电子发烧友App

硬声App

0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

电子发烧友网>模拟技术>为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

收藏

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉

评论

查看更多

相关推荐

SemiSouth发布耐压为650V和1700V的SiC制JFET

美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:012494

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:321787

仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943

20A400V二极管替换D94-02/FML4204S

  恢复二极管HFD2020ED(可完全替换D94-02/FML4204S),电压400V,电流20A恢复时间短(25ns),开关速度,高浪涌特性,低开关损耗和电磁干扰,可靠性高。可应用
2020-09-24 16:21:10

300V80A恢复二极管可替换DPG30C400PB

二极管或阻尼二极管使用。起到高频整流、续流、吸收、隔离和箝位的作用。      二极管MUR3040WTG特性  超恢复时间35~60ns  工作结温175℃  标准TO-247封装  600V高电压
2020-09-24 16:19:53

30A/400V二极管STTH30R04特点

  STTH30R04恢复二极管,电压400V,电流30A,TO-220封装,反向恢复时间,降低开关和导通损耗,快速开关,低反向漏电流,结温高。主要应用于开关电源、PWM脉宽调制器、变频器等
2020-09-24 16:18:20

600V碳化硅二极管SIC SBD选型

恢复二极管两种:采用先进的扩铂工艺生产的具有极低反向漏电、极短反向恢复时间和--的抗反向浪涌冲击能力的高可靠性的全系列(200V-1200V)FRD芯片及成品器件;采用SiC材料设计和生产的具有
2019-10-24 14:25:15

650V IGBT采用表面贴装D2PAK封装实现最大功率密度

40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49

650V N-Channel MOSFET

Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02

650V/1200V碳化硅肖特基二极管如何选型

逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。    关断波形图(650V/10A产品)  650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型  
2020-09-24 16:22:14

650V系列IGBT在家用焊机电源应用

0前言家用逆变焊机因其体较小,操作方便,市场接受度逐步提高。因市电220V输入的特点,一般采用600V/650V规格的IGBT作为逆变主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59

6N65-ASEMI的MOS6N65

~150摄氏度。6N65的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)6A,漏源电压650V二极管正向电压(VSD)1.4V,其中有3条引线。 6N65参数描述型号:6N65封装:TO-220特性
2021-10-23 15:17:05

SiC-MOSFET体二极管特性

SiC-MOSFET体二极管的正向特性下图表示SiC-MOSFET的Vds-Id特性。在SiC-MOSFET中,以源极为基准向漏施加负电压,体二极管正向偏置状态。该图中Vgs=0V的绿色曲线基本上表示出体
2018-11-27 16:40:24

SiC-SBD的产品阵容支持车载的650V/1200V、5A~40A

ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在拓展第SiC-SBD,并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17

SiC-SBD的特征以及与Si二极管的比较

10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200VSiC-SBD已经实现量产,1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50

Sic MOSFET SCT30N120 、SCT50N120 功率

、SCT50N120 (Vbr=1200v(SCT*N120),Vbr=650v(SCT*N65G2/G2V)).高温时功率损耗低.高温工作性能(200C).无恢复损耗的体二极管.驱动方便.低栅极充电(SCT*N65G2V)了解更多信息,请关注英特洲电子,QQ584140894
2017-07-27 17:50:07

二极管型号

我的两个二极管的管子上丝印是V6 71,L4 69(插件),这是什么样的二极管呢?我该怎么确定的,告急。
2013-09-03 14:00:20

二极管的资料

大电流二极管贴片的封装SMC或DO-214AB的,反向压降1000V以上,电流6A以上,正向压降小于0.5V.哪位大神知道请相告.
2015-06-18 17:41:40

恢复二极管600V30A二极管性能与应用

  恢复二极管HFD3060H(可完全替换DSEC30-06A),电压600V,电流30A恢复时间短(20ns),开关速度,降低器件的开关损耗和提高电力电子电路的工作频率,在高频电力调节系统
2020-09-24 16:10:01

恢复二极管FMD4206S性能与应用

  恢复二极管FMD4206S,电压600V,电流20A恢复时间50ns,TO-3PF封装。开关速度,低损耗。低漏电流。适用于高频整流的低损耗电源用二极管。常应用于CCM方式PFC;白色家电
2020-09-24 16:11:08

恢复二极管HFD8060P详解

  恢复二极管HFD8060P(可完全替换MUR8060PT/STTH100W06C),电压600V,电流80A,超恢复时间,低漏电流,高浪涌特性,开关特性好,低功耗及射频干扰。可应用于低电压
2020-09-24 16:04:45

恢复二极管与整流二极管能代换使用吗?

