INN650D150A增强功率晶体管GaN
一、一般说明
650V硅上GaN增强模式功率晶体管，英诺赛科INN650D150A采用双扁平无引线封装(DFN),8mmx8mm尺寸
二、特征
超高开关频率
无反向恢复收费
低栅极电荷，低输出电荷
符合JEDEC标准的工业应用
静电防护
ROHS指令不含铅，符合REACH标准
三、应用程序
交流一直流转换器
直流一直流转换器图腾柱PFC
电池快速充电
高密度功率转换
高效率的功率转换
英诺赛科INN650D150A增强功率晶体管GaN
审核编辑 黄宇
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