耐压30V降压恒压芯片的工作原理如下：
该芯片内部集成了开关管和同步整流管，通过它们进行电压的转换，将输入的30V电压降至所需的输出电压（如12V或5V）。在工作过程中，该芯片通过PWM
2024-03-22 11:31:10
电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的 650V 120mΩ GaN FET LMG3612数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:20:58
0 电子发烧友网站提供《具有集成驱动器的650V 270mΩ GaN FETLMG3616数据表.pdf》资料免费下载
2024-03-21 10:19:400 英飞凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET沟槽栅技术，无疑为功率系统和能量转换领域带来了革命性的进步。与上一代产品相比，全新的CoolSiC™ MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36
126 近日，国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司（以下简称“扬杰科技”）再度刷新业界认知，推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19558 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管；
2024-03-15 14:26:07187 
瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品，这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified），还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出，标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 650V 高压 MOSFET 和高压启动电路
•优化轻载噪音、提升系统抗干扰能力
•多模式控制、无异音工作
•支持降压和升降压拓扑
•默认 12V 输出 (FB 脚悬空)
•待机功耗 <
2024-03-12 14:25:14
近日，瞻芯电子宣布其研发的三款第二代650V SiC MOSFET产品成功通过了严格的AEC-Q101车规级可靠性认证，这一里程碑式的成就标志着瞻芯电子在功率电子领域的持续创新与技术突破。
2024-03-12 11:04:24260 3月8日，瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38286 
上海瞻芯电子科技有限公司（简称“瞻芯电子”）近期取得了一项重要的技术突破。该公司推出的两款第二代SiC MOSFET产品，分别为650V 40mΩ规格的IV2Q06040D7Z和650V 60m
2024-03-07 09:43:18222 在科技不断进步和新能源汽车产业迅速崛起的当下，高效、稳定且符合车规标准的电子元器件成为市场的迫切需求。上海瞻芯电子科技有限公司（简称“瞻芯电子”）凭借其深厚的碳化硅（SiC）半导体技术积累，成功开发
2024-03-07 09:37:27150 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装，具有2个引脚，不仅增加了安规距离，提高了可靠性，而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02364 150V高耐压降压芯片是一种电源管理芯片，其主要功能是将输入电压降低到较低的输出电压。以下是一般的高耐压降压芯片的工作原理：
输入电压稳压：首先，芯片会接收输入电压，这个电压可能来自电池、电源适配器
2024-01-26 14:13:26
近日，广东致能科技团队与西安电子科技大学广州研究院/广州第三代半导体创新中心郝跃院士、张进成教授团队等等合作攻关，通过采用广东致能科技有限公司的薄缓冲层AlGaN / GaN外延片，基于广州第三代半导体创新中心中试平台，成功在6英寸蓝宝石衬底上实现了1700V GaN HEMTs器件。
2024-01-25 10:17:24365 
近日，瞻芯电子采用TO263-7封装的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ产品IV2Q06040D7Z通过了严苛的车规级可靠性认证，该产品采用TO263-7贴片封装，具有体积较小，安装简便，损耗更低的特点。
2024-01-16 10:16:24770 
3AC400V变频异步电机，连续工作的允许耐压值是多少呢？
比如说，变频器的直流母线电压是650V的状态下，3AC400V的电机能受得了吗？
2024-01-09 07:20:21
基于SiC功率器件的整机应用系统解决方案，各项性能指标达到国际水平，提供各类规格参数的SiC MOS定制化服务。
2024-01-04 17:30:53271 
IGBT 作为一种功率半导体器件，广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点，是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势，在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35270 
产品概述：DK045G 是一款高度集成了 650V/400mΩ GaN HEMT 的准谐振反激控制 AC-DC 功率开关芯片。DK045G 检测功率管漏极和源极之间的电压（V DS ）,当 V DS
2023-12-16 12:01:21
PI近日推出全新系列的即插即用型门极驱动器，新驱动器适配额定耐压在1700V以内的62mm碳化硅(SiC) MOSFET模块和硅IGBT模块
2023-12-14 15:47:04361 SiC SBD的高耐压（反压）特性
2023-12-13 15:27:55197 
650A 1700V SIC HALF-BRIDGE
2023-12-13 05:43:29
650V高压低功耗非隔离电源芯片，默认输出12V，最大电流2A，具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:030 11月27日，瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101), 导通电阻标称1Ω，
2023-11-30 09:39:18756 
SL3038的输入电压范围为4.5V至150V，使得它能够适应各种不同的电源电压。这意味着您可以在不同的输入电压下使用SL3038，从而实现更灵活的应用。
