功率器件
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AI数据中心需求爆发、车用疲软！三大国际功率半导体厂商Q3业绩分化
截止11月12日，国际功率半导体三家大厂陆续发布2025年第三季度财报，英飞凌、意法半导体和安森美。当前功率半导体市场发生了怎样的变化？哪些业务有明显改善？大厂如何看未来的走势？本...
2025-11-13 7309
安森美Q3营收超预期！车用需求疲软，AI电源芯片成业绩增长动力
11月3日，安森美发布2025年会计年度第三季度（截止10月3日）财报，营收达到15.509亿美元，虽较去年同期 17.6 亿美元下滑，但仍优于市场估计的 15.2 亿美元。超出市场预期。主要来源于人工智能...
2025-11-06 12192
analog devices方案：在LTspice仿真中使用GaN FET模型
近年来，工业电源市场对氮化镓(GaN) FET和碳化硅(SiC) FET等高带隙器件的兴趣日益浓厚。GaN器件凭借显著降低的电荷特性，能够在较高开关频率下实现高功率密度，而MOSFET在相同条件下运行时会产...
2025-10-15 10575
超越国际巨头：微碧半导体VBGQTA1101以顶尖TOLT封装重塑功率密度标杆
近日，国内功率半导体领域迎来突破性进展——微碧半导体（VBsemi）正式推出新品VBGQTA1101，采用创新TOLT-16封装。这不仅是中国首款采用顶部散热技术的功率MOSFET，更以"热传导与电流路径解耦...
2025-10-11 7915
面向AI服务器总线 圣邦微电子推出 85V、16 位、带 I²C 接口的高精度功率监控器
圣邦微电子推出面向 AI 服务器总线的功率监控器 SGM838，一款具有报警功能的 85V、16 位、带 I²C 兼容接口的高精度功率监控器。 除 48V AI 服务器外，器件适用范围还包括：企业级服务器、电信设...
2025-09-04 41520
华为海思入局碳化硅！推出1200V工规级SiC单管
电子发烧友网综合报道 最近海思半导体在官网上架了两款工规1200V SiC MOSFET单管产品，ASO1K2H020M1T4和ASO1K2H035M1T4，导通电阻分别为20mΩ和35mΩ。海思表示，两款SiC单管器件凭借优良的导通特性，快...
2025-07-27 2067
纳微车规级第三代“快速”碳化硅MOSFET助力Brightloop打造氢燃料电池充电器
GeneSiC MOSFET技术为燃料电池和重型运输领域的高压大功率‘多变换器’赋予无与伦比的功率密度 日前；纳微半导体宣布与法国知名电力电子制造商——Brightloop达成合作： 纳微的车规级第三代“...
2025-06-16 34859
Nexperia推出行业领先的D2PAK-7封装车规级1200 V碳化硅MOSFET
基础半导体器件领域的高产能生产专家Nexperia（安世半导体）近日宣布推出一系列高效耐用的车规级碳化硅(SiC) MOSFET，其RDS(on)值分别为30、40和60 mΩ。这些器件(NSF030120D7A0-Q/NSF040120D7A1-Q/NSF060120D...
2025-05-09 39874
纳微半导体GaNSafe™氮化镓功率芯片正式通过车规认证
纳微高功率GaNSafe氮化镓功率芯片已达到电动汽车所需的量产表现，可为车载充电机（OBC）和高压转低压的DC-DC变换器解锁前所未有的功率密度和效率表现 加利福尼亚州托伦斯 2025年4月15日讯—...
2025-04-17 3700
意法半导体：推进8英寸SiC战略，引领行业规模化发展
✦ 文章来源：行家说三代半 ✦ 作者：行家说-许若冰 回顾2024年，碳化硅和氮化镓行业在多个领域取得了显著进步，并经历了重要的变化。展望2025年，行业也将面...
2025-04-10 3086
兆易创新与纳微半导体达成战略合作 高算力MCU+第三代功率半导体的数字电源解
今日，兆易创新宣布与纳微半导体正式达成战略合作！双方将强强联合，通过将兆易创新先进的高算力MCU产品和纳微半导体高频、高速、高集成度的氮化镓技术进行优势整合，打造智能、...
2025-04-08 3253
意法半导体与英诺赛科签署氮化镓技术开发与制造协议 借力双方制造产能
❖ 双方签署氮化镓（GaN）技术联合开发协议，致力于为AI数据中心、可再生能源发电与存储、汽车等领域打造面向未来的功率电子技术。 ❖ 英诺赛科可借助意法半导体在欧洲的制造产能，意...
2025-04-01 3170
派恩杰半导体1200V 400A系列半桥62mm封装模块 内置二极管提升高频应用可靠性
派恩杰半导体上新 ；1200V 400A系列半桥62mm封装模块，内置二极管提升高频应用可靠性！...