承受很高的反向工作电压。恢复二极管的反向恢复时间一般几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。整流二极管整流二极管是一种将交流电能转变为直流电
2023-02-17 14:08:01

恢复二极管与肖特基二极管你用对了吗?

升压等开关电源应用1)如下图是BOOST升压电路,FR154400V/1.5A恢复二极管,起到防止电流倒灌作用2)在RCD等钳位吸收回路应用,如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路
2023-02-16 14:56:38

恢复二极管与肖特基二极管你都用对了吗?

升压等开关电源应用1)如下图是BOOST升压电路,FR154400V/1.5A恢复二极管,起到防止电流倒灌作用2)在RCD等钳位吸收回路应用,如下图D1/UF4007与R1、C2组成吸收回路
2023-02-20 15:22:29

恢复二极管代换原则

、6.2V稳压二极管代换。3.开关二极管的代换开关二极管损坏后,应用同型号的开关二极管更换或用与其主要参数相同的其它型号的开关二极管来代换。高速开关二极管可以代换普通开关二极管,反向击穿电压高的开关二极管可以代换反向击穿电压低的开关二极管恢复二极管规格书下载:
2021-07-07 14:58:27

恢复二极管和肖特基二极管的区别有哪些?

0.4V左右,而整流电流却可达到几千安。所以适合在低电压、大电流的条件下工作,电脑主机电源的输出整流二极管就采用了肖特基二极管恢复二极管规格书下载:
2022-03-31 10:04:12

恢复二极管的原理与特点

正向压降,使管子能承受很高的反向工作电压。恢复二极管的反向恢复时间一般几百纳秒,正向压降约为0.6V,正向电流是几安培至几千安培,反向峰值电压可达几百到几千伏。超恢复二极管的反向恢复电荷进一步减小
2015-11-27 17:55:42

恢复二极管的好坏如何检测?

二极管的好坏。其实恢复二极管的检测方法与塑封硅整流二极管是相同的,即先用Rx1k挡检测一下其单向导电性,一般正向电阻几千欧左右,反向电阻无穷大;再用Rx1挡复测一次,一般正向电阻几欧,反向电阻仍
2021-06-25 17:46:42

ASEMI恢复二极管DH40-18A选型看哪些参数

`编辑-Z不同类型的二极管有不同的特性参数。选用DH40-18A二极管必须了解以下几个主要参数: DH40-18A参数描述型号:DH40-18A封装:TO-247特性:大功率恢复二极管电性参数
2021-07-24 13:48:34

ASEMI恢复二极管SFF806A的压降是多少

:ITO-220AC特性:超恢复二极管电性参数:8A,600V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):8A芯片个数:1正向电压(VF):1.5V芯片尺寸:86 MIL浪涌电流Ifsm:125A漏电流(Ir
2021-09-01 15:56:11

B1D02065K兼容代替SCS302AH IDH02G65C5 650V基本半导体碳化硅肖特基二极管

Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,提高效率,降低解决方案成本,功率密度增加,实现更高的开关频率,减少对散热器
2021-11-09 16:36:57

Basic Semi代理商 B1D02065E 650V2A6.8nC 碳化硅肖特基二极管 附上同系列选型参数表

Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二极管,与传统的硅基器件相比,具有更优越的性能,零开关损耗,极低反向电流 ,无反向恢复电流 ,低电容电荷, 提高效率,降低解决方案
2021-10-27 15:00:42

DK112 5V2A移动电源芯片方案

MOS数字电路设计,并采用E驱动方式驱动双型晶体芯片,以提高高压开关的安全耐压值。内建自供电电路,不需要外部给芯片提供电源,有效的降低外部元件的数量及成本。 DK112 5V2A移动电源芯片
2016-03-11 16:17:53

GeneSiC的1200V SiC肖特基二极管可实现更快的开关瞬变

二极管中观察到的电容恢复特性独立于温度,正向电流水平以及关断dI/dt。在Si技术中,不切实际外延规范将肖特基二极管降级< 600 V的应用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二极管是专门设计的,以尽量减少电容电荷,从而实现更快的开关瞬变。
2023-06-16 11:42:39

PDEOS、ESD防护器件瞬变二极管

故障。在这方面, TVS二极管就非常适用。例如,在击穿电压6.2 V时, ESD5Z5.0T1.G能在几纳秒时间内就对符合IEC61000-4-2标准的高达30 kV的输入电压进行钳位,且钳位电压可
2021-11-02 14:51:31

