美国SemiSouth Laboratories公司发布了耐压为650V和耐压为1700V的SiC制JFET产品,均为常开型功率元件。耐压为650V的产品名称为“SJDA065R055”,导通电阻为55mΩ,漏电流在室温时(25℃)为30A,在
2012-05-21 10:31:01
2900 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA,宣布其进入氮化镓场效应管(GaN)市场。
2019-11-22 15:16:32
2459 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:42
2572 
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET,替代30mR 超结MOSFET或者20-30mR的GaN!
BASiC基本半导体40mR/650V SiC 碳化硅MOSFET
2025-01-22 10:43:28
40 A 650V IGBT,它与IGBT相同额定电流的二极管组合封装到表面贴装TO-263-3(亦称D2PAK)封装中。全新D2PAK封装TRENCHSTOP 5 IGBT可满足电源设备对功率密度
2018-10-23 16:21:49
逆变器等中高功率领域,可显著的减少电路的损耗,提高电路的工作频率。 关断波形图(650V/10A产品) 650V/1200V碳化硅肖特基二极管选型
2020-09-24 16:22:14
~150摄氏度。6N65的电性参数是:连续二极管正向电流(IS)为6A,漏源电压为650V,二极管正向电压(VSD)为1.4V,其中有3条引线。 6N65参数描述型号:6N65封装:TO-220特性
2021-10-23 15:17:05
ROHM努力推进最适合处理高耐压与大电流电路使用SiC(碳化硅)材料的SBD(肖特基势垒二极管)。2010年在日本国内率先开始SiC SBD的量产,目前正在拓展第二代SiC-SBD,并推动在包括车载
2018-12-04 10:09:17
10倍的绝缘击穿场强,所以不仅能保持实际应用特性且可耐高压。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已经实现量产,1700V产品正在开发中。SiC-SBD和Si-PN结二极管通过Si二极管来应对
2018-11-29 14:35:50
产品架构与核心特性
1. 高压耐受与负压免疫
650V开关节点耐压 +50V/ns dv/dt抗扰 :应对电机反电动势和MOSFET开关尖峰
-7V VS负压承受 :消除体二极管导通导致的负压击穿
2025-06-25 08:34:07
小轻薄,小尺寸,大能量B1D04065E PD快充用碳化硅肖特基二极管。特性:⚫极低反向电流⚫ 无反向恢复电流⚫ 温度无关开关⚫ VF上的正温度系数⚫ 卓越的浪涌电流能力⚫ 低电容电荷优势:⚫基本上
2021-11-06 09:26:20
;TSD5N60MTruesemi 其它相关产品请 点击此处 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低栅极电荷(典型值为16nC)快速切换经过100%雪崩测试改进的dv/dt功能主要参数:应用:高效开关模式电源,基于半桥拓扑的有源功率因数校正`
2020-04-30 15:13:55
650V耐压的buck电路够不够用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC变换器应用的新型650V GaNFast半桥IC(氮化镓)
2023-06-19 07:57:31
)
XD040Y120AB1S3(1200V 40A应用:快充/OBC/PCS/BMS/充电桩,电机控制)
XD006Y065AB1L2 (650V 6A应用:快充/OBC/PCS/BMS/充电桩,电机控制
2024-12-19 15:03:24
650V IGBT4的损耗增大引起的RMS模块电流降低的幅度很小。在2kHz至10kHz的开关频率范围内(通用应用的典型范围),其降幅为4%至 9%。图4图4 在600A EconoDUALTM 3 模块中
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS™ 650V CFD2技术为具备高性能体二极管的高压功率MOSFET树立了行业新杆标。该晶体管将650V的击穿电压、超低通态电阻、低容性损耗特性与改进反向恢复过程中的体二极管
2018-12-03 13:43:55
650nm红光镭射二极管
2009-11-11 16:16:06
20 *6 电压:650V 电流:6A 碳化硅二极管MSL06065G1,碳化硅二极管,耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作
2023-07-05 15:50:06
电压:650V 电流:6A 碳化硅二极管MSL06065G1,碳化硅二极管,耐压650V,150℃连续正向电流6A,工作温度范围-
2023-07-05 15:54:11
深圳市三佛科技有限公司供应MSM06065G1碳化硅二极管,耐压650V 6A DFN5*6封装,原装,库存现货热销 美浦森推出的碳化硅二极管具有更高的过电压安全裕量,可提升全负载条件下
2023-07-05 16:00:20
Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 结型肖特基势垒 (JBS) 二极管系列,以满足最新数据中心电源系统要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:37
1526 (1)可用特性相同,参数指标不低于原件的二极管代用。比如可用Ru2(650V、1A、1.5v)代用$5295J(650V、1A、1.5V)、RG2(400V、1.5A、1.5v)代用S5295G(400V、1A、1.5V)。
2011-01-28 17:43:27
31868 
英飞凌目前正推出另一项重要的创新型高压CoolMOS MOSFET。这种全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具备650V漏源电压并集成快速体二极管的高压晶体管。
2011-02-16 09:11:17
2280 英飞凌科技股份有限公司扩展其车用功率半导体系列产品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。这是业界首创整合高速本体二极体技术的超接面 MOSFET 解决方案,符合最高的汽车认证标準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:02
