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电子发烧友网>存储技术>三星电子速转向3D NAND 正在向半导体和系统公司靠拢

三星电子速转向3D NAND 正在向半导体和系统公司靠拢

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有了3D整合方案,晶粒间的讯号传输路径将大为缩短,可加快数据传送速度和能源效益。三星宣称,X-Cube可用于7纳米和5纳米制程。
2020-09-08 17:24:254308

三星为什么部署3D芯片封装技术

三星计划明年开始与台积电在封装先进芯片方面展开竞争,因而三星正在加速部署3D芯片封装技术。
2020-09-20 12:09:163743

三星正在开发其3D ToF Sensor版本

根据描述,三星的新型传感器将带来更好的人脸识别以及更好的深度感应功能。值得注意的是,有传言称苹果将在即将面世的iPhone 12系列中添加3D ToF相机。该公司已经在其iPad上安装了LiDAR传感器。
2020-09-30 14:44:152877

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

3D NAND 路线图:三星最早入局,长江存储跨级追赶 Choe 介绍了 2014-2023 年的世界领先存储公司的闪存路线图,包括三星、铠侠(原东
2020-11-20 17:15:444306

恩智浦半导体可能成为三星电子的潜在收购目标

据钜亨网报道,全球芯片短缺问题持续,今年初就有消息传出三星电子有意向车用半导体制造商提出并购,以争取更多市占。对此,摩根大通在一份报告中指出,三星电子更有可能考虑收购美国汽车半导体公司,而不是市场传言的恩智浦。
2021-04-26 14:27:022050

三星将收购或入股多家大型半导体企业

近日,三星集团半导体布局动作频频。据悉,上周三星电子副会长李在镕赴美行程结束返韩之后,三星公司有可能以近千亿美元价格收购一家半导体厂商以壮大自身在半导体市场话语权。
2021-11-30 10:43:202364

「复享光学」3D NAND多层薄膜量测的新思路

据知名半导体和微电子情报提供商TechInsights报道,长江存储的232层3D NAND闪存X3-9070已经实现量产,领先于三星、美光、SK海力士等厂商,这也是__中国品牌在半导体领域首次领先于国际竞争者。__
2022-12-05 17:07:381876

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142

三星SD部门选择“半导体传奇”Jim Keller进行AI半导体合作

三星电子将与tenstorent、groq共同开发用于尖端it设备的人工智能半导体。如果实现批量生产,预计半导体将在三星电子构建的sub-5-nn euv工程生产线和2.5d包装设施中生产。
2023-07-20 10:54:081177

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

NOR Flash价格持续走低,三星NAND减产有望利好

业界认为,三星电子的减产可能会带来3d nand价格上涨的效果,从而可能会改变nor、slc nand的购买战略。美国外国人认为,slc nand和nore产品第四季度不会上调价格。
2023-09-11 11:35:042024

美国同意三星其中国工厂提供设备

10月9日,韩国半导体业传来好消息,美国将无限期豁免三星电子和SK海力士其在我国的工厂提供半导体设备,而且无需其它许可;美方的这一决定即日起生效。 三星电子在我国西安有生产NAND闪存,SK
2023-10-10 11:59:161094

三星NAND季季涨价20% 幅度超预期有利群联、威刚等运营

 据多名半导体业界消息人士称,三星继本季度将nand闪存价格上调10至20%后,决定明年第一季度和第二季度也分别上调20%。三星电子正在努力稳定nand闪存价格,试图在明年上半年逆转市场。
2023-11-02 10:35:011214

3D IC半导体设计的可靠性挑战

来源:半导体芯科技编译 3D IC(维集成电路)代表着异质先进封装技术维空间的扩展,在设计和可制造性方面面临着与二维先进封装类似的挑战以及更多的复杂性。虽然3D IC尚未普及,但芯片组标准化
2023-12-19 17:41:311234

三星电子在硅谷设立新实验室,开发下一代3D DRAM芯片

三星电子近日宣布,已在美国硅谷开设一个新的研发(R&D)实验室,专注于下一代3D DRAM芯片的开发。这一新实验室将由三星的Device Solutions America(DSA)运营,并负责监督公司在美国的半导体生产活动。
2024-01-29 11:29:251376

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:461306

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND3D NAND)闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

三星加强半导体封装技术联盟,以缩小与台积电差距

据最新报道,三星电子正积极加强其在半导体封装技术领域的联盟建设,旨在缩小与全球半导体制造巨头台积电之间的技术差距。为实现这一目标,三星预计将在今年进一步扩大其2.5D3D MDI(多芯片集成)联盟,计划新增十名成员。
2024-06-11 09:32:551121

三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

近日,据韩国媒体报道,全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存(HBM)的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年三星代工论坛上正式宣布的,同时也得到了业内消息人士的证实。
2024-06-19 14:35:501643

三星电子削减NAND闪存产量

价格将出现暴跌。在这样的市场环境下,三星电子面临着巨大的压力,难以维持过去那种压倒性的生产力。 据报道,SK海力士正在积极增加NAND闪存的供应规模,这无疑加剧了市场竞争。面对如此激烈的竞争环境,三星电子不得不重新审视自身的生产策略
2025-01-14 14:21:24867

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:008061

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