Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 存储器大厂美光（Micron）昨（20）日召开法说会，执行长Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未来12个月，NAND市场产能供给增加的幅度有限，但需求十分强劲，几乎可用贪婪的需求（insatiable demand）来形容，因此对下半年NAND市场抱持乐观正面看法。
2013-06-21 11:07:091147 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 256Gb 3D V-NAND闪存芯片。目前备受瞩目的三星48层V-NAND 3D快闪存储器已经出现在市场上了，TechInsights的拆解团队总算等到了大好机会先睹为快。
2016-07-13 10:32:437470 三星作为全球首家量产3D NAND Flash的厂商的风光并没有太久，日前东芝也研究出64层3D Flash，这样的追赶速度让人惊叹。有消息显示，英特可能暂缓扩建大连厂，而是通过直接收购美光科技扩大芯片领域实力。索尼PlayStation VR国行版来袭，红米Pro三个版本还有什么发布会没说的细节？
2016-07-28 09:44:261235 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 据海外媒体报道，传三星电子于2017~2018年，将大举追加投资西安3D NAND Flash厂，业界人士预估共将投资约5兆韩元(约43.5亿美元)，以迎接存储器市场史上最大需求热潮。
2017-02-07 07:50:011519 3D NAND Flash。中国已吹响进军3D NAND Flash冲锋号，若能整合好跨领域人才和技术，中国3D NAND Flash有望弯道超车。
2017-02-07 17:34:129182 
美国内存大厂美光（Micron）合并华亚科技后，中国台湾地区成为美光的 DRAM 生产基地，内部设定以超越三星为目标，并全力冲刺 DRAM 和 3D NAND Flash 先进制程脚步，去年及今年
2017-02-13 11:44:261043 据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。
2017-02-27 09:21:371739 
借由此案进入3D NAND代工，更说服东芝在台湾设厂生产，此举目的是击破三星电子长期来以存储器利润补贴逻辑亏损的策略，一报大客户高通（Qualcomm）被抢之仇。
2017-03-02 07:51:24844 根据外资的报告指出，NAND Flash 的产能问题，2017 年三星、美光、东芝/西数、SK Hynix 都会在下半年量产 64 层，以及 72 层堆栈的 3D NAND Flash 的情况下，原本预计产能会有大幅度提升。
2017-05-24 10:39:121519 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 11月12日消息今日，美光科技宣布已批量出货全球首款176层3D NAND闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。这款176层NAND产品采用美光第五代3D NAND技术和第二代替换栅极架构。
2020-11-13 09:40:163599 全球市场研究机构TrendForce集邦咨询最新调查显示，2020年第四季NAND Flash产业营收为141亿美元，季减2.9%。该季度全球前六大NAND FLASH品牌厂商分别为三星电子、铠侠、西部数据、SK海力士、美光与英特尔。
2021-03-04 11:01:508664 利润率达20%，超越三星的18%，三星的摇钱树获利能力下降，恐影响其在晶圆代工等领域的投资能力；不仅如此，美光已经超车三星，抢先量产176层的NAND flash。 长期以来，南韩总统文在寅对美中采取两头讨好策略，正当美国开始组队重建半导体等产业供
2021-05-24 14:23:471488 MAX3232EUE+T的比例从62%上升到了80%。 日本东芝第二季度NAND闪存产品销售额环比下降9.5个百分点。相比之下，美光科技公司NAND闪存芯片的销售在整个供货商中获得了强劲增长。同样，美光与三星都因东芝
2012-09-24 17:03:43
主动快门3D眼镜（崭新的）生化危机4 3D蓝光50G原盘准备好一切后，下面就来将三星SA950与3D蓝光播放机连接起来，这里需要使用HDMI进行连接，然后在显示器3D菜单设置里将“帧连续”模式功能打开
2011-08-20 14:30:01
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
韩国三星电子日前宣布，位于中国陕西省西安市的半导体新工厂已正式投产。该工厂采用最尖端的3D技术，生产用于服务器等的NAND闪存（V-NAND）。三星电子希望在IT（信息技术）设备生产基地聚集的中国
2014-05-14 15:27:09
Insights资料显示，2017年全球半导体顶尖大厂的研发投资，以英特尔的130.98亿美元排名第一，成长3%，但占营收比重竟然高达21.2%；这个数字也是三星、东芝、高通、博通的总和。高通为
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
`听说三星已搞定石墨烯电池，能量密度提升45%，充电快5倍比起OPPO的快充，你怎么看？（其实不得不服三星的技术）顺便发个三星S9大合照！`
2017-11-29 16:33:10
