三星计划NAND闪存价格谈判欲涨价15%

DRAM价格飙升，三星和美光计划Q1涨幅高达20%

根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格

发表于 01-03 18:14 •903次阅读

三星计划NAND闪存芯片每个季度涨价20%

三星采取此举的目的很明确，希望通过此举逆转整个闪存市场，稳定NAND闪存价格，并实现明年上半年逆转市场等目标。

发表于 11-03 17:21 •1278次阅读

三星NAND拟进一步涨价，明年一、二季度将逐季调涨20%

这是国内半导体业界多名消息人士透露的。据悉，三星继本季度将nand闪存价格上调10%至20%后，还决定明年第1、2季度也按季度上调

发表于 11-03 12:22 •1091次阅读

三星闪存每个季度都要涨价20％

在此之前，三星、sk海力士、美光、皮协因需求严重疲软而采取了大规模减产措施，三星也在今年4月公布了闪存第一次减产计划后延长了减产计划。

发表于 11-03 12:14 •579次阅读

三星喊NAND季季涨价20% 幅度超预期有利群联、威刚等运营

　据多名半导体业界消息人士称，三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后，决定明年第一季度和第二季度也分别上调

发表于 11-02 10:35 •559次阅读

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存

三星24年生产第9代V-NAND闪存 SK海力士25年量产三层堆栈架构321层NAND闪存存储领域的竞争愈加激烈，

发表于 08-21 18:30 •319次阅读

三星计划暂停平泽工厂部分NAND闪存生产

三星已经减少了主要nand闪存生产基地的晶圆投入额。这就是韩国的平泽、华城和中国的西安。业内人士认为，三星的nand

发表于 08-16 10:23 •455次阅读

三星或提高512Gb NAND闪存晶圆报价涨幅为15%

据《电子时报》报道，三星提出的512gb nand闪存晶片单价为1.60美元，比2023年初的1.40美元约上涨15%。但消息人士表示，由于上下na

发表于 08-02 11:56 •790次阅读

三星：2030年3D NAND将进入1000层以上

　三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层

发表于 07-04 17:03 •1858次阅读

今日看点丨三星酝酿 NAND 存储晶圆涨价；台积电先进封测六厂正式启用

1. 消息称三星酝酿 NAND 存储晶圆涨价，报价渐趋强硬据报道，三星计划提高 NAND

发表于 06-09 12:01 •1125次阅读

MLCC龙头涨价；车厂砍单芯片；台积电28nm设备订单全部取消！

的裸片面积上实现相同的功能，从而实现了外设和存储的更高集成度，新产品预计第四季度全面上市。行业风向【三星将减产NAND闪存产能5%，西安厂为重点】据韩媒报道，三星将在第二季度将

发表于 05-10 10:54

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三星计划NAND闪存价格谈判欲涨价15%—20%

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减产有成效，Q4三星NAND Flash要涨价10%，加速存储市场反弹

三星即将量产290层V-NAND闪存

三星拟将这类芯片涨价20%！

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