0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

森国科推出650V/60A IGBT

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-10-17 15:41 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。

该IGBT采用了先进的制造工艺和材料技术,确保了器件在应用中的高可靠性。其低传导损耗特性有助于减少能量浪费,提高整体能效。同时,高速开关性能使得设备响应更加迅速,进一步提升了系统的动态性能。

值得一提的是,这款IGBT还具有出色的鲁棒性,能够在极端环境下保持稳定的性能。这一特性有助于提升应用设备在恶劣条件下的稳定性和可靠性,从而延长设备的使用寿命,减少维护成本。

森国科的这款IGBT新品无疑为电力电子应用提供了更加高效、可靠的解决方案,推动了相关领域的持续发展。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • IGBT
    +关注

    关注

    1287

    文章

    4267

    浏览量

    260539
  • 高速开关
    +关注

    关注

    1

    文章

    21

    浏览量

    9299
  • 森国科
    +关注

    关注

    0

    文章

    50

    浏览量

    584
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    深入解析 FGHL50T65MQDTL4:650V、50A 场截止沟槽 IGBT

    在功率半导体领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
    的头像 发表于 12-08 11:35 357次阅读
    深入解析 FGHL50T65MQDTL4:<b class='flag-5'>650V</b>、50<b class='flag-5'>A</b> 场截止沟槽 <b class='flag-5'>IGBT</b>

    650V高压MOS管HKTD7N65的特性和应用

    在工业电源、电机驱动及照明系统等高压应用场景中,功率MOS管的可靠性、能效与成本控制直接决定了终端产品的市场竞争力。合泰电子推出的高压MOS管 HKTD7N65,凭借650V耐压、7A
    的头像 发表于 11-07 17:46 1239次阅读

    龙腾半导体推出四款650V F系列IGBT新品

    随着便携储能、新能源及工业电源应用对高效率、高功率密度需求的不断提升,IGBT作为电力电子系统的核心开关器件,其性能已成为决定整机效能与可靠性的关键因素。为应对市场对高性能功率器件的迫切需求,龙腾半导体正式推出四款650V F系
    的头像 发表于 10-24 14:03 1757次阅读
    龙腾半导体<b class='flag-5'>推出</b>四款<b class='flag-5'>650V</b> F系列<b class='flag-5'>IGBT</b>新品

    龙腾半导体650V 99mΩ超结MOSFET重磅发布

    龙腾半导体最新推出650V/40A/99mΩ超结MOSFET,其内置FRD,适应LLC应用,并适合多管应用,具有更快的开关速度,更低的导通损耗;极低的栅极电荷(Qg),大大提高系统效率和优异的EMI性能。
    的头像 发表于 09-26 17:39 1164次阅读
    龙腾半导体<b class='flag-5'>650V</b> 99mΩ超结MOSFET重磅发布

    推出G1297A单相无刷散热电机驱动芯片

    今日宣布推出G1297A单相无刷散热电机驱动芯片,作为G1287A系列的全新升级产品,G1
    的头像 发表于 09-11 17:00 771次阅读
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>国</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>推出</b>G1297<b class='flag-5'>A</b>单相无刷散热电机驱动芯片

    东芝推出三款最新650V SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出三款650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW027U65C”、“TW048U65C”和“TW083U65C”。这三款产品配备其最新[1
    的头像 发表于 09-01 16:33 1956次阅读
    东芝<b class='flag-5'>推出</b>三款最新<b class='flag-5'>650V</b> SiC MOSFET

    650V/10A SiC二极管的七大封装形态

    第三代半导体碳化硅功率器件领军企业推出的碳化硅二极管 KS10065(650V/10A),
    的头像 发表于 08-16 15:55 2288次阅读
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>国</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>650V</b>/10<b class='flag-5'>A</b> SiC二极管的七大封装形态

    推出2000V SiC分立器件及模块产品

    在如今的科技发展浪潮中,电力电子器件的性能对众多领域的发展至关重要。随着1500V 光储系统的广泛应用,1000V/800V 新能源汽车架构平台的蓬勃发展,高压兆充的快速布局,
    的头像 发表于 08-16 15:44 2933次阅读
    <b class='flag-5'>森</b><b class='flag-5'>国</b><b class='flag-5'>科</b><b class='flag-5'>推出</b>2000<b class='flag-5'>V</b> SiC分立器件及模块产品

    新品 | 650V CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

    新品650VCoolMOS8超结(SJ)MOSFET英飞凌推出全新650VCoolMOS8引领全球高压超结SJMOSFET技术,为行业技术和性价比树立了全球标准。该系列为高功率应用提供了额外的50
    的头像 发表于 07-04 17:09 925次阅读
    新品 | <b class='flag-5'>650V</b> CoolMOS™ 8超结 (SJ) MOSFET

    东芝推出新型650V第3代SiC MOSFET

    东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)宣布,推出四款最新650V碳化硅(SiC)MOSFET——“TW031V65C”、“TW054V65C”、“TW092
    的头像 发表于 05-22 14:51 820次阅读
    东芝<b class='flag-5'>推出</b>新型<b class='flag-5'>650V</b>第3代SiC MOSFET

    微源半导体推出650V半桥栅极驱动芯片LPD2106

    输入逻辑电平。LPD2106具有高可靠性和抗干扰能力,高压耐压达650V,开关节点动态能力支持达50V/ns,瞬态耐压能力达-60V (100ns)。LPD2106集成了完善的保护功能,集成了输入最小
    的头像 发表于 03-08 10:11 1190次阅读
    微源半导体<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>650V</b>半桥栅极驱动芯片LPD2106

    高电流密度IGBT模块LE2 200A/650V介绍

    JL3I200V65RE2PN为650V /200A INPC三电平逆变模块,采用沟槽栅场终止技术IGBT7芯片,带热敏电阻(NTC)和可选 PressFIT压接针脚技术。
    的头像 发表于 01-16 14:16 1056次阅读

    NSG6000 650V单通道半桥栅极驱动芯片介绍

    NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT半桥栅驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能,防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3V的CMOS或LSTTL逻辑输出电平。具有宽VCC范围
    的头像 发表于 01-07 10:58 1474次阅读
    NSG6000 <b class='flag-5'>650V</b>单通道半桥栅极驱动芯片介绍

    芯达茂国产IGBT模块,国产IBGT单管 全系列型号

    )50A 650V TO-247-3L XD060Q065AY1S3应用:电源(UPS/移动储能/光伏逆变)60A 650V TO-247-3L XD075H065CX1S3应用:
    发表于 12-19 15:03

    BCA60A,BCB 60A(TO-3P)单向可控硅手册

    BCA60A,BCB 60A(TO-3P)单向可控硅●产品特征和主要用途BCA60A,BCB 60A(TO-3P)单向可控硅:具有自主知识产权的单面挖槽技术,台面玻璃钝化工艺;背面多层
    发表于 12-16 11:09 1次下载