SFF2004-ASEMI超恢复二极管SFF2004

编辑-ZSFF2004在ITO-220AB封装里采用的2个芯片,其尺寸都是102MIL,是一款超恢复二极管。SFF2004的浪涌电流Ifsm200A,漏电流(Ir)10uA,其工作时耐温度范围
2021-09-02 16:15:09

SFF806A-ASEMI超恢复二极管SFF806A

编辑-ZSFF806A在ITO-220AC封装里采用的1个芯片,是一款超恢复二极管。SFF806A的浪涌电流Ifsm125A,漏电流(Ir)10uA,其工作时耐温度范围-55~150摄氏度
2021-09-15 16:42:02

STPSC4H065B代替品 B1D04065E 650V4A12nC 碳化硅肖特基二极管 新能源电动汽车解决方案

小轻薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD用碳化硅肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上
2021-11-06 09:26:20

TA07N65 650V 7A N沟道 MOS 7N65

`深圳市三佛科技有限公司 供应 ITA07N65650V 7A N沟道 MOS 7N65,原装,库存现货热销ITA07N657A 650V TO-220FN沟道 MOS /场效应
2021-03-24 10:35:56

Truesemi 650V N-Channel 功率MOSFET

;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55

低功耗SiC二极管实现最高功率密度

扩展了其650伏(V) SiC二极管系列,提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系统成本。工程师在设计用于太阳能光伏逆变器、电动车/混和动力电动车(EV / HEV)充电器、电信电源和数据中心电源等
2018-10-29 08:51:19

低电容ESD保护二极管0.3PF 5V

高速信号应用,实现低电容性能。这些低电容ESD保护二极管的储存温度范围-55°C至+150°C。ESD二极管的工作结温150°C,峰值脉冲功率100W,峰值脉冲电流4A。典型应用包括智能手机
2020-05-21 11:01:21

使用Viper12运行超过50-1000V范围的LED

嗨我正在努力设计电路,我试图使用Viper12电路运行3x 24V指标。我把电路设置如下:这个想法是前置电路在650V时引入齐纳二极管,将Viper电路的输入偏移400V,然而,当发生这种情况时,齐
2018-10-10 17:54:04

关于光敏二极管的问题

比如我想用光敏二极管接收650nm的光线,该采用什么类型的光敏二极管呢?最好有型号,封装信息的,这个光敏二极管越小越好!!!
2015-04-29 14:59:32

内置SiC SBD的Hybrid IGBT 在FRD+IGBT的车载充电器案例中 开关损耗降低67%

电子设备和工业设备。目前推出的650V耐压产品包括RGW60TS65CHR(30A)、RGW80TS65CHR(40A)、RGW00TS65CHR(50A)。<内置SiC二极管的IGBT
2022-07-27 10:27:04

创能动力推出碳化硅二极管ACD06PS065G

能动力碳化硅二极管ACD06PS065G已经在倍思120W氮化镓中商用,与纳微GaNFast高频优势组合,高频开关减小磁性元件体积,提高适配器功率密度。创能动力是香港华智科技有限公司孵化出来的公司
2023-02-22 15:27:51

可承受650V电压的DC/DC转换器

。 BM1Pxxx支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM1Pxxx内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48

如何区分硅二极管和锗二极管

电场而具有高击穿电压。例如,商用硅肖特基二极管的电压小于300V,而第一个商用SiC肖特基二极管的击穿电压已达到600V。3)碳化硅具有较高的导热性。4SiC器件可以在更高的温度下工作,而Si器件
2023-02-07 15:59:32

如何选择恢复二极管的封装

(16A400V)只能做一下几种封装:TO-220的铁封和塑封、TO-252。Type封装所属分类MUR1640FCTITO-220AB恢复二极管MUR1640CTTO-220AB恢复二极管
2016-12-14 11:45:54

开关电源为什么需要ASEMI的D92-02恢复二极管

参数描述型号:D92-02封装:TO-247/3P特性:超恢复二极管电性参数:20A,200V芯片材质:抗冲击硅芯片正向电流(Io):20A芯片个数:2正向电压(VF):0.85V芯片尺寸:110
2021-09-09 16:34:24

承受650V电压的实现低功耗的PWM型AC/DC变换器

BM2P033 PWM AC / DC变换器的典型应用电路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)包含电源插座的所有产品提供了最佳系统。 BM2PXX3支持隔离和非隔离器件,可以更简单地设计各种类型的低功耗电气转换器。 BM2PXX3内置高压启动电路,可承受650V电压,有助于实现低功耗
2020-06-05 09:15:07