生产出像素尺寸为0.2的图像传感器。”该分析师表示。“但在他讲话后不到一周，美光就宣布能够生产0.17的像素尺寸。” 实际上，美光的竞争对手三星电子是美光的最大图像传感器客户之一。三星也销售图像传感器。他说：“我们的消息暗示，美光在一个月以前获得了三星的几项design win。”:
2018-11-20 16:03:30
步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
，由于智慧型手机大量普及，企业资本支出长，三星电子计划将资本支出增加一倍来到18兆韩元。分析师预估，今年主要半导体业者记忆体的扩产幅度达六成，Durcan认为，各产品需求面相当强劲，目前美光产能无法满足
2022-01-21 08:28:38
量产，竞争对手三星电子(Samsung Electronics)和海力士(Hynix)亦不甘示弱推出27奈米、26奈米制程技术；美光NAND Flash营销总监Kevin Killbuck指出，随着内嵌式
2022-01-22 08:05:39
NAND只需要提高堆栈层数，目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND，到现在层数已经迈进200+层，并即将进入300+层阶段。目前，三星/西部数据
2024-12-17 17:34:06
专业收购三星ddr帝欧电子高价回收三星ddr，长期求购三星ddr，带板的也收，大量收购！！！帝欧赵生***QQ1816233102/879821252邮箱dealic@163.com。求购三星（K9
2021-10-26 19:13:52
华为三星苹果高通的差异买IP做集成不宜包装为掌握核心科技
2021-01-28 07:21:57
回收三星ic 收购三星ic《 字库回收，实力回收三星原装字库，收购三星字库价格高！同时还回收拆机字库，优势收购原装字库》●●帝欧 【赵先生 ***微信同步 QQ：1714434248】收购三星字库
2021-08-20 19:11:25
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年
2021-07-13 06:38:27
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
强敌三星。一直以来，NAND FLASH的晶圆芯片都是由三星、东芝/闪迪、美光、SK海力士5家大厂“垄断”，占据整个市场的70%份额；只要他们又任何的产能的调整和市场策略变化，都直接影响到市场特别是
2016-07-29 15:42:37
三星电子在2010年的时候告密导致鸿海集团(富士康)子公司奇美电子被罚三亿欧元,郭总裁当时痛斥三星电子为”专打小报告的小人”,同时他也表示一定会从韩国人的手裡把这个钱给赚回来,时隔多年,郭总裁收购
2016-12-18 01:18:05
NAND Flash SLC MLC技术分析什么是SLC？
SLC英文全称(Single Level Cell——SLC)即单层式储存 。主要由三星、海力士、美光、东芝等使用。
S
2008-07-17 10:07:272102 苹果NAND Flash减单 三星、新帝策略转向
由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单，加上原本三星电子(Samsung Electronics)供应NAND Flash数量相当有限，12月供应量控制亦开始
2009-11-28 15:59:33568 美光科技公司(MicronTechnology)与英特尔公司近日宣布试制成功了基于行业领先的50纳米(nil])制程技术的NAND闪存，这兑现了它们对快速提升技术领先曲线的承诺。样品通
2010-05-30 11:08:09890 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 TrendForce旗下内存储存事业处DRAMeXchange最新调查显示，受惠于智能型手机需求强劲，及供给端2D-NAND 转进3D-NAND 所导致的整体产出减少，2016年第三季NAND Flash开始涨价，使得NAND Flash原厂营收季成长19.6%，营业利益率也较上季大幅进步。
2016-12-08 11:31:15829 
三星、SK海力士、东芝、西数、美光和英特尔在将生产线从2D-NAND转至3D-NAND之后，产能和价格上涨问题将获得部分缓解。三星位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂近日已基本完成，预计将在今年7月份开始正式运营。
2017-04-13 15:21:544243 
2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 目前全球存储市场韩企张巨龙大量的份额，紫光集团欲想抢占更多的市场份额必将要与三星，sk海力士，美光等巨头进行较量。据悉长江存储科技正在迅速开发3D NAND快闪记忆体，叫板三星。中国新贵记忆体企业要想与之较量专利战在所难免？
2017-12-19 11:48:072402 
美光（Micron Technology）不妙，和三星电子（Samsung Electronics）之间的科技差距日益拉大，毛利率将受冲击？ Barronˋs 15 日引述野村证券报告称，分析师
2018-06-18 14:47:006064 近日，美光与英特尔宣布NAND Flash合作伙伴关系即将终止，据悉是因为96层3D-NAND不符合目前的市场，要形成主流起码要到2019年。
