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电子发烧友网>存储技术>3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

3D NAND flash大战开打 三星独霸局面打破

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上周中国的长江存储公司宣布攻克128层3D闪存技术,QLC类型容量做到了1.33Tb容量,创造了个世界第一。国产闪存突飞猛进,三星等公司也没闲着,三星正在开发160堆栈的3D闪存。
2020-04-20 09:29:47834

三星宣布硅验证3D IC封装技术可投入使用

日前,三星电子宣布,由三星为业内最先进工艺节点专门研发的硅验证3D IC封装技术,eXtended-Cube,简称为X-cube,已经可以投入使用。
2020-08-14 17:24:393057

三星3D IC封装技术X-Cube,让速度和能源效益大幅提升

三星晶圆代工市场策略的资深副总裁Moonsoo Kang表示,三星的新3D整合技术,确保TSV在先进的极紫外光(EUV)制程节点时,也能稳定联通。
2020-08-17 17:58:411671

三星为什么部署3D芯片封装技术

三星计划明年开始与台积电在封装先进芯片方面展开竞争,因而三星正在加速部署3D芯片封装技术。
2020-09-20 12:09:163743

3D全息显示时代将到来!三星打造全息屏幕原型 2D屏上现3D图像

在屏幕显示技术上,三星确实拥有不俗的实力,但过往的技术也只是基于2D平面显示,而在三星看来,未来是属于3D的。三星已经朝着全息图迈出了坚实的一步,它的原型薄板设备能以4K分辨率显示3D图像,并具有
2020-11-13 10:17:543302

未来的3D NAND将如何发展?

NAND 非易失性闪存存储器作为存储行业的突破性革新已有多年发展历史,随着 2D NAND 容量达到极限,以及晶体管越来越小,NAND 的编程时间变长,擦写次数变少,能够将内存颗粒堆叠起来的 3D
2020-11-20 16:07:133095

未来的3D NAND将如何发展?如何正确判断一款3D NAND的总体效率?

3D NAND 路线图:三星最早入局,长江存储跨级追赶 Choe 介绍了 2014-2023 年的世界领先存储公司的闪存路线图,包括三星、铠侠(原东
2020-11-20 17:15:444306

3D NAND技术堆叠将走向何方?

发展至今,NAND Flash已呈现白热化阶段。就在前不久,存储厂商们还在128层“闪存高台上观景”,2019年6月SK海力士发布128层TLC 3D NAND;美光于2019年10月流片出样128
2020-12-09 14:55:374583

长江正式打破三星垄断,192层3D NAND闪存实现年底量产

长江存储一直是我国优秀的存储芯片企业,从成立之初就保持着高速稳定的发展状态,用短短3年的时间,接连推出了32层NAND闪存,以及64层堆栈3D NAND闪存,成功进入了华为Mate40手机的供应链。
2022-06-17 10:56:218286

三星第8代V-NAND已开始量产

市场对更高密度、更大容量存储的需求,推动了V-NAND层数的增加,三星采用3D缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。我们的第8代V-NAND将有助于满足快速增长的市场需求,更好地提供差异化产品和解决方案,有望成为未来存储创新的基础。
2022-11-07 10:33:551379

三星第8代V-NAND已开始量产

三星采用 3D 缩放(3D scaling)技术,减少表面积并降低高度,同时避免了缩小时通常会发生的单元间的干扰。通过这项技术,三星显著的提升每片晶圆的存储密度,使三星的存储密度达到了新的高度。
2022-11-10 09:43:25847

什么是3D NAND闪存?

我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 闪存,顾名思义,就是它是立体堆叠的,Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高楼大厦,建筑面积一下子就多起来了,理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227

三星:2030年3D NAND将进入1000层以上

 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划,预计在2024年推出第九代3D NAND,其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142

三星将于2024年量产超300层3D NAND芯片

 最近,三星集团援引业界有关负责人的话表示,计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后,将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015

NOR Flash价格持续走低,三星NAND减产有望利好

业界认为,三星电子的减产可能会带来3d nand价格上涨的效果,从而可能会改变nor、slc nand的购买战略。美国外国人认为,slc nand和nore产品第四季度不会上调价格。
2023-09-11 11:35:042024

三星2024年将推出先进3D芯片封装技术SAINT

三星计划在2024年先进3D芯片封装技术SAINT(Samsung Advanced Interconnection Technology,三星高级互连技术),能以更小尺寸的封装,将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。
2023-11-15 11:09:302499

三星开发裸眼3D游戏显示器

在2024年的国际消费电子展(CES 2024)上,三星展示了一款令人惊艳的裸眼3D游戏显示器。这款显示器独特之处在于,用户无需佩戴任何可穿戴设备,就能享受到沉浸式的3D/VR体验。
2024-01-09 15:36:541482

三星在硅谷建立3D DRAM研发实验室

三星电子,全球领先的存储芯片制造商,近日宣布在美国设立新的研究实验室,专注于开发新一代3D DRAM技术。这个实验室将隶属于总部位于美国硅谷的Device Solutions America (DSA),负责三星在美国的半导体生产。
2024-01-30 10:48:461306

三星将推出GDDR7产品及280层堆叠的3D QLC NAND技术

三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20%

三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低;在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判,目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995

三星即将量产290层V-NAND闪存

据韩国业界消息,三星最早将于本月开始量产当前业界密度最高的290层第九代V-NAND3D NAND)闪存芯片。
2024-04-17 15:06:591502

三星已成功开发16层3D DRAM芯片

在近日举行的IEEE IMW 2024活动上,三星DRAM部门的执行副总裁Siwoo Lee宣布了一个重要里程碑:三星已与其他公司合作,成功研发出16层3D DRAM技术。同时,他透露,竞争对手美光也已将其3D DRAM技术扩展至8层。
2024-05-29 14:44:071398

三星将于今年内推出3D HBM芯片封装服务

近日,据韩国媒体报道,全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存(HBM)的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年三星代工论坛上正式宣布的,同时也得到了业内消息人士的证实。
2024-06-19 14:35:501643

预期提前,铠侠再次加速,3D NAND准备冲击1000层

电子发烧友网报道(文/黄山明)近日,铠侠再次宣布,将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠,而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示,将在
2024-06-29 00:03:008061

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