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电子发烧友网>模拟技术>为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

为快充而生的650V/4A & 650V/6A SiC二极管

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2024-09-05 11:36:560

森国科推出650V/60A IGBT

森国科近期推出的650V/60A IGBT(型号:KG060N065LD-R),凭借其业界领先的低传导损耗和高速开关性能,在电力电子领域引起了广泛关注。
2024-10-17 15:41:59898

森国科650V/6A IGBT的性能特点

森国科推出的650V/6A IGBT(型号:KG006N065SD-B)在风扇、泵和吸尘器等家电领域的应用上做到了高效电机驱动和精准控制。
2024-11-13 16:36:131162

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)SiC肖特基势垒二极管介绍

SCS2xxAN(650V)和SCS2xxKN(1,200V)是采用小型表贴封装、实现了宽爬电距离的SiC肖特基势垒二极管。虽为小型表贴封装,但通过确保足够的爬电距离,可减轻采取特殊绝缘对策(灌
2024-12-19 09:43:181316

为什么650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件?

650V SiC碳化硅MOSFET全面取代超结MOSFET和高压GaN氮化镓器件
2025-01-23 16:27:431780

SiC SBD-P3D06002E2 650V SiC 肖特基二极管特性

P3D06002E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 14:18:58844

SiC SBD-P3D06002G2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

P3D06002G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准,无卤且符合RoHS标准。产品具备超快速开关、零反向恢复
2025-02-25 15:44:15792

SiC SBD-P3D06002T2 650V SiC 肖特基二极管数据手册

P3D06002T2 是一款耐压 650VSiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101、RoHS标准,无卤。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频
2025-02-25 16:01:30888

SiC SBD-P3D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06004T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO-220-2 封装,符合 AEC-Q101 标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流
2025-02-25 17:03:23871

SiC SBD-P3D06004E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06004E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,符合 AEC - Q101 标准,采用 TO - 252 - 2封装。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压具有正温度
2025-02-25 17:23:30763

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

SiC SBD-P3D06004G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超开关速度 零反向恢复电流 适用于高频操作
2025-02-25 17:44:07773

SiC SBD-P6D06004T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P6D06004T2 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2封装。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作、正向电压正温度系数、高浪涌电流、100% 经过 UIS
2025-02-25 18:13:42813

SiC SBD-P3D06006T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、高频操作、正向
2025-02-26 16:54:52783

SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

的电源转换需求。 *附件:SiC SBD-P3D06006I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 符合 AEC-Q101 标准 超开关速度 零反向恢复电流
2025-02-26 17:07:13727

SiC SBD-P3D06006F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220F - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具有超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-26 17:25:48806

SiC SBD-P3D06006G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式 TO - 263 - 2。具备超快速
2025-02-26 17:40:46774

SiC SBD-P3D06006E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06006E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和RoHS标准。封装形式 TO - 252 - 2。具备超快速
2025-02-26 18:01:16854

Vishay推出多款采用工业标准SOT-227封装的650 V和1200 V SiC肖特基二极管,提升高频应用效率

40 A至240 A二极管和单相桥式器件正向压降低至1.36 V,QC仅为56 nC 威世科技宣布,推出16款采用工业标准SOT-227封装的新型650 V和1200 V 碳化硅(SiC)肖特基
2025-02-27 12:49:35763

SiC SBD-P3D06008T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装,符合 AEC - Q101 标准和 RoHS标准。封装形式 TO - 220 - 2,具备超快速
2025-02-27 17:11:28678

SiC SBD-P3D06008I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220I - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS 标准。封装形式 TO - 220I - 2,具有超
2025-02-27 17:32:44805

SiC SBD-P3D06008F2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008F2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220F - 2 封装,符合 AEC - Q101 和 RoHS标准。具备超快速开关、零反向恢复电流、适用于高频操作
2025-02-27 17:59:06715

SiC SBD-P3D06008G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008G2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 263 - 2 封装,符合 AEC - Q101标准,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正温度系数
2025-02-27 18:25:13833

SiC SBD-P3D06008E2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06008E2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 252 - 2 封装。通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:12:48792

SiC SBD-P3D06010T2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06010T2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO - 220 - 2 封装。该产品通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压具有正
2025-02-28 17:21:08851

SiC SBD-P3D06010I2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

P3D06010I2 是一款 650V SiC 肖特基二极管,采用 TO-220I - 2 封装。通过 AEC - Q101认证,具备超快速开关、零反向恢复电流、可高频运行、正向电压正温度系数、高
2025-02-28 17:52:15813

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册

SiC SBD-P3D06010G2 650V 碳化硅肖特基二极管数据手册.pdf 特性 通过 AEC-Q101 认证 TO-263-2 封装 超快速
2025-02-28 18:21:04900

PI超快速Qspeed H系列二极管可替代碳化硅元件

PI的超快速Qspeed H系列二极管现可达到650V以及高达30A的电压电流额定值。这些高功率器件具有业界最低的硅二极管反向恢复电荷(Qrr)。它们是碳化硅(SiC)二极管的理想替代品,可提供与其相当的效率和电压降额性能,同时具有硅二极管的价格优势和供应保证。
2025-03-27 13:46:55864

Diodes公司推出五款高性能650V碳化硅肖特基二极管

Diodes 公司 (Diodes) (Nasdaq:DIOD) 宣布扩大碳化硅 (SiC) 产品组合,推出五款高性能、低品质因数 (FoM) 的 650V 碳化硅肖特基二极管
2025-05-12 16:06:34900

森国科650V/10A SiC二极管的七大封装形态

第三代半导体碳化硅功率器件领军企业森国科推出的碳化硅二极管 KS10065(650V/10A),针对不同场景的散热、空间及绝缘要求,提供7种封装形态,灵活覆盖车规、工业电源、消费电子三大领域。通过
2025-08-16 15:55:442377

深入解析 FGHL50T65MQDTL4650V、50A 场截止沟槽 IGBT

在功率半导体领域,IGBT(绝缘栅双型晶体)一直扮演着至关重要的角色。今天要给大家详细介绍的是安森美(onsemi)的一款 650V、50A 的场截止沟槽 IGBT
2025-12-08 11:35:351611

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