东芝推出三款最新650V SiC MOSFET

东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）今日宣布，推出三款650V碳化硅（SiC）MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1]第3代SiC MOSFET芯片，并采用表面贴装TOLL封装，适用于开关电源、光伏发电机功率调节器等工业设备。三款器件于今日开始支持批量出货。

三款新产品是东芝第3代SiC MOSFET，采用通用表面贴装TOLL封装，与TO-247和TO-247-4L(X)等通孔封装相比，可将器件体积锐减80%以上，并提升设备功率密度。

此外，TOLL封装还具有比通孔封装更小的寄生阻抗[2]，从而降低开关损耗。作为一款4引脚[3]封装，支持对其栅极驱动的信号源端子进行开尔文连接。这减少封装内部源极线电感的影响，实现高速开关性能；在TW048U65C的外壳中，与东芝现有产品[5]相比，其开通损耗降低约55%，关断损耗降低约25%[4]，有助于降低设备功耗。

未来东芝将继续扩大其SiC功率器件产品线，为提高设备效率和增加功率容量做出贡献。

第3代SiC MOSFET封装产品线

测量条件：VDD＝400V、VGS＝18V/0V、ID＝20A、Ta＝25°C、L＝100μH、Rg（外部栅极电阻）＝4.7Ω

续流二极管采用各产品源极及漏极间的二极管。（东芝截至2025年8月的比较）

图1：TO-247与TOLL封装的导通损耗（Eon）和关断损耗（Eoff）比较

应用

服务器、数据中心、通信设备等中的开关电源

电动汽车充电站

光伏逆变器

不间断电源

特性

表面贴装TOLL封装，实现设备小型化和自动化组装，低开关损耗

东芝第3代SiC MOSFET

1）通过优化漂移电阻与沟道电阻比，实现漏源导通电阻的良好温度依赖性

2）低漏源导通电阻×栅漏电荷

3）低二极管正向电压：VDSF＝–1.35V（典型值）（VGS＝–5V）

主要规格

（除非另有说明，Ta＝25°C）

注：

[1] 截至2025年8月。

[2] 电阻、电感等。

[3] 一种信号源终端靠近FET芯片连接的产品。

[4] 截至2025年8月，东芝测量的值。请参考图1。

[5] 采用TO-247封装且无开尔文连接的、具有同等电压和导通电阻的第3代650V SiC MOSFET。

关于东芝电子元件及存储装置株式会社

东芝电子元件及存储装置株式会社是先进的半导体和存储解决方案的领先供应商，公司累积了半个多世纪的经验和创新，为客户和合作伙伴提供分立半导体、系统LSI和HDD领域的杰出解决方案。

东芝电子元件及存储装置株式会社十分注重与客户的密切协作，旨在促进价值共创，共同开拓新市场，期待为世界各地的人们建设更美好的未来并做出贡献。