2. 高耐压能力
SL3038的最大
2023-11-28 17:03:22
、Buck-Boost 变换器拓扑应用。 BP8523D 内部集成了 650V 高压 MOSFET、高压启动和自供电电路、电流采样电路、电压反馈电路以及续流二极管!采用先进的控制技术，无需外部 VCC
2023-11-21 10:32:19
IGBT MODULE 1700V 4150W
2023-11-20 12:17:01
有没有高输入阻抗低供电电压3V的JFET运放
供电电压只有3V
2023-11-20 06:54:00
SIC MOS TO247-4L 650V
2023-11-01 14:52:40
、1700V碳化硅开关以及其它衍生出的750V、900V和现在1250V耐压的PowiGaN开关。 Power Integrations专有的1250V PowiGaN技术的开关损耗不到相同电压下同等硅器件开关损耗的三分之一
2023-10-31 16:54:481866 SP9683高频准谐振、集成650V氮化镓功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 
SiC FET（即 SiC JFET 和硅 MOSFET 的常闭共源共栅组合）等宽带隙半导体开关推出后，功率转换产品无疑受益匪浅。
2023-10-19 12:25:58208 
耐压5V IO 在高电平驱动LED时弱亮说明耐压5V I/O口在上电期间及NRST为low时，导致高电平驱动方式时的LED弱亮
2023-10-19 08:00:37
电源中，由于母线电压和功率不同，一般会选用单管反激或双管反激拓扑，无论那种拓扑都离不开核心的功率器件，即1500V~1700V 功率MOS。
2023-10-16 11:38:05759 
实现量产和稳定销售，主要应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、通讯电源等大功率、高频、高效率领域。
附：华润微电子SiC SBD产品列表
附：华润微电子SiC SBD料号列举
650V SiC
2023-10-07 10:12:26
Ω 650V SOP7 SIC9773 0.9 4.5Ω 650V SOP7/DIP7
2023-08-24 09:53:37263 芯塔电子1700V/5Ω SiC MOSFET主要应用新能源汽车电池电压检测和绝缘监测。该应用场景中，使用碳化硅方案可以有效提升光耦继电器整体性能，使之响应速度更快、体积缩小、寿命延长等，对提升车辆电源系统整体效能、可靠性及安全性有着重要意义。
2023-08-16 11:49:31285 
对于SiC功率MOSFET技术，报告指出，650-1700V SiC MOSFET技术快速迭代，单芯片电流可达200A。提升电流密度同时，解决好特有可靠性问题是提高技术成熟度关键。
2023-08-08 11:05:57428 650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸，增强型晶体管-正常关闭电源开关
2023-08-07 17:22:17964 
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
1700V、17.5mΩ、120A、第 3 代裸片 SiC MOSFETWolfspeed 凭借我们的首款工业级第 3 代 1700 V 裸片 SiC MOSFET 继续在碳化硅 (SiC) 领域
2023-07-28 14:21:34
继先后推出成熟化的全系列碳化硅二极管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模块产品后，2023年7月 森国科正式对外推出650V超结MOSFET系列新品 ，相较于传统的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
开关电源芯片U6773D内置5A 650V 的MOS，支持准谐振降压型LED恒流、恒压输出应用，仅需将SEL管脚短接到GND管脚即可。
2023-07-18 15:48:01612 ）—— “ TRSxxx65H 系列” 。首批12款产品（均为650V）中有7款产品采用TO-220-2L封装，其余5款采用DFN8×8封装，于今日开始支持批量出货。 新产品在第3代SiC SBD芯片中使用了一种
2023-07-13 17:40:02184 
圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27521 
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管，耐压650V 6A DFN5*6封装，原装，库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量，可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作温度范围-
2023-07-05 15:54:11
*6 电压：650V 电流：6A 碳化硅二极管MSL06065G1，碳化硅二极管，耐压650V，150℃连续正向电流6A，工作
2023-07-05 15:50:06
ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN™650V E模式氮化镓(GaN)FET采用低导通电阻和高速开关来提高电源转换效率和减小尺寸。该款高度可靠的GNP1 FET具有内置ESD
2023-06-19 15:09:18273 
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
二极管中观察到的电容恢复特性为独立于温度，正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中，不切实际外延规范将肖特基二极管降级为< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的，以尽量减少电容电荷，从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39
前几天，三一集团的SiC重卡打破了吉尼斯纪录（.点这里.），很多人好奇这款车的1700V SiC MOSFET供应商是谁，今天答案正式揭晓！
2023-06-14 18:19:55855 润新微电子（Runxin Microelectronics）荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管（FET），该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34686 ，1700V，60A，SIC，这个管子的Qg是256nC，Rg=1.8Ω，tdon和tr分别为52ns和32ns。IXDN609SI的一部分参数和驱动的电路原理图如下
