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电子发烧友网>测量仪表>650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

650V耐压IGBT RGTV/RGW系列介绍

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2024-04-10 17:10:360

650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65HE数据手册

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2024-04-10 17:49:430

650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UE数据手册

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2024-04-10 17:52:381

650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册

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2024-04-10 17:53:390

650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册

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2024-04-10 17:56:151

650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册

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2024-04-10 17:57:221

650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HCN数据手册

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2024-04-10 17:58:320

650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册

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2024-04-10 18:01:090

650V 300mA/1000mA电机驱动应用电源ic U5402应用说明

650V 300mA/1000mA电机驱动应用电源ic U5402    电源ic U5402典型应用在功率MOSFET / IGBT驱动器、家电电机驱动应用、LED照明电源、感应加热、DC-AC
2024-07-24 16:49:381232

新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
2024-07-27 08:14:36869

新洁能650V Gen.7 IGBT系列产品介绍

新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:221808

森国科推出650V/60A IGBT

森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898

森国科650V/6A IGBT的性能特点

森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:131162

NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片介绍

NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能,防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
2025-01-07 10:58:261547

高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍

JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:081125

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780

ROHM携手ATX量产650V耐压GaN HEMT

全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:531194

超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析

随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:441054

内置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC转换器CN1812

内置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC转换器CN1812
2025-03-05 10:09:23890

GNP1070TC-Z 650V GaN HEMT 数据手册

GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54909

微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106

输入逻辑电平。LPD2106具有高可靠性和抗干扰能力,高压耐压650V,开关节点动态能力支持达50V/ns,瞬态耐压能力达-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保护功能,集成了输入最小
2025-03-08 10:11:281252

新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:031017

英飞凌CoolGaN BDS 650V G5双向开关产品介绍

CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓(GaN)技术的单片双向开关,凭借其卓越的性能和创新的设计,正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:113435

龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品

随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:301877

合科泰650V高压MOS管HKTD7N65的特性和应用

在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻,为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:101418

深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 场截止沟槽 IGBT

在功率半导体领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

深挖1ED21x7x系列650V高端栅极驱动器的卓越性能与应用解析

深挖1ED21x7x系列650V高端栅极驱动器的卓越性能与应用解析 在电力电子领域,栅极驱动器的性能对于功率器件的高效、稳定运行起着关键作用。今天我们就来深入探讨英飞凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12227

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