3D NAND良率是NAND Flash市场最大变数

据海外媒体报道，去年下半年以来NAND Flash市场供不应求，主要关键在于上游原厂全力调拨2D NAND Flash产能转进3D NAND，但3D NAND生产良率不如预期，2D NAND供给量又因产能排挤缩小，NAND Flash市场出现货源不足问题，价格也因此明显上涨。

不过，随着3D NAND加速量产，下半年产能若顺利开出，将成为NAND Flash市场最大变数。

2D NAND Flash制程持续往1y/1z纳米进行微缩，如三星及SK海力士去年已转进14纳米，东芝及西部数据（WD）进入15纳米，美光导入16纳米等。但因芯片线宽线距已达物理极限，2D NAND技术推进上已出现发展瓶颈，用1y/1z纳米生产的2D NAND并未出现成本效益，因此，NAND Flash厂开始将投资主力放在3D NAND，但也因产能出现排挤，NAND Flash产出量明显减少，导致下半年价格强劲上涨。

去年NAND Flash价格自第2季开始全面回升，涨势直达年底，主流的SSD价格涨幅超过4成，eMMC价格最高逼近6成，完成出乎市场意料。在此一情况下，原厂为了维持竞争优势，决定加速抢进3D NAND市场，而今年亦成为3D NAND市场成长爆发的一年，产能军备竞赛可说是一触即发。

以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。

包括东芝及WD、SK海力士、美光等其它业者，去年是3D NAND制程转换不顺的一年，良率直到去年底才见稳定回升，生产比重均不及1成。不过，今年开始3D NAND量产情况已明显好转，东芝及WD已开始小量生产64层芯片，今年生产主力将开始移转至64层3D NAND，除了Fab 5开始提高投片外，Fab 2将在本季转进生产64层3D NAND，Fab 6新厂将动土兴建并预估2018年下半年量产。

SK海力士去年在36层及48层3D NAND的生产上已渐入佳境，M12厂已量产3D NAND，今年决定提升至72层，将在第1季送样，第2季进入小量投片，而韩国M14厂也将在今年全面进入3D NAND量产阶段。

美光与英特尔合作的IM Flash已在去年进行3D NAND量产，去年底第二代64层3D NAND已顺利送样，今年将逐步进入量产，F10x厂也会开始全面转向进行3D NAND投片。英特尔大陆大连厂则已量产3D NAND，并将在今年开始量产新一代XPoint存储器。