三星和铠侠持续加大对NAND Flash技术的投入与创新

AI技术的蓬勃发展正以前所未有的速度推动着存储器产业的飞跃，其中，海量数据的激增对存储容量与性能提出了更高要求，使得NAND Flash技术的重要性日益凸显。在此背景下，全球存储巨头如三星和铠侠，在深耕DRAM市场的同时，也持续加大对NAND Flash技术的投入与创新。

三星V-NAND技术再创新高

今年4月，三星宣布其第九代V-NAND 1Tb TLC产品正式进入量产阶段，并预告下半年将推出四层单元（QLC）版本的第九代V-NAND。相较于前代产品，新一代V-NAND实现了约50%的位密度提升，并成功降低了10%的功耗。尤为引人注目的是，三星在第九代V-NAND的“金属布线”环节首次采用了钼（Mo）材料，这一创新旨在突破现有材料的物理极限，进一步缩减层高、降低响应时间，从而显著提升性能。为实现这一技术突破，三星已引进多台Mo沉积机，并与多家供应商紧密合作，共同推进钼材料在NAND生产中的应用。

铠侠引领QLC闪存新纪元

与此同时，铠侠也宣布了其在NAND闪存领域的重大进展。该公司已开始提供基于第八代BiCS FLASH 3D闪存技术的2Tb BiCS8 FLASH QLC闪存样品，该样品以其超大容量在业内独树一帜，预示着QLC闪存将在AI、大数据等多个领域迎来广泛应用。铠侠通过专有工艺和创新架构，不仅提高了存储芯片的垂直与横向扩展能力，还采用了CBA技术，实现了更高的设备密度和更快的接口速度。其新推出的QLC闪存产品不仅位密度大幅提升，写入能效比也显著优化，且具备更小的封装尺寸，为数据中心等应用场景提供了更高效的存储解决方案。

QLC SSD在AI领域的潜力无限

随着AI技术的普及和数据中心存储需求的激增，QLC NAND尤其是QLC SSD正逐渐成为AI、大数据领域的宠儿。相较于传统MLC和TLC设备，QLC NAND能够存储更多数据，显著提升存储性能。而QLC SSD在AI应用中的优势则主要体现在其高速读取能力和低TCO成本上。对于以读取为主的AI推理服务器而言，QLC SSD不仅能够提供更快的读取速度，还能通过大容量设计减少所需空间，降低总体拥有成本。因此，QLC SSD正成为AI客户寻求的理想存储解决方案之一。

据市场研究机构TrendForce预测，受AI需求推动，2024年全球QLC Enterprise SSD出货位元有望大幅增长至30EB，是2023年的四倍之多。这一预测进一步证明了QLC SSD在AI领域的广阔前景和巨大潜力。