LMG3624 是一款 650V 170mΩ GaN 功率 FET,适用于开关模式电源应用。LMG3624 通过在 8mm × 5.3mm QFN 封装中集成 GaN FET 和栅极驱动器,简化了设计并减少了元件数量。
可编程导通压摆率可实现 EMI 和振铃控制。与传统的电流检测电阻相比,电流检测仿真可降低功耗,并允许将低侧散热焊盘连接到凉爽的 PCB 电源地。
*附件:LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET.pdf
LMG3624 具有低静态电流和快速启动时间,可满足转换器轻负载效率要求,并实现突发模式运行。保护特性包括欠压锁定 (UVLO)、逐周期电流限制和过热保护。过热保护通过开漏 FLT 引脚报告。
LMG3624特性介绍:
- 650V 170mΩ GaN 功率 FET
- 具有低传播延迟和可调节导通压摆率控制的集成栅极驱动器
- 具有高带宽和高精度的电流检测仿真
- 逐周期过流保护
- 通过 FLT 引脚报告实现过热保护
- AUX 静态电流: 240µA
- AUX 待机静态电流:50µA
- 最大电源和输入逻辑引脚电压:26V
- 带有散热焊盘的 8mm × 5.3mm QFN 封装
LMG3624方框图:
LMG3624基本参数:
LMG3624应用领域:
交流/直流适配器和充电器
• 交流/直流 USB 墙壁插座电源
• 交流/直流辅助电源
• 电视电源
• 移动式壁式充电器设计
• USB 墙壁电源插座
• 辅助电源
• 电视 SMPS 电源
• LED 电源
-
电源
+关注
关注
185文章
18709浏览量
261403 -
ti
+关注
关注
114文章
8054浏览量
218178 -
FET
+关注
关注
3文章
903浏览量
66080 -
GaN
+关注
关注
21文章
2331浏览量
79244 -
集成驱动器
+关注
关注
0文章
44浏览量
5592
发布评论请先 登录
650V 50mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3522R050数据表
650V 50mΩ 具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R050数据表
650V 30mΩ具有集成驱动器、保护和温度报告功能的GaN FET LMG3526R030数据表
具有集成驱动器、保护和温度报告功能的LMG3522R030-Q1 650V 30mΩ GaN FET数据表
TI LMG3624 具有集成式驱动器和电流检测仿真功能的 650V 170mΩ GaN FET技术文档
Texas Instruments LMG3614 650V 170mΩ GaN功率FET数据手册
Texas Instruments LMG3624 650V 170mΩ氮化镓 (GaN) 功率级数据手册

TI LMG3624 具有集成驱动器、保护和电流检测功能的 650V 170mΩ GaN FET
评论