新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应

本帖最后由 3T华钻电子 于 2020-9-22 17:05 编辑 新洁能原厂 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超结场效应 ,原装正品,优势价格。深圳市华钻电子
2019-12-31 15:08:03

普通硅二极管与肖特基二极管有什么不同

),工艺上多采用掺金措施,结构上有采用PN结型结构,有的采用改进的PIN结构。其正向压降高于普通二极管(1-2V),反向耐压多在1200V以下。从性能上可分为恢复和超恢复两个等级。前者反向恢复时间
2019-06-12 02:34:10

正向0.6V,反向1.9V,是什么二极管

用万用表二极管档量测,一个二极管,正向0.6V,反向1.9V,想问一下这是什么二极管?不用怀疑二极管二极管已经坏掉,因为装有该二极管的产品可以正常使用,拆掉或换其它的二极管,产品无法工作。
2016-04-28 10:47:54

求助,芯片耐压650V做的buck电路够不够用?

650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42

海飞乐技术恢复二极管现货替换DSEP8-12A

`海飞乐技术恢复二极管现货替换DSEP8-12A海飞乐技术目前产品范围包括有:恢复二极管、FRD模块、肖特基二极管、SBD模块、MOS、MOS模块,各种以及宽禁带(WBG)半导体器件,涵盖变频
2019-04-26 10:02:54

用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC

用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31

砷化镓二极管在高性能功率转换中的作用是什么?

的工作点,缓冲功率是二极管电容和Trr的函数。对于本文详述的PSFB,对于500V/20A输出的工作点,分析模型可用于预测二极管电容和Trr的缓冲损耗。这样就可以比较三种二极管类型的行为,如图6所示。图6
2023-02-22 17:13:39

碳化硅(SiC)肖特基二极管的特点

250V左右。对于能够耐受500~600V以上反向电压要求,人们开始使用碳化硅(SiC)制造器件,因为它能够耐受较高的电压。  除此以外的器件参数均相当于或优于硅肖特基二极管。详见表2。  由于SiC器件的成本较高(是同类硅器件的3~5倍),除非性能上要求非用不可,还没有用它来替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03

碳化硅肖特基二极管技术演进解析

。  正向导通压降VF:衡量二极管正向导通性能最重要的参数,对工程师而言,需要更关注VF与Tj的依赖性关系。这里以基本半导体650V 10A TO-220封装碳化硅肖特基二极管例进行说明。  图(5
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二极管的基本特征分析

基于基本半导体碳化硅肖特基二极管1D20065K(650V/20A),电流特性(5A、10A、15A):  硅快速恢复二极管(环境温度25℃)  碳化硅肖特基二极管(环境温度25℃)  硅恢复二极管
2023-02-28 16:34:16

肖特基二极管DFLS260-7 2A60V

`肖特基二极管DFLS260-7, 最大连续正向电流2A, 峰值反向重复电压60V, 表面贴装安装, PowerDI 123封装, 2引脚产品技术参数安装类型表面贴装封装类型PowerDI 123
2020-11-02 10:14:46

肖特基二极管恢复二极管的区别

仅0.4v(0.4--1.0V)左右,而整流电流却可达到几千安。而且反向漏电流较大,耐压低,一般低于150V,多用于低电压场合。恢复二极管是什么?恢复二极管是指反向恢复时间很短的二极管(5us以下
2016-04-19 14:29:35

请帮忙给选型几款二极管、三极管、MOS

NPN:VCE 大于等于7.5VPMOS:VDS大于等于7.5V,ID大于等于4A二极管2:VDZ2 = 10V,500mW二极管1:VDZ1 = 3.6V,500mW
2017-06-09 18:02:35

请问现在使用的二极管都尽量使用快速恢复二极管吗?

