美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 瑞萨电新发表13款具备高效能之第7代绝缘闸双极性电晶体(IGBT)系列新产品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列与1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是将系统中的直流电转换为交流电的功率半导体装
2012-07-31 11:34:28
2027 全球知名半导体制造商ROHM新开发出兼备业界顶级低传导损耗※1和高速开关特性的650V耐压IGBT※2“RGTV系列(短路耐受能力※3保持版)”和“RGW系列(高速开关版)”,共21种机型。这些产品
2018-04-17 12:38:46
8644 
与600V IGBT3一样,新的650V IGBT4也是采用了沟槽的MOS-top-cell薄片技术和场截止的概念(如图1 所示),但与600V IGBT3相比,芯片厚度增加了大约15%,并且MOS
2018-10-26 09:17:00
8908 为满足电动汽车市场的需求,英飞凌推出了全新的650V CoolMOS™ SJ功率 MOSFET CFD7A系列。这一产品经过专门优化,可以满足电动汽车应用 (如车载充电器、HV-LV DC-DC 转换器和辅助电源)的要求。
2020-05-31 09:15:36
1998 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:32
2459 随着新产品的发布,英飞凌完善了其600V/650V细分领域的硅基、碳化硅以及氮化镓功率半导体产品组合
2020-02-26 08:26:00
1692 新款 CoolSiC Hybrid产品系列结合了650 V TRENCHSTOP™ 5 IGBT技术和碳化硅肖特基二极管的主要优点,具备出色的开关速度和更低的开关损耗,特别适用于 DC-DC 功率变换器和PFC电路。
2021-08-06 15:40:47
2291 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
3AC400V变频异步电机,连续工作的允许耐压值是多少呢?
比如说,变频器的直流母线电压是650V的状态下,3AC400V的电机能受得了吗?
2024-01-09 07:20:21
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
SBD)* • Hybrid型的IGBT* • 显著降低损耗* • RGWxx65C系列* • 650V耐压* • 与使用Si快速恢复二极管(Si FRD)的IGBT相比,开通损耗显著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
XD080H065AY1S3应用:电源(UPS/移动储能/光伏逆变)80A 650V TO-247-3L
国产IGBT+SBD:
XD075C065CX1S3应用:电源(UPS/移动储能/光伏逆变)75A 650V
2024-12-19 15:03:24
650V IGBT4,旨在提供更大的设计自由度。这款全新的IGBT4器件具备更好的关断软度,并且由于关断电流变化率di/dt的降低,带来了更低的关断电压尖峰。该器件专门设计用于中高电流应用。相对于
2018-12-07 10:16:11
英飞凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。该产品系列将现代超级结(SJ)器件的优势(如低导通电阻和低容性开关损耗)与轻松控制的开关行为、及
2010-07-05 08:48:26
2309 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1525 英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:17
2280 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型(NPT)绝缘栅双极晶体管(IGBT)产品,备有45A、70A和95A额定电流型款。美高森美全新NPTIGBT产品系列专为严苛环境工作而设计,尤其适用于太阳能逆变器、焊接机和开关电源等工业产品。
2013-08-19 16:08:18
1199 2014年10月21日,北京——全球功率半导体和管理方案领导厂商 – 国际整流器公司 (International Rectifier,简称IR) 推出多款坚固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以扩充绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:42
2388 2015年3月2日,德国慕尼黑——英飞凌科技股份公司(FSE: IFX / OTCQX: IFNNY)发布了能够让应用于汽车中的高速开关实现最高效率的高坚固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:29
1759 意法半导体推出新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,新款M系列650V IGBT,为电源设计人员提供一个更快捷经济的能效解决方案,适用于暖通空调系统(HVAC
2016-11-02 17:19:43
2436 ROHM第三代碳化硅MOSFET特点(相比第二代)ROHM第三代设计应用于650V和1200V产品之中,包括分立或模组封装。本报告深入分析了650V和1200V第三代沟槽MOSFET,并利用光学显微镜和扫描电镜研究复杂的碳化硅沟槽结构。
2018-08-20 17:26:29
10826 意法半导体的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代沟栅场截止(TFS)技术,可提高PFC转换器、电焊机、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器等中高速应用设计的能效和性能。该系列还包括符合AEC-Q101 Rev. D标准的汽车级产品。
2019-05-14 11:38:53
4151 碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:02
2246 全球知名半导体制造商ROHM(总部位于日本京都)新推出四款支持汽车电子产品可靠性标准AEC-Q101※1)的1200V耐压IGBT“RGS系列”产品。
2019-05-29 15:15:50
5922 英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 ROHM的RGS系列是符合AEC-Q101标准、且具有1200V和650V宽耐压范围的IGBT产品。该系列具有更低的传导损耗,有助于提高应用产品的效率并实现小型化,是电动压缩机的逆变器和高压加热器的更佳选择。
2020-10-02 17:34:00
3421 
650 V 场截止 IGBT 如何帮助将厨房烹饪提升到一个全新的水平。 电磁炉制造商正在努力增加最大功率并减少烹饪时间,同时实现高系统效率以满足严格的能源之星标准。 这些趋势对选择合适的 IGBT 提出了新的要求,这些 IGBT 是感应加热系统中的关键