2025-03-24 3189
第三代功率半导体厂商纳微半导体荣获领益智造“金石供应商”称号
日前，广东领益智造股份有限公司（简称“领益智造”）2025年供应商大会于广东深圳领益大厦成功召开。纳微达斯（无锡）半导体有限公司（简称“纳微半导体”）凭借领先的第三代功率半...
2025-03-14 3348
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案
氮化镓系统 (GaN Systems) E-HEMTs 的EZDriveTM方案...
2025-03-13 4003
东芝TLP5814H 具备增强安全功能的SiC MOSFET栅极驱动光电耦合器
东芝电子元件及存储装置株式会社（“东芝”）宣布，最新推出一款可用于驱动碳化硅（SiC）MOSFET的栅极驱动光电耦合器——“ TLP5814H ”，具备＋6.8 A／–4.8 A的输出电流，采用小型SO8L封装并提...
2025-03-06 3312
三安意法重庆8英寸碳化硅项目正式通线 将在2025年四季度实现批量生产
2月27日，三安光电与意法半导体在重庆合资设立的安意法半导体碳化硅晶圆厂正式通线。预计项目将在2025年四季度实现批量生产，这将成为国内首条8英寸车规级碳化硅功率芯片规模化量产线，...
2025-02-27 3960
CGD 获得3,200万美元融资，以推动在全球功率半导体领域的增长
2025 年 2 月 19 日 英国剑桥 - 氮化镓（GaN）功率器件的领先创新者 Cambridge GaN Devices (CGD) 已成功完成3,200万美元的C轮融资。该投资由一位战略投资者牵头、英国耐心资本参与，并获得了现有投资者...
2025-02-19 327
英飞凌达成200mm碳化硅(SiC)新里程碑：开始交付首批产品
2月18日，英飞凌科技股份公司在200 mm SiC产品路线图上取得重大进展。公司将于2025年第一季度向客户提供首批基于先进的200 mm SiC技术的产品。这些产品在位于奥地利菲拉赫的生产基地制造，将为...
2025-02-18 4059
第四代半导体新进展：4英寸氧化镓单晶导电型掺杂
电子发烧友网综合报道 最近氧化镓领域又有了新的进展。今年1月，镓仁半导体宣布基于自主研发的氧化镓专用晶体生长设备进行工艺优化，采用垂直布里奇曼（VB）法成功实现4英寸氧化镓单晶...
2025-02-17 1163
低降电压变换器如何判断好坏呢
在电子系统设计中，低降电压变换器（Low-Dropout Regulator, LDO）扮演着至关重要的角色。它们能够在输入电压接近输出电压的微小压差下，提供稳定且干净的输出电压，这对于许多精密电子设备而...
2025-01-30 3748
低降电压变换器的作用，降低变压器输出电压的方法
在电力电子领域，低降电压变换器（Low-Voltage Dropout Regulator, LDO）和变压器输出电压的调节是两项至关重要的技术。本文旨在深入探讨低降电压变换器的作用，以及降低变压器输出电压的多种方...
2025-01-30 3832
闻泰科技荣获“2023年中国半导体行业功率器件十强企业”
7月23日至24日，第十八届中国半导体协会半导体分立器件年会暨2024年中国半导体器件技术创新及产业发展论坛在四川成都盛大召开。本次大会期间，闻泰科技凭借在半导体功率器件领域的卓越表...
2024-07-29 6834
利用AgileSwitch® Augmented Switching™ 栅极驱动器对SiC功率模块进行表征
开关SiC MOSFET功率模块会产生两个严重问题：关断电压过冲和振铃。为了优化器件性能，必须要解决这两个问题。我们需要在保持开关效率的同时控制这两个寄生问题。Microchip 的AgileSwitch系列栅...
2024-07-17 7235
PMOS管如何作开关使用
PMOS管常作开关使用，如果负载是较大的容性负载，则在PMOS管开通瞬间，造成前级电源电压跌落。如下面的示例： 图1 PMOS作电源开关，开通瞬间前级电源电压跌落 现象描述： PMOS管打开时，会使...
2024-06-04 11065
钧敏科技三相全桥智能功率模块（IPM）-CS5755MTP/CS5755MTO解读
三相全桥智能功率模块（IPM） CS5755MTP/CS5755MTO 产品概述 CS5755MT 是一款高度集成、高可靠性的三相无刷直流电机驱动电路，主要应用于较低功率电机驱动，如风扇电机。 其内置了6 个快...
2024-05-21 6910
如何选择开关电源的MOSFET
DC/DC 开关控制器的 MOSFET 选择是一个复杂的过程。仅仅考虑 MOSFET 的额定电压和电流并不足以选择到合适的 MOSFET。...
2024-04-25 6768
深度解析TVS关键参数及选型技巧
TVS（Transient Voltage Suppressors），即瞬态电压抑制器，又称雪崩击穿二极管。它是采用半导体工艺制成的单个 PN 结或多个 PN 结集成的器件。...
2024-04-16 5784
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