1.一般说明
650V硅上GaN增强型功率品体管,采用5mm双扁平无引线封装(DFN)X6毫米大小。
2.特征
超高开关频率
无反向恢复收费
低栅极电荷,低输出电荷
符合JEDEC标准的工业应用
静电防护
RoHS指令不含铅,符合REACH标准
3.应用程序
交直流变换器
直流一直流转换器
图腾柱PFC
电池快速充电
高密度功率转换
高效率的功率转换
英诺赛科INN650DA260A增强功率晶体管GaN
审核编辑 黄宇
声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。
举报投诉
-
GaN
+关注
关注
19文章
1766浏览量
68027 -
功率晶体管
+关注
关注
3文章
642浏览量
17386
发布评论请先 登录
相关推荐
功率GaN的多种技术路线简析
电子发烧友网报道(文/梁浩斌)功率GaN的大规模应用,其实也只有六七年的历史,从2018手机快速充电器上才正式吹响了普及的号角。目前,从晶体管来看,功率
晶体管Ⅴbe扩散现象是什么?
是,最大输出电流时产生0.2 V压降。功率场效应管可以无需任何外接元件而直接并联,因为其漏极电流具有负温度系数。
1、晶体管的Vbe扩散现象是什么原理,在此基础上为什么要加电阻?
2、场效应管
发表于 01-26 23:07
在特殊类型晶体管的时候如何分析?
管子多用于集成放大电路中的电流源电路。
请问对于这种多发射极或多集电极的晶体管时候该如何分析?按照我的理解,在含有多发射极或多集电极的晶体管电路时,如果多发射极或多集电极的每一极分别接到独立的电源回路中
发表于 01-21 13:47
CGHV96050F1卫星通信氮化镓高电子迁移率晶体管CREE
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化镓(GaN)高电子迁移率晶体管(HEMT)。与其它同类产品相比,这些GaN内部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附带效率。与
发表于 01-19 09:27
晶体管和场效应管的本质问题理解
三极管功率会先上升后下降,因为电压降在下降而电流在上升。功率最大点在中间位置。
3、当基射极电流增大到一定水平,集射极电压降低到不能再降的程度时,晶体管进入饱和,此时无论基射极电流如何
发表于 01-18 16:34
氮化镓芯片未来会取代硅芯片吗?
的尺寸和更轻的重量。 传统硅晶体管有两种类型的损耗:传导损耗和开关损耗。 功率晶体管是开关电源中功率损耗的主要原因。 为了遏制这些损失,GaN
发表于 08-21 17:06
INN650D260A氮化镓200w电源方案设计3C+2A
氮化镓电源方案功率通常达到65W、100W、120W等,氮化镓功率器件生产商英诺赛科推出INN650D260A氮化镓200w电源方案设计3C+2A多口输出。英诺赛科INN650D260
GaN晶体管的优点是什么?ST量产氮化镓器件PowerGaN 即将推出车规器件
解决方案带来了极高的附加值。采用GaN技术有助于实现上述目标,随着该项技术商用步伐的加快,在功率转换应用中也获得了广泛运用。 GaN晶体管与硅基晶体
发表于 08-03 14:43
•243次阅读
未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)
润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:
评论