2021-06-01 14:56:25
2726 
东芝电子元件及存储装置株式会社(东芝)宣布,在其TOLL(TO-无引线)封装的DTMOSVI系列中推出650V超级结功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:23
1813 
前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:20
3459 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
现在主流400V架构中,电驱动的功率管主要采用IGBT器件,但IGBT耐压值通常不高于650V,基本不能用于800V架构。即便采用超级结工艺的高耐压IGBT,工作电压也不超过900V,而且成本高不说,其体积也要比普通IGBT大很多,这无疑为车内空间布置及散热设计带来困难。
2022-08-17 11:12:30
6430 650V 快速恢复 SuperFET® II MOSFET 在谐振拓扑中实现高系统效率和可靠性
2022-11-14 21:08:36
0 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM/li> 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 无需自举二极管和限流电阻 当保护电路被激活时,警报输出(...
2023-02-08 13:43:21
1572 
600V耐压IGBT IPM:BM6337x系列 关键词 兼具业内优异的降噪和低损耗特性 600V耐压IGBT IPM 各种变频器的功率转换用 BM6337x系列 优化内置...
2023-02-08 13:43:21
2074 
RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:59
0 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:10
0 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:25
0 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这
2023-05-18 16:34:23
1263 Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 全球知名半导体制造商ROHM(以下简称“ROHM”)将650V耐压的GaN(Gallium Nitride:氮化镓)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量产,这两款产品非常适用于服务器和AC适配器等各种电源系统。
2023-05-24 15:19:34
1314 
润新微电子(Runxin Microelectronics)荣幸推出了最新一代的650V GaN功率晶体管(FET),该产品具备卓越的性能和广泛的应用领域。 产品特点: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34
2033 上海陆芯电子科技有限公司拥有最新一代TrenchField-Stop技术的400V200A~400A系列IGBT、650V5A~200A系列IGBT、1200V&1350V10A~100A
2022-05-19 09:54:26
2109 
新品EVAL-IHW65R62EDS06J这块感应加热半桥评估板采用新一代650V逆导型R6系列IGBT和SOI技术的EiceDRIVERIGBT驱动器,产品针对100kHz的谐振开关应用感应
2022-03-01 09:32:40
1608 
RJP65T43DPQ-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:12
0 RJP65T54DPM-A0 数据表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:43
0 RJH65D27BDPQ-A0 数据表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:51
0 圳市森国科科技股份有限公司日前发布了第五代Thinned MPS SiC二极管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27
2049 
供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供应SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆变器igbt-三相igbt逆变电源,提供SGTP75V65SDS1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-02 17:12:19
8 650V高压低功耗非隔离电源芯片,默认输出12V,最大电流2A,具有输出可设置3-24V
2023-12-01 19:19:03
0 IGBT 作为一种功率半导体器件,广泛应用于工业节能、电动汽车和新能源装备等领域。IGBT 具有节能、安装方便、维护方便、散热稳定等特点,是能量转换和传输的核心装置。瑞能的650V IGBT产品在电性能和可靠性等方面具备诸多优势,在行业内也处于领先地位。
2023-12-26 13:31:35
1604 
本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
近日,国内半导体功率器件领军企业扬州扬杰电子科技股份有限公司(以下简称“扬杰科技”)再度刷新业界认知,推出了一款专为光伏储能充电桩等高频应用而设计的50A 650V TO-247封装IGBT单管产品
2024-03-16 10:48:19
2224 电子发烧友网站提供《650V 6A沟槽和场阻IGBT JJT6N65ST数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-08 16:35:25
3 电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
2024-04-08 17:15:31
1 电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SS文档.pdf》资料免费下载
2024-04-09 16:22:11
2 电子发烧友网站提供《650V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N65SC数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 15:20:03
0 电子发烧友网站提供《650V 15A沟槽和场阻IGBT JJT15N65SY数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 15:22:42
0 电子发烧友网站提供《650V 20A沟槽和场阻IGBT JJT20N65SC数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 15:25:13