我发现现在大家在选型这个二极管的时候,一般都是采用那种恢复的二极管,有些场合明明不需要高速的恢复二极管,但是大家也一样的采用了,看来是不是恢复二极管已经可以通吃整个二极管应用了?
2019-05-16 00:12:23

软特性650V IGBT降低电磁干扰和电压尖峰的优化器件

650V IGBT4的损耗增大引起的RMS模块电流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的开关频率范围内(通用应用的典型范围),其降幅4%至 9%。图44 在600A EconoDUALTM 3 模块中
2018-12-07 10:16:11

面向硬开关和软开关应用并具备耐用体二极管的新一代650V超结器件

摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55

SVF4N65F 充电器650V 4A MOS-svf4n65f典型电路

SVF4N65F 场效应特点■ 4A,650V,RDs(on)(典型值)=2.3Ω @Vcs=10V■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 开关速度■ 提升了dv/dt能力骊微电子供应
2022-03-30 15:29:34

SVF10N65F 650v 10a大功率mos-svf10n65f电路图

SVF10N65F 650v 10a大功率mos特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 开关速度■ 低栅极电荷量■ 低反向传输电容■ 提升
2022-03-30 15:52:04

MSM06065G1美浦森 650V6A碳化硅二极管DFN5*6

*6   电压:650V  电流:6A  碳化硅二极管MSL06065G1,碳化硅二极管,耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作
2023-07-05 15:50:06

MSM06065G1美浦森DFN5*6封装650V6A碳化硅二极管

  电压:650V  电流:6A  碳化硅二极管MSL06065G1,碳化硅二极管,耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作温度范围-
2023-07-05 15:54:11

MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装

深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装,原装,库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20

C6D08065G是一款二极管

650V,8A,-263-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 11:18:14

C6D08065A是一款二极管

650V,8A,到220-2包,第六代离散的斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:51:51

C6D10065Q-TR是一款二极管

650V,10A,QFN包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能(PV
2023-07-26 14:59:31

C6D10065A是一款二极管

650V,10A,到220-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 15:41:25

C6D20065A是一款二极管

650V,20A,到220-2包件,第6代离散斯肖特基二极管沃尔夫斯派特650V碳化硅(SIC)肖特基二极管技术是高性能电力电子应用而优化的,包括服务器电源、电动汽车充电系统、储能系统、太阳能
2023-07-26 16:16:20

最新Z-Rec 650V结型肖特基势垒(JBS) 二极管系列

  Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290

英飞凌创新型650V CoolMOS CFD2高压晶体管

英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:171845

东芝扩大650V碳化硅肖特基势垒二极管产品阵容

东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26731

G2S06504A 650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管

•正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压 650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147

G2S06505A_650V_5A碳化硅肖特基功率二极管

G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:454

G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管

G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E 650V/5A碳化硅肖特基功率二极管 产品特性 • 正温度系数,易于并联使用 •不受温度影响的开关特性 • 最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:454

G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管

G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管 正温度系数,易于并联使用• 不受温度影响的开关特性• 最高工作温度175℃ •零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:190

UnitedSiC在650V产品系列中新增7个SiC FET

碳化硅(SiC)功率半导体制造商UnitedSiC/美商联合碳化硅股份有限公司 宣布,已经为UJ3C(通用型)和UF3C(硬开关型)系列650V SiC FET新增加了7种新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封装组合产品。
2019-05-08 09:04:021767

英飞凌CoolSiC肖特基二极管650V G6的性能分析和应用

CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代,在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697

英飞凌推出650V SiC MOSFET,低压SiC市场竞争激烈

英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268

简述仿真看世界之650V混合SiC单管的开关特性

前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:202349

650V 60mΩ SiC MOSFET高温性能测试对比

650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55615

650V混合SiC单管的开关特性

英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29539

Wolfspeed扩展AEC-Q101车规级SiC MOSFET推出650V E3M系列产品

Wolfspeed 新款车规级 E-系列(E3M)650V、60 mΩ MOSFET 系列帮助设计人员满足 EV 车载充电机应用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技术
2022-11-07 09:59:21917

SiC碳化硅二极管SiC碳化硅肖特基势垒二极管常用规格介绍

SiC碳化硅二极管起步电压为650V,电流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为:KN3D06065F(650V碳化硅二极管,电流6A,贴片
2023-02-21 10:12:241680

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管

Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57300

开关电源设计优质选择 Vishay威世科技第三代650V SiC二极管

Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay  推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

未来智能城市的动力引擎:润新微电子的650V GaN功率晶体管(FET)

功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34695

瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET通过了车规级可靠性认证

3月8日,瞻芯电子开发的3款第二代650V SiC MOSFET产品通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified)。
2024-03-11 09:24:38287

瞻芯电子推出三款第二代650V SiC MOSFET产品

瞻芯电子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET产品,这些产品不仅通过了严格的车规级可靠性认证(AEC-Q101 Qualified),还具备业界领先的低损耗水平。这些新型MOSFET的推出,标志着瞻芯电子在半导体技术领域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

已全部加载完成