1772 东芝公司旗下的半导体&存储产品公司今天宣布,该公司将通过添加TO-220F-2L绝缘封装产品扩大其650V碳化硅(SiC)肖特基势垒二极管(SBD)系列产品。四款新产品将扩大现有TO-220-2L封装产品的6A、8A、10A和12A阵容。量产出货即日启动。
2014-06-09 10:33:26
975 
FRED Pt® Gen 4 Ultrafast快恢复二极管,这些器件适用于电源模块、电机驱动、UPS、太阳能逆变器、焊机逆变器里的高频转换器。
2015-06-02 15:10:53
1320 ---SiHx21N65EF、SiHx28N65EF和SiHG33N65EF,扩大其快速体二极管N沟道功率MOSFET产品组合。
2016-05-12 14:01:14
924 •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 3A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 CSD01060A C3D02060A C3D03060A
2016-06-06 15:09:14
9 •正温度系数,易于并联使用•不受温度影响的开关特性•最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
650V 4A 碳化硅肖特基功率二极管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:14
7 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 TO-220
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二极管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二极管
产品特性
•
正温度系数,易于并联使用
•不受温度影响的开关特性
•
最高工作温度175℃•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-17 15:42:45
4 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二极管
正温度系数,易于并联使用•
不受温度影响的开关特性•
最高工作温度175℃
•零反向恢复电流• 零正向恢复电压
2016-06-23 17:56:19
0 CoolSiC肖特基二极管650V G6系列是英飞凌不断提高技术和流程的结果,让碳化硅肖特基二极管的设计和开发更具价格优势,性能一代更比一代强。因此,G6是英飞凌最具有性价比的CooSiC肖特基二极管的一代,在同等价格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:52
4926 
英飞凌宣布推出650V SiC MOSFET,标志着公司进一步增强了在低压SiC领域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:50
5544 2020年7月4日 华润微电子(CR MICRO)正式向市场投入1200V 和650V 工业级SiC肖特基二极管功率器件产品系列,与此同时宣布国内首条6英寸商用SiC晶圆生产线正式量产。 华润微电子
2020-07-04 22:28:50
8397 森国科针对大功率快充推出了两款碳化硅二极管,赋能高功率密度快充产品。该两款产品型号为:KS06065(650V/6A)、KS10065(650V/10A),KS06065提供TO-252-2、PDFN3*3、PDFN5*6、PDFN8*8共4种封装。
2021-03-10 16:24:21
3243 前言背景: 英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管
2021-03-26 16:40:20
3459 
工业级650V、10A SiC肖特基二极管样品现已开始供货。还将计划推出1200V/6-20A电流范围部件和车规级部件。
2021-11-05 16:18:34
1116 
650V 60mΩ SiC MOSFET主要应用市场包括光伏和储能、驱动、电动汽车及充电桩、UPS、电源等。据HIS报告,电动汽车充电市场的增长将非常强劲,高达59%。
2022-08-02 15:06:55
1515 
英飞凌最近推出了系列650V混合SiC单管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD续流二极管,取代了传统Si的Rapid1快速续流二极管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),进一步优化了系统效率、性能与成本之间的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29
1160 
产品组合包含 DIODES DSCxxA065 系列,共有十一项 650V 额定电压 (4A、6A、8A 和 10A) 的产品,以及 DIODES DSCxx120 系列,共有八款 1200V 额定电压 (2A、5A 和 10A) 产品。
2023-02-16 12:09:03
1185 SiC碳化硅二极管起步电压为650V,电流6A到10A,主要用于UPS、快充、微逆、电源、电动工具、消费类产品、工控。碳化硅二极管料号为:KN3D06065F(650V碳化硅二极管,电流6A,贴片
2023-02-21 10:12:24
4172 
Nexperia | 用于汽车和工业的650V超快恢复整流管
2023-05-24 12:16:57
1193 Vishay 新型第三代 650V SiC 二极管 器件采用 MPS 结构设计 额定电流 4 A~ 40 A 正向压降、电容电荷和反向漏电流低 Vishay 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02
1596 
功率晶体管与标准门极驱动器兼容,方便集成到现有系统中。 优秀的性能:具备出色的功率损耗特性,显著降低能量损失,提高系统效率。 无需自由轮二极管:由于650V GaN功率晶体管的特性,无需额外添加自由轮二极管,简化了系统设计。 低开关损耗:采用先进的GaN技术,650V GaN功率晶体管具有较低
2023-06-12 16:38:34
