0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

新品 | 650V高速半桥栅极驱动器2ED2388S06F

英飞凌工业半导体 2024-07-27 08:14 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

新品

650V高速半桥栅极驱动器

2ED2388S06F

348d2048-4bad-11ef-817b-92fbcf53809c.png

650V高速半桥栅极驱动器,具有典型的0.29A源电流和0.7A灌电流,采用DSO-8封装,用于驱动功率MOSFETIGBT

产品型号:

2ED2388S06F

产品特点

工作电压(相对于VS)高达+650V

负VS瞬态抗扰度为100V

集成超快、低电阻自举二极管

90ns传播延迟

最大电源电压为25V

应用价值

集成自举二极管--节省空间,降低BOM成本,更小的PCB,更简单的设计,更低的成本

电平转移损耗降低50%

出色的坚固性和抗噪性,可抵御VS引脚上的瞬态负电压

应用领域

物联网互联智能照明

家用电器

LED照明系统设计

电机控制和驱动器

智能建筑

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • 二极管
    +关注

    关注

    149

    文章

    10316

    浏览量

    176565
  • MOSFET
    +关注

    关注

    150

    文章

    9447

    浏览量

    229805
  • 驱动器
    +关注

    关注

    54

    文章

    9025

    浏览量

    153433
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    ‌基于onsemi FAD8253MX-1栅极驱动器的技术深度解析

    onsemi FAD8253MX-1栅极驱动器IC是一款单片式器件,专为高压、高速驱动、工作
    的头像 发表于 11-25 16:50 457次阅读
    ‌基于onsemi FAD8253MX-1<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>的技术深度解析

    STDRIVEG611栅极驱动器技术解析与应用指南

    STMicroelectronics STDRIVEG611栅极驱动器是用于N沟道增强模式GaN的高压
    的头像 发表于 10-16 17:42 546次阅读
    STDRIVEG611<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>技术解析与应用指南

    LMG2656 650V、230mΩ GaN ,集成驱动器、保护和电流检测数据手册

    该LMG2656是650V 230mΩ GaN功率FET。该LMG2656通过在6mm x 8mm QFN封装中集成功率FET、
    的头像 发表于 08-06 16:40 841次阅读
    LMG2656 <b class='flag-5'>650V</b>、230mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,集成<b class='flag-5'>驱动器</b>、保护和电流检测数据手册

    KP85302SGA 650V集成自举二极管的栅极驱动器核心设计

    场景稳定工作 死区时间控制复杂 硬件互锁+自动死区插入 避免MCU死区计算错误导致直通 典型应用场景 •功率 MOSFET 驱动器 •电机驱动应用,家电 •照明,LED 电源 •感应加热 •DC-AC 转换 #KP85302
    发表于 06-25 08:34

    新品 | EiceDRIVER™ 650 V +/- 4 A高压侧栅极驱动器 1ED21x7 系列

    新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1
    的头像 发表于 05-21 17:07 553次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | EiceDRIVER™ <b class='flag-5'>650</b> <b class='flag-5'>V</b> +/- 4 A高压侧<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b> 1<b class='flag-5'>ED</b>21x7 系列

    新品 | 6.5A,5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiC MOSFET电路

    新品6.5A,5.7kVRMS单通道带隔离电源的栅极驱动器评估板——SiCMOSFET电路该评估板用于评估
    的头像 发表于 04-15 17:03 881次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | 6.5A,5.7kVRMS单通道带隔离电源的<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>评估板——SiC MOSFET<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>电路

    新品 | EiceDRIVER™ 650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列

    新品EiceDRIVER650V+/-4A高压侧栅极驱动器1ED21x7系列英飞凌的新一代EiceDRIVER1
    的头像 发表于 03-18 17:04 822次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | EiceDRIVER™ <b class='flag-5'>650V</b>+/-4A高压侧<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>1<b class='flag-5'>ED</b>21x7系列

    微源半导体推出650V栅极驱动芯片LPD2106

    LPD2106是一款高耐压的栅极驱动芯片,具有0.3A拉电流和1.0A灌电流能力,专用于驱动N沟道MOSFET或IGBT组成的
    的头像 发表于 03-08 10:11 1193次阅读
    微源半导体推出<b class='flag-5'>650V</b><b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b>芯片LPD2106

    新品 | EVAL-2ED3146MC12L – 带辅助电源的6.5A双通道隔离栅极驱动器评估板

    新品EVAL-2ED3146MC12L–带辅助电源的6.5A双通道隔离栅极驱动器评估板EVAL-2ED3146MC12L评估板用于评估功率
    的头像 发表于 03-05 17:07 1012次阅读
    <b class='flag-5'>新品</b> | EVAL-<b class='flag-5'>2ED</b>3146MC12L – 带辅助电源的6.5A双通道隔离<b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动器</b>评估板

    技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 650V 170/248mΩ GaN ,具有集成驱动器、保护和电流感应功能

    LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET ,适用于开关模式电源应用中的 75W 有源钳位反激式 (ACF) 转换
    的头像 发表于 02-24 15:07 923次阅读
    技术资料#LMG2610 用于 ACF 的 <b class='flag-5'>650V</b> 170/248mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,具有集成<b class='flag-5'>驱动器</b>、保护和电流感应功能

    技术资料#LMG2650 650V 95mΩ GaN ,集成驱动器、保护和电流感应

    LMG2650 是一个 650V 95mΩ GaN 功率 FET 。该LMG2650通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成
    的头像 发表于 02-24 09:37 760次阅读
    技术资料#LMG2650 <b class='flag-5'>650V</b> 95mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,集成<b class='flag-5'>驱动器</b>、保护和电流感应

    LMG2640 650V 105mΩ GaN ,集成驱动器、保护和电流感应概述

    LMG2640 是一款 650V GaN 功率 FET ,适用于开关模式电源应用。该LMG2640通过在 9mm x 7mm QFN 封装中集成
    的头像 发表于 02-21 14:14 758次阅读
    LMG2640 <b class='flag-5'>650V</b> 105mΩ GaN <b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,集成<b class='flag-5'>驱动器</b>、保护和电流感应概述

    LMG2652 650V、140mΩ GaN,集成驱动器、保护和电流感应概述

    LMG2652 是一个 650V 140mΩ GaN 功率 FET 。该LMG2652通过在 6mm x 8mm QFN 封装中集成
    的头像 发表于 02-21 10:46 731次阅读
    LMG2652 <b class='flag-5'>650V</b>、140mΩ GaN<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b>,集成<b class='flag-5'>驱动器</b>、保护和电流感应概述

    TI LMG2610用于有源钳位反激式转换的集成 650V GaN 技术文档

    LMG2610 是一款 650V GaN 功率 FET ,适用于 开关模式电源应用中 < 75W 的有源钳位反激式 (ACF) 转换。LMG2610 通过在 9mm x 7mm
    的头像 发表于 02-20 16:04 731次阅读

    NSG6000 650V单通道栅极驱动芯片介绍

    NSG6000是650V电压功率MOSFET和IGBT驱动器。自带死区保护、高低侧互锁功能,防止高低侧直通。具有较强的VS负偏压、负过冲耐受能力。输入电平兼容低至3.3
    的头像 发表于 01-07 10:58 1478次阅读
    NSG6000 <b class='flag-5'>650V</b>单通道<b class='flag-5'>半</b><b class='flag-5'>桥</b><b class='flag-5'>栅极</b><b class='flag-5'>驱动</b>芯片介绍