安世推出支持低压和高压应用的E-mode GAN FET GAN FET

基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia（安世半导体）近日宣布推出首批支持低电压（100/150 V）和高电压（650 V）应用的 E-mode（增强型）功率 GaN FET 。Nexperia（安世半导体）在其级联型氮化镓产品系列上增加了七款新型 E-mode 器件，从 GaN FET 到其他硅基功率器件， Nexperia（安世半导体）丰富的产品组合能为设计人员提供最佳的选择。

Nexperia（安世半导体）的新产品包括五款额定电压为 650 V 的 E-mode GaN FET（RDS(on)值介于 80 mΩ 至 190 mΩ 之间），提供 DFN 5x6 mm 和 DFN 8x8 mm 两种封装。这些产品可在高电压（< 650 V）、低功率的数据通讯/电信、消费类充电、太阳能和工业应用中提高电源转换效率，还可用于高精度无刷直流电机和紧凑型服务器设计，以实现更高扭矩和更大功率。 

Nexperia（安世半导体）现还提供采用 WLCSP8 封装的100 V（3.2 mΩ）GaN FET 和采用 FCLGA 封装的150 V（7 mΩ）GaN FET 。这些器件适合各种低电压（<150 V）、高功率应用，例如，数据中心使用的高效 DC-DC 转换器、快速充电（电动出行类和 USB-C 类）、小尺寸 LiDAR 收发器、低噪声 D 类音频放大器以及功率密度更高的消费类设备（如手机、笔记本电脑和游戏主机）。 

在许多功率转换应用中， GaN FET 凭借紧凑型解决方案尺寸能实现更高的功率效率，从而显著降低物料（BOM）成本。因此， GaN 器件在主流电力电子市场逐渐得到了广泛应用，包括服务器计算、工业自动化、消费类应用和电信基础设施。基于 GaN 的器件具备快速转换/开关能力（高 dv/dt 和 di/dt），可在低功率和高功率转换应用中提供出色的效率。Nexperia（安世半导体）的 E-mode GaN FET 具有出色的开关性能，这得益于极低的 Qg和 QOSS值，并且低 RDS(on)有助于实现更高的功率效率设计。

这些新器件进一步扩充了 Nexperia（安世半导体）丰富的 GaN FET 产品系列，适合各种功率转换的应用。产品组合包括支持高电压、高功率应用的级联器件，支持高电压、低功率应用的 650 V E-mode 器件和支持低电压、高功率应用的 100/150 V E-mode 器件。此外， Nexperia E-mode GaN FET 采用8英寸晶圆生产线制造以提高产能，符合工业级的 JEDEC 标准。Nexperia（安世半导体）的 GaN 器件产品系列不断扩充，充分体现了 Nexperia（安世半导体）坚守承诺，促进优质硅器件和宽禁带技术发展的决心。

审核编辑 黄宇