2034 基础半导体器件领域的高产能生产专家 Nexperia(安世半导体)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二极管,主要面向需要超高性能、低损耗和高效功率的电源应用。10 A、650 V
2023-09-22 09:25:32
840 电子发烧友网站提供《SLP12N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:06:57
0 电子发烧友网站提供《SLP10N65C美浦森高压MOSFET 650V 12A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:12:25
0 电子发烧友网站提供《SLP8N65C美浦森高压MOSFET 650V 7.5A.pdf》资料免费下载
2022-04-29 14:30:15
1 供应40A、650V新能源绝缘栅双极型晶体管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-08-01 16:18:47
3 供应SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士兰微超结MOS关键参数,更多产品手册、应用料资请向士兰微mos代理骊微电子申请。>>
2022-11-02 15:17:06
2 电子发烧友网站提供《PSC1065H:DPAK R2P中的650 V、10 A SiC肖特基二极管产品介绍.pdf》资料免费下载
2023-12-19 16:06:24
0 英飞凌科技股份公司近日发布了全新的650V软特性发射极控制高速二极管EC7。这款二极管采用TO247-2封装,具有2个引脚,不仅增加了安规距离,提高了可靠性,而且适用于多种应用场景。
2024-02-01 10:50:02
1808 本次推出的产品主要为50A 650V TO-247封装IGBT单管;
2024-03-15 14:26:07
46430 
电子发烧友网站提供《650V 6A沟槽和场阻IGBT JJT6N65ST数据表.pdf》资料免费下载
2024-04-08 16:35:25
3 电子发烧友网站提供《650V 10A沟槽和场阻IGBT JJT10N65SC资料文档.pdf》资料免费下载
2024-04-08 17:15:31
1 电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:08:18
0 电子发烧友网站提供《650V 40A沟槽和场阻IGBT JJT40N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:10:36
0 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:49:43
0 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:52:38
1 电子发烧友网站提供《650V 50A沟槽和场阻IGBT JJT50N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:53:39
0 电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:56:15
1 电子发烧友网站提供《650V 60A沟槽和场阻IGBT JJT60N65UH数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 17:57:22
1 电子发烧友网站提供《650V 75A沟槽和场阻IGBT JJT75N65HE数据手册.pdf》资料免费下载
2024-04-10 18:01:09
0 2024年7月10日,半导体行业的领军企业Nexperia隆重推出了两款专为高压环境设计的650V超快速恢复整流二极管,这些产品采用了独特的D2 PAK真双引脚(R2P)封装技术,旨在广泛应用于工业及消费领域,如充电适配器、光伏(PV)系统、逆变器、数据中心服务器以及开关模式电源(SMPS)等。
2024-07-11 15:02:01
11753 Nexperia(安世半导体)近日推出了采用D2PAK真双引脚 (R2P) 封装的650V两种超快速恢复整流二极管,可用于各种工业和消费应用,包括充电适配器、光伏 (PV)、逆变器、服务器和开关模式
2024-07-11 16:10:11
1291 在半导体技术的持续创新浪潮中,Nexperia再次站在了行业的前沿,隆重推出了两款专为高压环境精心设计的650V超快速恢复整流二极管。这两款产品不仅代表了Nexperia在高压半导体元件领域的深厚积累,也预示着工业及消费领域将迎来更高效、更可靠的电力转换解决方案。
2024-07-12 15:20:43
1381 :2ED2388S06F产品特点工作电压(相对于VS)高达+650V负VS瞬态抗扰度为100V集成超快、低电阻自举二极管90ns传播延迟最大电源电压为25V应用价值集成自举
2024-07-27 08:14:36
869 
电子发烧友网站提供《STPSC12C065-Y汽车650V功率肖特基碳化硅二极管规格书.pdf》资料免费下载
2024-09-05 11:36:56
0 森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59
898 森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:13
1162 
SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装,但通过确保足够的爬电距离,可减轻采取特殊绝缘对策(灌
2024-12-19 09:43:18
1316 
650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:43
1780 
P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58
844 
P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准,无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15
792 
P3D06002T2 是一款耐压 650V 的 SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101、RoHS标准,无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30
888 