0 电子发烧友网站提供《650V 20A沟槽和场阻IGBT JJT20N65SE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 15:41:33
0 电子发烧友网站提供《650V 20A沟槽和场阻IGBT JJT20N65SS数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 16:56:38
1 电子发烧友网站提供《650V 30A沟槽和场阻IGBT JJT30N65SE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:03:02
0 电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:08:18
0 电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:09:16
1 电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:10:36
0 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:49:43
0 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:52:38
1 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:53:39
0 电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:56:15
1 电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:57:22
1 电子发烧友网站提供《650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HCN数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:58:32
0 电子发烧友网站提供《650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 18:01:09
0 650V 300mA/1000mA电机驱动应用电源ic U5402 电源ic U5402典型应用在功率MOSFET / IGBT驱动器、家电电机驱动应用、LED照明电源、感应加热、DC-AC
2024-07-24 16:49:38
1232 新品650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFET和IGBT。产品型号
2024-07-27 08:14:36
869 
新洁能650V Gen.7系列IGBT产品,基于微沟槽场截止技术,可大幅提高器件的元胞结构密度。采用载流子存储设计、多梯度缓冲层设计、超薄漂移区设计,大幅度提升器件的电流密度。同时优化了器件的开关特性,为系统设计提供更大的余量。
2024-08-15 16:34:22
1808 
森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59
898 森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:13
1162 
NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能,防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围、带滞后的欠压锁定。
2025-01-07 10:58:26
1547 
JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。
2025-01-16 14:16:08
1125 650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
全球知名半导体制造商ROHM近日宣布,其采用TOLL(TO-LeadLess)封装的650V耐压GaN HEMT(高电子迁移率晶体管)“GNP2070TD-Z”已成功投入量产。这一里程碑式的进展
2025-02-18 10:03:53
1194 随着BASiC基本半导体等企业的650V碳化硅MOSFET技术升级叠加价格低于进口超结MOSFET,不少客户已经开始动手用国产SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET,电源客户从超结MOSFET升级至650V碳化硅MOSFET的根本驱动力分析。
2025-03-01 08:53:44
1054 
内置650V MOSFET的高可靠性PSR AC-DC转换器CN1812
2025-03-05 10:09:23
890 
GNP1070TC-Z是一款650V GaN HEMT,实现了业内出色的FOM 。该产品属于EcoGaN™系列产品,利用该系列产品低导通电阻和高速开关的特性,有助于提高功率转换效率并减小产品尺寸
2025-03-07 15:46:54
909 
输入逻辑电平。LPD2106具有高可靠性和抗干扰能力,高压耐压达650V,开关节点动态能力支持达50V/ns,瞬态耐压能力达-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保护功能,集成了输入最小
2025-03-08 10:11:28
1252 
新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50V
2025-07-04 17:09:03
1017 
CoolGaN BDS 650V G5双向开关。这款基于氮化镓(GaN)技术的单片双向开关,凭借其卓越的性能和创新的设计,正在成为高效电力转换领域的明星产品。
2025-08-28 13:52:11
3435 随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系列IGBT新品,致力于为高频、高效应用提供更优异的解决方案。
2025-10-24 14:03:30
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在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合科泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A电流与低至1.08Ω的导通电阻,为工程师提供了一款兼具高性能与高可靠性的国产功率器件新选择。
2025-11-07 17:46:10
1418 在功率半导体领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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深挖1ED21x7x系列:650V高端栅极驱动器的卓越性能与应用解析 在电力电子领域,栅极驱动器的性能对于功率器件的高效、稳定运行起着关键作用。今天我们就来深入探讨英飞凌(Infineon
2025-12-18 16:10:12
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