0
  • 聊天消息
  • 系统消息
  • 评论与回复
登录后你可以
  • 下载海量资料
  • 学习在线课程
  • 观看技术视频
  • 写文章/发帖/加入社区
会员中心
创作中心

完善资料让更多小伙伴认识你,还能领取20积分哦,立即完善>

3天内不再提示

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

CHANBAEK 来源:网络整理 2024-02-01 10:35 次阅读
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。

GDDR7是三星推出的一款高速存储器产品,其速度高达37 Gbps,相比现有的GDDR6X,速度提升了50%以上。这款产品将为高性能计算、人工智能和游戏等领域提供更快的存储和数据处理能力。

此外,三星还将展示其280层堆叠的3D QLC NAND技术。这种技术有望成为迄今为止储存资料密度最高的新型3D QLC NAND闪存技术。相比传统的2D NAND闪存技术,3D QLC NAND技术具有更高的存储密度和更快的读写速度,能够提供更高的性能和更大的容量。

三星的这些技术展示将进一步巩固其在存储器市场的领先地位,并为未来的技术发展奠定基础。随着人工智能、云计算和大数据等领域的快速发展,对高性能存储器的需求不断增加,三星的技术创新将为这些领域的发展提供有力支持。

声明:本文内容及配图由入驻作者撰写或者入驻合作网站授权转载。文章观点仅代表作者本人,不代表电子发烧友网立场。文章及其配图仅供工程师学习之用,如有内容侵权或者其他违规问题,请联系本站处理。 举报投诉
  • NAND
    +关注

    关注

    16

    文章

    1747

    浏览量

    140430
  • 存储器
    +关注

    关注

    39

    文章

    7714

    浏览量

    170802
  • 三星
    +关注

    关注

    1

    文章

    1737

    浏览量

    33685
收藏 人收藏
加入交流群
微信小助手二维码

扫码添加小助手

加入工程师交流群

    评论

    相关推荐
    热点推荐

    Socionext推出3D芯片堆叠与5.5D封装技术

    3D及5.5D的先进封装技术组合与强大的SoC设计能力,Socionext提供高性能、高品质的解决方案,助力客户实现创新并推动其业务增长。
    的头像 发表于 09-24 11:09 2161次阅读
    Socionext<b class='flag-5'>推出</b><b class='flag-5'>3D</b>芯片<b class='flag-5'>堆叠</b>与5.5<b class='flag-5'>D</b>封装<b class='flag-5'>技术</b>

    iTOF技术,多样化的3D视觉应用

    视觉传感器对于机器信息获取至关重要,正在从二维(2D)发展到维(3D),在某些方面模仿并超越人类的视觉能力,从而推动创新应用。3D 视觉解决方案大致分为立体视觉、结构光和飞行时间 (
    发表于 09-05 07:24

    突破堆叠瓶颈:三星电子拟于16HBM导入混合键合技术

    成为了全球存储芯片巨头们角逐的焦点。三星电子作为行业的领军企业,一直致力于推动 HBM 技术的革新。近日有消息传出,三星电子准备从 16 HBM 开始引入混合键合
    的头像 发表于 07-24 17:31 504次阅读
    突破<b class='flag-5'>堆叠</b>瓶颈:<b class='flag-5'>三星</b>电子拟于16<b class='flag-5'>层</b>HBM导入混合键合<b class='flag-5'>技术</b>

    半导体存储芯片核心解析

    (FTL,磨损均衡,纠错等),存在读写干扰问题。 结构演进: 平面 NAND:传统二维结构,工艺微缩遇到瓶颈。 3D NAND存储单元垂直堆叠
    发表于 06-24 09:09

    三星在4nm逻辑芯片上实现40%以上的测试良率

    三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折, 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HB
    发表于 04-18 10:52

    三星西安NAND闪存工厂将建第九代产线

    近日,据韩媒报道,三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功制程从第六代V-NAND(即136
    的头像 发表于 02-14 13:43 1020次阅读

    SD NAND、SPI NAND 和 Raw NAND 的定义与比较

    NAND闪存介质为主的一种存储产品,应用于笔记本电脑、台式电脑、移动终端、服务器和数据中心等场合.   NAND闪存类型   按照每个单元可以存储的位数,可以
    发表于 01-15 18:15

    三星电子削减NAND闪存产量

    近日,三星电子已做出决定,减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND
    的头像 发表于 01-14 14:21 802次阅读

    2.5D3D封装技术介绍

    。 2.5D封装die拉近,并通过硅中介连接。3D封装实际上采用2.5D封装,进一步垂直堆叠die,使die之间的连接更短。通过这种方式直
    的头像 发表于 01-14 10:41 2604次阅读
    2.5<b class='flag-5'>D</b>和<b class='flag-5'>3D</b>封装<b class='flag-5'>技术</b>介绍

    消息称三星正为苹果iPhone开发三层堆叠式相机传感器

    传感器供应链。据爆料人士透露,三星正在研发一种三层堆叠式传感器,据称性能优于索尼的 Exmor RS 系列。 此前,知名分析师郭明錤曾预测,三星将从 iPhone 18 开始为苹果供应
    的头像 发表于 01-03 19:49 1356次阅读
    消息称<b class='flag-5'>三星</b>正为苹果iPhone开发<b class='flag-5'>三层</b><b class='flag-5'>堆叠</b>式相机传感器

    SK海力士如何以设计创新实现GDDR7速度新巅峰

    挑战传统,打破限制,勇攀高峰,打破常规者们在寻求开创性解决方案的过程中重塑规则。继SK海力士品牌短片《谁是打破常规者》播出后,推出一系列文章,展示公司在重塑技术、重新定义行业标准方面采取的各种“打破常规”的创新举措。本系列第六
    的头像 发表于 12-27 14:25 1192次阅读

    三星GDDR7显存技术驱动图形处理新时代

    从粗糙的像素点阵到精妙的光线追踪技术,从平面的2D视界跃升至栩栩如生的3D世界,计算机图形技术持续飞跃,赋予我们前所未有的震撼视觉盛宴。这一壮丽图景的幕后推手,正是卓越的图形处理能力。
    的头像 发表于 12-26 13:43 1066次阅读

    uvled光固化3d打印技术

    说到UVLED光固化3D打印技术,那可是当下3D打印领域的一股清流啊!这项技术利用紫外线和光固化树脂来制造3D打印模型,原理简单又高效。UV
    的头像 发表于 12-24 13:13 1165次阅读
    uvled光固化<b class='flag-5'>3d</b>打印<b class='flag-5'>技术</b>

    3D NAND的发展方向是500到1000

    芯片行业正在努力在未来几年内 3D NAND 闪存的堆栈高度提高四倍,从 200 增加到 800 或更多,利用额外的容量将有助于满足对
    的头像 发表于 12-19 11:00 1314次阅读
    <b class='flag-5'>3D</b> <b class='flag-5'>NAND</b>的发展方向是500到1000<b class='flag-5'>层</b>

    【半导体存储】关于NAND Flash的一些小知识

    NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24SLC/MLC 3D V-
    发表于 12-17 17:34