P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO-220-2 封装,符合 AEC-Q101 标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流
2025-02-25 17:03:23
871 
P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,符合 AEC - Q101 标准,采用 TO - 252 - 2封装。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 17:23:30
763 
:SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作
2025-02-25 17:44:07
773 
P6D06004T2 为 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS
2025-02-25 18:13:42
813 
P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向
2025-02-26 16:54:52
783 
的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超快开关速度 零反向恢复电流
2025-02-26 17:07:13
727 
P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220F - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:25:48
806 
P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式为 TO - 263 - 2。具备超快速
2025-02-26 17:40:46
774 
P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式为 TO - 252 - 2。具备超快速
2025-02-26 18:01:16
854 
40 A至240 A双二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35
763 
P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。封装形式为 TO - 220 - 2,具备超快速
2025-02-27 17:11:28
678 
P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220I - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS 标准。封装形式为 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44
805 
P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220F - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06
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P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数
2025-02-27 18:25:13
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P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48
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P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装。该产品通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正
2025-02-28 17:21:08
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P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15
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:SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-263-2 封装 超快速
2025-02-28 18:21:04
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PI的超快速Qspeed H系列二极管现可达到650V以及高达30A的电压电流额定值。这些高功率器件具有业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)。它们是碳化硅(SiC)二极管的理想替代品,可提供与其相当的效率和电压降额性能,同时具有硅二极管的价格优势和供应保证。
2025-03-27 13:46:55
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Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合,推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管
2025-05-12 16:06:34
900 第三代半导体碳化硅功率器件领军企业森国科推出的碳化硅二极管 KS10065(650V/10A),针对不同场景的散热、空间及绝缘要求,提供7种封装形态,灵活覆盖车规、工业电源、消费电子三大领域。通过
2025-08-16 15:55:44
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在功率半导体领域,IGBT(绝缘栅双极型晶体管)一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
2025-12-08 11:35:35
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