目前的状况是ACPL-333J的输出
2023-06-10 15:32:20
在我的项目中，我需要用 18650 电池为 esp12 供电。
我试过使用带有 1uF 电容（Vin-GND、Vout-GND）的 mcp1700 3.3v，
此设置使 esp 无法启动，所以我尝试
2023-05-31 07:36:54
Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 
根据公司披露：上海瀚薪具备多年的车规级SiC肖特基二极管与SiC MOSFET研发及量产经验。量产产品均在各市场龙头企业得到认可并大批量出货。碳化硅二极管涵盖650V、1200V和1700V电压范围
2023-05-25 10:34:27903 
非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统的效率提升和小型化 全球知名半导体制造商ROHM（以下简称“ROHM”）将650V耐压的GaN（Gallium Nitride：氮化镓）HEMT
2023-05-25 00:25:01322 
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产，这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34447 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300 钰泰ETA9880/9881/高输入耐压5V2.4A
ETA9880，20V输入耐压，2.4A Charger+2.4A/5V Boost+电量指示，兼容替代ETA9870，适用于移动电源等集成开关
2023-05-18 16:58:36
全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride：氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产
2023-05-18 16:34:23463 UJ3N065080K3S产品简介Qorvo 的 UJ3N065080K3S 是一款 650 V、80 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电阻 (RDS
2023-05-15 09:35:18
UJ3N065025K3S 产品简介Qorvo 的 UJ3N065025K3S 是一款 650 V、25 mohm 高性能 Gen 3 SiC 常开 JFET 晶体管。该器件具有超低导通电
2023-05-15 09:27:58
ROHM的1,200VSiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。
2023-04-10 09:34:29483 1700V 50A SIC SBD PARALLEL
2023-03-29 15:19:22
SIC SCHOTTKY DIODE 1700V TO247-2
2023-03-29 15:13:55
SiC MOSFET“S4101”和650V SiC SBD“S6203”是以裸芯片的形式提供的，采用ROHM的这些产品将有助于应用的小型化并提高模块的性能和可靠性。另外
2023-03-29 15:06:13
650V 6A SIC SBD
2023-03-27 14:50:34
1700V 15A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:49:29
SIC DIODE TO220 650V
2023-03-27 14:49:15
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 10A
2023-03-27 14:48:42
10A, 1700V, G5 ZREC SIC SCHOTTKY
2023-03-27 14:48:35
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:48:27
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:46:13
SIC DIODE 1700V 25A TO-247-2
2023-03-27 14:44:42
SIC DIODE 650V 4A
2023-03-27 14:43:20
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:41:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:37
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 14:41:36
650V AUTOMOTIVE SIC DIODE
2023-03-27 14:40:02
SIC DIODE 650V
2023-03-27 14:39:50
650V 8A SIC SBD
2023-03-27 14:39:50
GEN 3 650V 25 M SIC MOSFET
2023-03-27 14:39:35
GEN 3 650V 49A SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:48
650V 120M SIC MOSFET
2023-03-27 14:31:11
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:53:41
SIC DIODE 1700V 5A TO-247-2
2023-03-27 13:46:43
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:36:01
SIC DIODE 650V
2023-03-27 13:34:53
1700V 25A TO-247-2 SIC SCHOTTKY
2023-03-27 13:34:26
DIODE SIC SCHOTTKY 1700V 50A
2023-03-27 13:30:39
650V 4A SIC SBD
2023-03-27 13:28:41
MOS GATE DRIVER 62MM 1700V SIC
2023-03-27 12:29:45
RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100
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