0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

DRAM价格垄断调查转至NAND Flash捆绑销售

MZjJ_DIGITIMES 来源:cg 2018-12-29 09:22 次阅读

先前反垄断局针对DRAM三大业者,三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展开反垄断嫌疑调查,据悉最近调查已告一段落,调查与开罚的理由,也从原先的DRAM价格垄断转至NAND Flash捆绑销售。

据了解,国内相关单位对三大DRAM业者并非以垄断DRAM价格,而是以NAND Flash捆绑销售嫌疑进行调查,认定三大业者向华为等国内手机业者出货DRAM的同时,强迫其购买一定数量的NAND Flash。国内传将对业者课征数十亿美元罚金,但可提出协商。

2018年5月起,反垄断局针对三星、SK海力士及美光等三家业者展开反垄断行为调查,主因在于国内手机业者不满DRAM供给不足,且价格持续上升。11月中旬,反垄断局对外表示,针对三星、SK海力士及美光的反垄断调查取得重大进展,掌握大量证据。

其实早在2017年底——2018年初,相关单位亦传出曾找三星高层,表达应对DRAM价格上升自制、优先供货DRAM予国内业者,以及中断对国内半导体企业的专利诉讼。

业界多认为,调查与开罚的理由,从原先的DRAM价格垄断转至NAND Flash捆绑销售,其实也可能与当前市场情势有关。

2000年之后逐渐确立三星、SK海力士及美光三巨头寡占局面,如以2018年第3季为基准,三家业者合计市占率高达95%,两大韩国业者三星、SK海力士,合计市占率更是超过70%以上。

反观NAND Flash市场,目前由三星、东芝(Toshiba)、威腾(WD)、英特尔(Intel)、美光及SK海力士等众业者占据,主要业者皆积极增设3D NAND产能,预料不出几年后,将有1~2家业者退出市场,由于NAND Flash价格不断下滑,为了在竞争激烈的市场中确保市占率,DRAM业者也因此祭出了捆绑销售策略。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1543

    浏览量

    134791
  • 存储器
    +关注

    关注

    38

    文章

    7148

    浏览量

    161985

原文标题:【IC制造】传存储器垄断调查转至NAND Flash捆绑销售

文章出处:【微信号:DIGITIMES,微信公众号:DIGITIMES】欢迎添加关注!文章转载请注明出处。

收藏 人收藏

    评论

    相关推荐

    什么是NANDFlash 存储器?

    的局面。紧接着,1989年,东芝公司发表了 NAND Flash 结构,后者的单元电路尺寸几乎只是 NOR 器件的一半,可以在给定的芯片尺寸内提供更高的容量,也就相应地降低了价格。 1.NAN
    的头像 发表于 03-01 17:08 215次阅读
    什么是<b class='flag-5'>NAND</b> 型 <b class='flag-5'>Flash</b> 存储器?

    DRAM芯片销售大幅增长,全年销售额预计增长46% 

    搬运自集微网此前的报道得知,自今年起DRAM存储芯片价格呈现明显涨势,且中国客户已接受这种情况。预计2024年度,需求复苏的PC制造商和智能手机制造商会引领NAND Flash
    的头像 发表于 02-23 15:49 281次阅读
    <b class='flag-5'>DRAM</b>芯片<b class='flag-5'>销售</b>大幅增长,全年<b class='flag-5'>销售</b>额预计增长46% 

    2024年第一季度NAND Flash合同价格预计将上涨15%-20%

    供应商为了尽量减少损失,正在推高NAND Flash价格
    的头像 发表于 01-10 10:02 314次阅读
    2024年第一季度<b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>合同<b class='flag-5'>价格</b>预计将上涨15%-20%

    DRAM价格飙升,三星和美光计划Q1涨幅高达20%

    根据最新的存储器模组行业消息,随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升,三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格
    的头像 发表于 01-03 18:14 903次阅读

    三星与美光拟提DRAM价格,以求盈利回暖

    部分存储模组厂已接到三星通知,要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上,且该通知并未涉及NAND闪存定价,故预计后者将会持续上涨。DRAM价格
    的头像 发表于 01-03 10:46 586次阅读

    dramnand的区别

    dramnand的区别  DRAMNAND是两种不同类型的存储器。DRAM(Dynamic Random Access Memory)是
    的头像 发表于 12-08 10:32 4909次阅读

    NAND Flash和NOR Flash的区别

    NAND Flash和NOR Flash是两种常见的闪存类型。
    的头像 发表于 11-30 13:53 926次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>和NOR <b class='flag-5'>Flash</b>的区别

    NAND Flash四季度涨幅预计10%以上

    三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低,计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约
    的头像 发表于 10-10 17:15 854次阅读

    NAND FLASH与NOR FLASH的技术对比

    目前,NOR FLASHNAND FLASH是市场上主要的非易失性闪存技术,但是据我了解,还是有很多工程师分不清NAND FLASH与NO
    发表于 10-01 14:05 538次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>FLASH</b>与NOR <b class='flag-5'>FLASH</b>的技术对比

    NAND Flash 原理深度解析(下)

    在上一篇文章中为大家介绍了NAND Flash的工作原理和自身的特性(点击查看 ),本次文章将继续为大家带来关于NAND Flash的内容。 一、N
    的头像 发表于 09-22 18:10 839次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b> 原理深度解析(下)

    DRAM芯片价格有望随NAND温和上涨

    据消息人士透露,nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹,到目前为止已经上涨了10%以上。他表示:“nand价格上涨将为dram
    的头像 发表于 09-20 10:19 537次阅读

    NAND Flash和NOR Flash的差别

    NAND Flash 和NOR Flash 的差别在哪儿呢?从字面意思上看, NAND = not AND(与非),NOR = not OR(或非),也有可能是NMOS AND/OR
    发表于 09-11 16:59 2269次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>和NOR <b class='flag-5'>Flash</b>的差别

    NAND Flash第四季价格有望止跌回升,最高上涨5%

    业内人士说:“nand闪存价格将比dram快反弹”,“nand闪存供应商们的赤字继续扩大,因此销售价格正在接近生产成本,供应商们为了维持运营
    的头像 发表于 09-11 14:56 542次阅读
    <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>第四季<b class='flag-5'>价格</b>有望止跌回升,最高上涨5%

    2Q23 NAND Flash/DRAM市场营收排名出炉

    mobile收入增长及DDR5、HBM等出货扩大的推动下,SK海力士的NAND FlashDRAM收入分别实现26.4%和48.9%的环比增长
    发表于 09-05 16:13 341次阅读
    2Q23 <b class='flag-5'>NAND</b> <b class='flag-5'>Flash</b>/<b class='flag-5'>DRAM</b>市场营收排名出炉

    单板硬件设计:存储器( NAND FLASH)

    ,降低了成本。 flash 分为 nor flashnand flash: nor flash 数据线和地址线分开,可以实现ram一样
    发表于 05-19 15:59