三星调整晶圆代工策略，聚焦NAND Flash与HBM
三星电子近期调整了其晶圆代工产能扩充计划，决定暂缓平泽P4工厂的进一步扩建，转而将重心放在NAND Flash与高频宽存储器（HBM）的生产上。这一战略调整反映了三星对当前市场需求的精准把握与未来技术趋势的深刻洞察。
据悉，三星已暂停平泽P4工厂第二期晶圆代工生产线的建设，而NAND Flash的P4一期产线则即将投产，三期产线也在紧锣密鼓地建设中，预计中秋节后将进入设备安装阶段。此举不仅彰显了三星在NAND Flash领域的持续投入与领先地位，也为其在HBM等高端存储市场的布局奠定了坚实基础。
同时，业界还传出消息，三星位于美国德州泰勒的晶圆代工工厂设备投资计划也将推迟一个季度，进一步体现了三星在产能布局上的谨慎态度与灵活应变能力。
声明：本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人，不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用，如有内容侵权或者其他违规问题，请联系本站处理。
举报投诉
-
NAND
+关注
关注
16文章
1748浏览量
140461 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15891浏览量
182882 -
晶圆代工
+关注
关注
6文章
872浏览量
49667 -
HBM
+关注
关注
2文章
426浏览量
15702
发布评论请先 登录
相关推荐
热点推荐
Cadence扩大与三星晶圆代工厂的合作
楷登电子（美国 Cadence 公司，NASDAQ：CDNS）近日宣布扩大与三星晶圆代工厂的合作，包括签署一项新的多年期 IP 协议，在三星
三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在
发表于 04-18 10:52
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Sa
千亿美元打水漂，传三星取消1.4nm晶圆代工工艺
电子发烧友网综合报道 据多方消息来源推测，三星电子可能取消原计划于 2027 年量产的 1.4nm（FS1.4）晶圆代工工艺。三星在 “Sa
三星与英伟达高层会晤，商讨HBM3E供应
近期，三星电子设备解决方案(DS)部门负责人兼副董事长全永铉(Jun Young-hyun)与英伟达公司CEO黄仁勋，在加利福尼亚州桑尼维尔的英伟达总部举行了一次重要会议。此次会议聚焦于三星电子改进
三星调整1cnm DRAM设计，力保HBM4量产
据韩国媒体报道，三星电子正面临其第六代1cnm DRAM的良品率挑战，为确保HBM4内存的顺利量产，公司决定对设计进行重大调整。
三星晶圆代工部门2025年资本支出减半
据外媒报道，三星计划在2025年对其晶圆代工部门进行大规模的投资削减。据悉，该部门的设备投资预算将从2024年的10万亿韩元锐减至5万亿韩元，削减幅度高达50%。
三星大幅削减2025年晶圆代工投资
，相较于2024年的10万亿韩元投资规模，这一数字出现了大幅下降。这一决策的背后，反映了三星电子在当前市场环境下的战略调整。 回顾过去几年，三星晶圆
三星2025年晶圆代工投资减半
近日，据最新报道，三星计划在2025年大幅削减其晶圆代工部门的投资规模，设备投资预算将从2024年的10万亿韩元锐减至5万亿韩元，削减幅度高达50%。 此次投资削减主要集中在韩国的两大
被台积电拒绝代工，三星芯片制造突围的关键在先进封装？
进制程工艺的良率，而这恰恰是三星在先进制程方面的最大痛点。 据悉，三星System LSI部门已经改变了此前晶圆代工独自研发的发展路线，转而
三星电子削减NAND闪存产量
价格将出现暴跌。在这样的市场环境下，三星电子面临着巨大的压力，难以维持过去那种压倒性的生产力。 据报道，SK海力士正在积极增加NAND闪存的供应规模，这无疑加剧了市场竞争。面对如此激烈的竞争环境，三星电子不得不重新审视自身的生产
三星削减中国西安NAND闪存产量应对市场变化
近日，三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施，以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道，三星决定将该工厂的
工商网监
评论