TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档

LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET，适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器，简化了设计并减少了元件数量。

可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比，电流检测仿真可降低功耗，并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。

LMG3624 具有低静态电流和快速启动时间，可满足转换器轻负载效率要求，并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。

TI LMG3624数据表：
*附件：LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET数据表.pdf

TI LMG3624技术文章：
*附件：TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档.pdf

TI LMG3624应用简报：

*附件：利用 TI GaN 中的集成电流检测功能更大限度提高系统效率.pdf

TI LMG3624产品概述：
*附件：使用 LMG362x 系列低功耗 GaN FET 进行设计.pdf