2018-01-15 13:58:351329 三星电子(Samsung Electronics)3D NAND生产比重，传已在2017年第4季突破80%，三星计划除了部分车用产品外，2018年将进一步提升3D NAND生产比重至90%以上，全面进入3D NAND时代。
2018-07-06 07:02:001447 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 三星电子内存解决方案的需求，随着内存的增加而飙升。目前三星正迅速转向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半导体是拉动三星营收和利润的关键，三星正在转向一家半导体和系统公司。
2018-02-07 14:41:521318 
在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2018-06-11 12:01:001319 NAND 存储器制程转换遭遇瓶颈，采用3D堆叠技术为主要解决方案。3D产能目前三星投产率、良率最高，其 64 层 3D-NAND 三季度已进入量产阶段，3D产出占投产量达 50%，其他厂商亦在Q3
2018-05-06 07:05:0010664 
在正在举行的国际存储研讨会2018（IMW 2018）上，应用材料公司Sean Kang介绍了未来几年3D-NAND的发展线路图，到了2021年，3D-NAND的堆叠层数会超过140层，而且每一层的厚度会不断的变薄。
2018-06-18 09:46:004188 
据外媒7月10日报道，顶级NAND闪存芯片制造商三星宣布已开始大规模生产其第五代V-NAND闪存芯片。
2018-07-13 14:22:054460 半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工，该工厂将致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。
2018-08-05 11:53:421631 上周，美光系与英特尔推出了64层3D QLC NAND，由于采用的QLC（4bits/cell）架构相较于TLC（3bits/cell）容量更大，使得单颗Die容量可高达1Tb，备受市场高度关注
2018-08-22 16:25:462599 随着Flash各家原厂纷纷升级到64层3D NAND技术量产256Gb或512Gb单颗Die，以及提高新工厂的产出量，2018年三星将全面向3D NAND普及，美光预计2018年全球NAND
2018-08-22 16:53:432050 3D NAND Flash 作为新一代的存储产品，受到了业内的高度关注！但目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也
2018-10-08 15:52:39780 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443814 2018年原厂不断扩大64层/72层3D NAND产出量，三星、东芝/西部数据、美光/英特尔等3D NAND.
2018-10-14 09:22:4111564 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294 先前反垄断局针对DRAM三大业者，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展开反垄断嫌疑调查，据悉最近调查已告一段落，调查与开罚的理由，也从原先的DRAM价格垄断转至NAND Flash捆绑销售。
2018-12-29 09:22:514036 集邦科技旗下研究机构DRAMeXchange指出，JEDEC Task group中的一些主要成员如：三星 （Samsung）、诺基亚（Nokia）、美光（Micron）、高通（Qualcomm
2019-03-05 15:11:241493 
三星上季大砍NAND Flash和DRAM报价后，NAND Flash价格接近亏损边缘，决定本季起不再降价。
2019-05-08 08:47:554026 的减缓生产速度——少切点晶圆，慢建新产线。下半年开始NAND Flash价格明显止跌，近期三星、SK海力士、美光等原厂又再次掀起了新一轮的军备竞赛，一些新的工厂开始正式纳入规划或者即将投入运营，这将给NAND Flash产业带来什么变化？又是否是中国的机遇？
2019-10-12 10:01:221136 美光宣布，已经完成第四代3D NAND闪存的首次流片，应用了全新的替换栅极(RG)架构，并计划在明年投入量产。
2019-10-14 16:04:321180 三星电子计划将其NAND闪存价格提高10％，原因是日本政府对半导体材料出口限制导致生产中断的担忧日益增加。美光科技等其他公司也可能效仿。
2019-11-18 15:37:411013 今天，集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)发布了第三季度的全球NAND Flash品牌厂商最新营收排名出炉，三星排名第一，铠侠第二。
2019-11-25 15:05:492954 根据AnandTech的报道，三星计划投资数十亿美元扩大其在中国西安的3D NAND生产设施。
2019-12-18 10:38:203458 根据2020年二季度Nand Flash市场排名，三星占据31%，处于领先地位，紧跟其后的是铠侠，占比达17%。排名第三、第四、第五、分别是西数、美光、SK海力士。以下是DRAMeXchange
