-30 16:27:391141 宾夕法尼亚、MALVERN — 2016 年 5 月12 日 — 日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代号:VSH)宣布,推出新的650V EF系列器件
2016-05-12 14:01:14746 •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数,易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 近日,东芝宣布推出适用于NAS平台的MN07系列12TB和14TB 3.5英寸硬盘。东芝MN07系列采用充氦密封的机械设计实现高达14TB和12TB的容量。较之前的10TB“空气型”7,200rpm机械设计,14TB型号可将工作效率提高大约55%。
2018-08-05 10:54:394302 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:299042 东芝宣布推出新一代超结功率MOSFET,新器件进一步提高电源效率。在这个连小学生做作业都讲求高效率的年代,还有什么是高效率不能解决的呢?
2018-09-13 15:54:155102 作为碳化硅技术全球领先企业的科锐(Cree Inc., 美国纳斯达克上市代码:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET产品组合,适用于更广阔的工业应用,助力新一代电动汽车车载充电、数据中心和其它可再生能源系统应用,提供业界领先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 ,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD续流二极管,在硬换流的场合,至少有两个主要优势: 没有Si二极管的反向恢复
2021-03-26 16:40:202347 东芝拓展650V超结结构N沟道功率MOSFET新品 景嘉微发布JH920 东芝拓展新一代超级结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的产品线 东芝电子元件及存储装置株式会社 (“东芝
2022-03-18 17:35:264581 如今,市场对于高效率电源的需求日益增涨,在此背景下,东芝拓展了新一代650V超结结构N沟道功率MOSFET“DTMOSVI系列”,推出TK090E65Z、TK090E65Z、TK110E65Z
2022-04-26 14:11:291092 650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)近日宣布,推出新款功率器件---第三代碳化硅(SiC)MOSFET[1][2]“TWxxNxxxC系列”。该系列具有低导通电阻,可显著降低开关损耗。该系列10款产品包括5款1200V产品和5款650V产品,现已开始出货。
2022-09-01 15:37:53479 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ”。这两款MOSFET具有高额定漏极电流和低导通电阻。产品于今日开始出货。 近年来,随着社会对电动汽车需求的增长,产业对能满足车载设备更大功耗的元器件的需求也在增加。这两款新品采用了东芝的新型L-TOGLTM封装,支持大电流、低导通电阻和高散热。上述产品未采用内部接线柱[1]结构,
2023-02-04 18:31:452676 - 您已经介绍过BM2Pxxx系列对高效率、低功耗、低待机功耗、小型这4个课题的贡献,多次提到“因为内置超级结MOSFET,......”。接下来请您介绍一下超级结MOSFET(以下简称“SJ MOSFET”)。
2023-02-17 11:37:15878 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)推出了全新功率器件“TWxxNxxxC系列”。这是其第三代碳化硅MOSFET[1][2],具
有低导通电阻和大幅降低的开关损耗。10种产品分别为
2023-02-20 15:46:150 ME8133是一款高性能,高效率电流模式PWM控制器,内封650V/4A功率MOSFET,功率最高可达30W(220VAC)。
2023-03-29 10:08:081214 功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34693 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出采用最新一代工艺制造[1]的TK055U60Z1,进一步扩充了N沟道功率MOSFET系列产品线。
2023-06-16 09:03:30228 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 点击“东芝半导体”,马上加入我们哦! 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布, 推出最新一代 [1] 用于工业设备的碳化硅 ( SiC ) 肖特基势垒二极管 ( SBD
2023-07-13 17:40:02184 继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后,2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ,相较于传统的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 电子发烧友网站提供《600-650 V MDmesh DM9:快速恢复SJ功率MOSFET提高了效率和稳健性.pdf》资料免费下载
2023-08-01 16:09:541 MOSFET也已经发展到了第3代,新推出的650V和1200V电压产品现已量产。其栅极驱动电路设计简单,可靠性得到进一步的提高。 碳化硅MOSFET的优势 相同功率等级的硅MOSFET相比,新一代碳化硅MOSFET导通电阻、开关损耗大幅降低,适用于更高的工作频率,
2023-10-17 23:10:02269 MPVA12N65FTO-220F650V12A功率MOSFET
2021-11-16 15:08:011 电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:570 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:250 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:151 电子发烧友网站提供《SLP5N65C美浦森高压MOSFET 650V 4.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:33:490 东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,在新一代[1]具有超结结构的DTMOSVI系列中推出高速二极管型功率MOSFET——DTMOSVI(HSD),
2024-02-22 18:22:41977 3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287 近日,瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证,这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279
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