0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

支持低压和高压应用的E-mode GAN FET

jf_94163784 来源:jf_94163784 作者:jf_94163784 2023-05-30 09:03 次阅读

基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia今天宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型E-mode器件,从GaN FET到其他硅基功率器件,Nexperia丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。

Nexperia的新产品包括五款额定电压为650 V的E-mode GaN FET(RDS(on)值介于80 mΩ至190 mΩ之间),提供DFN 5x6 mm和DFN 8x8 mm两种封装。这些产品可在高电压(<650 V)、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率,还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计,以实现更高扭矩和更大功率。

Nexperia现还提供采用WLCSP8封装的100 V (3.2 mΩ) GaN FET和采用FCLGA封装的150 V (7 mΩ) GaN FET。这些器件适合各种低电压(<150 V)、高功率应用,例如,数据中心使用的高效DC-DC转换器、快速充电(电动出行类和USB-C类)、小尺寸LiDAR收发器、低噪声D类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备(如手机、笔记本电脑和游戏主机)。

在许多功率转换应用中,GaN FET凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率,从而显著降低物料(BOM)成本。因此,GaN器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用,包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于GaN的器件具备快速转换/开关能力(高dv/dt和di/dt),可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。Nexperia的E-mode GaN FET具有出色的开关性能,这得益于极低的Qg和QOSS值,并且低RDS(on)有助于实现更高的功率效率设计。

这些新器件进一步扩充了Nexperia丰富的GaN FET产品系列,适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件,支持高电压、低功率应用的650 V E-mode器件和支持低电压、高功率应用的100/150 V E-mode器件。此外,Nexperia E-mode GaN FET采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能,符合工业级的JEDEC标准。Nexperia的GaN器件产品系列不断扩充,充分体现了Nexperia坚守承诺,促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。

审核编辑:汤梓红

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 服务器
    +关注

    关注

    12

    文章

    8011

    浏览量

    82208
  • FET
    FET
    +关注

    关注

    3

    文章

    557

    浏览量

    62323
  • GaN
    GaN
    +关注

    关注

    19

    文章

    1744

    浏览量

    67186
收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    功率GaN的多种技术路线简析

    )。另一方面,功率GaN的技术路线从不同的层面看还有非常丰富的种类。   器件模式   功率GaN FET目前有两种主流方向,包括增强型E-Mode和耗尽型D-
    的头像 发表于 02-28 00:13 1866次阅读

    低压高压的逆变器原理 低压高压逆变器怎么接线

    低压高压逆变器是一种将低电压转换为高电压的电路设备,常用于电力系统、通信设备、电子设备等领域。它的工作原理是通过逆变器电路将输入的直流电变换为高频交流电,再通过变压器将电压升高。 低压高压
    的头像 发表于 01-19 10:30 504次阅读

    差压变送器高压侧和低压侧怎么安装

    当安装差压变送器时,正确的安装方法对于确保设备正常运行至关重要。下面我们将详细介绍如何安装差压变送器的高压侧和低压侧。 首先,我们先来了解差压变送器的工作原理。差压变送器是一种用于测量流体或气体压力
    的头像 发表于 01-18 16:42 646次阅读

    想要玩转氮化镓?纳芯微全场景GaN驱动IC解决方案来啦!

    也提出了更高的要求。 按照栅极特性差异,GaN分为 常开的 耗 尽型(D-mode )和 常关的增强型(E-mode) 两种类型;按照应用场景差异,GaN需要 隔离或非隔离、低边或自举
    的头像 发表于 12-20 13:35 243次阅读
    想要玩转氮化镓?纳芯微全场景<b class='flag-5'>GaN</b>驱动IC解决方案来啦!

    高压灯带和低压灯带的优缺点 高压灯带和低压灯带到底有什么区别?

    高压灯带和低压灯带是两种常见的LED灯带,它们在照明领域中被广泛应用。
    的头像 发表于 12-14 17:10 5126次阅读

    安世半导体宣布推出新款GaN FET器件

    基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,该器件采用新一代高压 GaN HEMT 技术和专有铜夹片 CCPAK 表面贴装
    的头像 发表于 12-13 10:38 315次阅读

    GaN HEMT为什么不能做成低压器件

    GaN HEMT为什么不能做成低压器件  GaN HEMT(氮化镓高电子迁移率晶体管)是一种迅速崭露头角的高频功率器件,具有很高的电子迁移率、大的电子饱和漂移速度、高的饱和电子流动速度以及较低的电阻
    的头像 发表于 12-07 17:27 357次阅读

    Transphorm 最新技术白皮书: 常闭耗尽型 (D-Mode)与增强型 (E-Mode) 氮化镓晶体管的优势对比

    氮化镓功率半导体器件的先锋企业 Transphorm说明了如何利用其Normally-Off D-Mode平台设计充分发挥氮化镓晶体管的优势,而E-Mode设计却必须在性能上做出妥协
    发表于 10-24 14:12 606次阅读

    D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代品

    的D型SuperGaN FET可用作任何E型TOLL封装FET的直接替代品。 坚固耐用的SuperGaN TOLL器件已通过JEDEC认证。由于常关 D 模式平台将 GaN HEMT 与低压
    的头像 发表于 10-13 16:16 406次阅读

    基于GaN HEMT的半桥LLC优化设计和损耗分析

    诸多应用难点,极高的开关速度容易引发振荡,过电流和过电压导致器件在高电压场合下容易失效[2]。 GaN HEMT 的开通门限电压和极限栅源电压均明显低于 MOS鄄FET,在桥式拓扑的应用中容易发生误
    发表于 09-18 07:27

    安世推出支持低压高压应用的E-mode GAN FET GAN FET

    基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的 E-mode(增强型)功率 GaN FET
    的头像 发表于 08-10 13:55 503次阅读

    基于GaN的OBC和低压DC/DC集成设计

    OBC和低压DC/DC的集成设计可以减小系统的体积;提高功率密度,降低成本。宽带隙半导体器件GaN带来了进一步发展的机遇提高电动汽车电源单元的功率密度
    发表于 06-16 06:22

    Nexperia(安世半导体)推出支持低压高压应用的E-mode GAN FET

    业内唯一可同时提供级联型(cascade)和增强型(e-mode)氮化镓器件的供应商。
    的头像 发表于 05-10 11:23 826次阅读

    Nexperia推出支持低压高压应用的E-mode GAN FET

    首批支持低电压(100/150 V)和高电压(650 V)应用的E-mode(增强型)功率GaN FET。Nexperia在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型
    发表于 05-10 09:24 422次阅读
    Nexperia推出<b class='flag-5'>支持</b><b class='flag-5'>低压</b>和<b class='flag-5'>高压</b>应用的<b class='flag-5'>E-mode</b> <b class='flag-5'>GAN</b> <b class='flag-5'>FET</b>

    高压配电和低压配电的区别

    高压配电和低压配电是指配电系统中所涉及的电压水平不同,其区别主要表现在以下几个方面:   1. 电压水平不同:高压配电电压一般在10千伏以上,低压配电则在400伏以下。由于
    发表于 04-10 15:39 4793次阅读