2020-11-04 14:17:5917671 据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:593477 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 在3D闪存技术上，作为全球闪存最大厂商的三星一直是领先的，堆栈层数也是最多的，不过美光日前率先推出了176层堆栈的 3D闪存，进度比三星要快。 根据美光的说法，176层闪存其实是基于两个88层叠
2020-11-14 10:01:202368 市场对更高密度、更大容量存储的需求，推动了V-NAND层数的增加，三星采用3D缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求，更好地提供差异化产品和解决方案，有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379 * 三星第8代V-NAND具有目前三星同类产品中最高的存储密度，可更高效地为企业扩展存储空间 深圳2020年11月8日 /美通社/ -- 作为全球化的半导体企业，正如在2022年度闪存峰会
2022-11-08 13:37:361624 三星采用 3D 缩放（3D scaling）技术，减少表面积并降低高度，同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术，三星显著的提升每片晶圆的存储密度，使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847 存储单元中，电荷的存储层可以是浮栅或氮化硅电荷俘获层(Charge-Trapping Layer, CTL)。三维CTL垂直沟道型NAND 闪存(3D NAND 或 V-NAND)基于无结型 (Junctionless， JL)薄膜场效应晶体管(TFT)，具有更好的可靠性。
2023-02-03 09:16:5717470 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 业界认为，三星电子的减产可能会带来3d nand价格上涨的效果，从而可能会改变nor、slc nand的购买战略。美国外国人认为，slc nand和nore产品第四季度不会上调价格。
2023-09-11 11:35:042024 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。
2023-11-13 15:47:511090 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；
2024-01-03 10:46:211562 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 Micron Technology, Inc.（美光科技股份有限公司，纳斯达克股票代码：MU）近日宣布，三星 Galaxy S24 系列的部分设备已搭载美光低功耗 LPDDR5X 内存和 UFS 4.0 移动闪存存储，为全球手机用户带来强大的人工智能（AI）体验。
2024-03-15 16:59:211061 在近日举行的IEEE IMW 2024活动上，三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑：三星已与其他公司合作，成功研发出16层3D DRAM技术。同时，他透露，竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398 AI技术的蓬勃发展正以前所未有的速度推动着存储器产业的飞跃，其中，海量数据的激增对存储容量与性能提出了更高要求，使得NAND Flash技术的重要性日益凸显。在此背景下，全球存储巨头如三星和铠侠，在深耕DRAM市场的同时，也持续加大对NAND Flash技术的投入与创新。
2024-07-05 15:39:371592 三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划，决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建，转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器（HBM）的生产上。这一战略调整反映了三星对当前市场需求的精准把握与未来技术趋势的深刻洞察。
2024-09-19 17:23:331652 传统平面NAND闪存技术的扩展性已达到极限。为了解决这一问题，3D-NAND闪存技术应运而生，通过在垂直方向上堆叠存储单元，大幅提升了存储密度。本文将简要介绍3D-NAND浮栅晶体管。
2024-11-06 18:09:084179 
近期，NAND Flash市场再次迎来重要变动。据媒体报道，继铠侠、美光相继宣布减产后，市场又传出三星、SK海力士两大韩厂也将减产消费级NAND Flash的消息。这标志着首次有韩国厂商加入减产行列
2025-01-07 14:04:06835 电子发烧友网报道（文/李弯弯）2月17日，据供应链消息，美光将NAND Flash合约价格上调25%，而几日前，西部数据也发布了NAND Flash的涨价通知。 同时三星正在面临罢工威胁，芯片产
2022-02-18 07:48:163991 2030年实现1000层堆叠的3D NAND存储器。 3D NAND似乎已经成为各大存储企业竞相追逐的“工业明珠”，包括三星、海力士、美光、铠侠、长江存储等都在这一领域投入大量资源，而比拼的就是堆叠层数。 3D NAND 为何如此重要？ 随着数字化信息的爆炸性增长，对对存储容量的需求也在
2024-06-29 00:03:008061
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