存储器大厂美光（Micron）昨（20）日召开法说会，执行长Mark Durcan看好下半年NAND Flash旺季，并指出未来12个月，NAND市场产能供给增加的幅度有限，但需求十分强劲，几乎可用贪婪的需求（insatiable demand）来形容，因此对下半年NAND市场抱持乐观正面看法。
2013-06-21 11:07:09
1147 纳米制造DRAM已能创造充足的利润，因此相较于应用处理器（AP）和快闪存储器（NAND Flash），DRAM的微细制程技术发展较缓慢。
2014-04-04 09:08:421577 ）亦可能利用M10厂生产3D NAND Flash，业界预期未来3~4年内存储器产业既有平衡竞局恐将被打破。
2015-10-09 09:40:15980 被东芝（Toshiba）视为营运重建支柱的半导体部门新整编方案内容曝光，据悉东芝拟把在三重县四日市工厂进行生产的“NAND型快闪存储器（Flash Memory）”事业分拆出来。
2015-12-22 08:17:04885 中国紫光集团宣布，投入快闪存储器战场，在武汉兴建全球规模最大厂房，总投资金额超过240亿美元，引发产业界震撼。
2017-01-03 09:05:211135 受益于智能手机搭载的NAND Flash存储容量持续提升，以及PC、服务器、资料中心积极导入固态硬盘（SSD），NAND Flash需求正快速成长，各家存储器厂亦由2D NAND Flash加速转进
2017-02-07 17:34:129182 
市调机构集邦科技预期，今年储存型快闪存储器（NAND Flash）整年都将维持供应吃紧的情况，NAND Flash厂商业绩可望逐季攀高。
2017-03-08 10:11:39759 NAND Flash是一种非易失存储器，也就是掉电不丢失类型，现在我们常见的存储设备基本都是NAND Flash，比如U盘、固态硬盘，手机存储等等，电脑传统硬盘除外。
2022-11-10 17:08:322839 
闪速存储器 （Flash Memory）简称闪存器或闪存，是一种非易失性存储器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的两种闪存器是或非闪存器 (NOR Flash）和与非闪存
2023-11-23 09:36:173656 
NAND Flash是什么？NAND Flash（闪存）是一种非易失性存储器技术，主要用于数据存储。与传统的DRAM或SRAM不同，NAND Flash在断电后仍能保存数据。它通过电荷的存储与释放来实现数据的存储。
2025-09-08 09:51:206275 
美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-03 09:24:154889
NOR Flash是可编程存储器的一种，因其具有直接运行应用程序的能力而广受欢迎，由于存储容量较小，一般只有几MB~几十MB，因此适合存储较小的程序和数据。由于其读取速度快且可靠性高，NOR Flash
2024-04-03 12:05:59
本帖最后由 小水滴02 于 2012-9-24 17:04 编辑
观点：尽管NAND闪存市场需求在一定程度上受到了经济形势的影响，但美光市场却逆势增长，其市场份额首次突破20%大光。这是其
2012-09-24 17:03:43
感谢Dryiceboy的投递据市场分析数据,DRAM和NAND存储器价格近期正在不断上扬.许多人认为当前存储器市场的涨价只不过是暂时的供需不稳所导致的;有些人则认为随着存储器价格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
NOR Flash 和 NAND Flash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR Flash 技术，彻底改变了原先由EPROM(Electrically
2021-07-22 08:16:03
忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存，它结合了ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦除可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据（NVRAM的优势），U盘和MP3里用的就是
2018-08-09 10:37:07
保存代码及数据，分为闪型存储器 （Flash Memory）与只读存储器（Read-OnlyMemory），其中闪型存储器是主流，而闪型存储器又主要是NAND Flash 和NOR Flash
2024-12-17 17:34:06
，大数据存储需求持续增加，一直到2021年NAND Flash平均每年增长率达40%-45%，而美光NAND技术从40nm到16nm，再到64层3D技术，一直为市场提供更好的产品和解决方案。就在几个月前美
2018-09-20 17:57:05
的发明人舛冈富士雄首先提出了快速闪存存储器（此处简称闪存）的概念。与传统电脑内存不同，闪存的特点是NVM，其记录速度也非常快。
Intel是世界上第一个生产闪存并将其投放市场的公司。1988年，公司
2025-07-03 14:33:09
flash中运行。嵌入式系统多用一个小容量的nor flash存储引导代码，用一个大容量的nand flash存放文件系统和内核。
1.2 存储器RAM介绍
RAM有两大类，一种称为静态RAM（Static
2023-05-19 15:59:37
2018年全球半导体市场规模达到1，500亿美元，其中NAND Flash超过570亿美元，而中国市场消耗了全球产能的32％，这意味着中国已成为全球主要的市场，为了摆脱长期对外采购的依赖，国内存储器
2021-07-13 06:38:27
未来DDR4、NAND Flash存储器芯片该如何发展
2021-03-12 06:04:41
DRAM补全计划？此前曾传出紫光将斥资230亿美元收购美的消息，后因美国***的限制，使这笔交易暂时压后。美光就不需要给大家介绍，它的DRAM、NAND闪存、CMOS图像传感器、其它半导体组件以及存储器模块
2016-07-29 15:42:37
，通常容量较小，主要用于存储代码；Nand Flash，容量较大，主要用于存储资料，如数码相机中所用的记忆卡。 简单来说，可概括为一张图描述，“太长不看版”可参照下图： 具体来说，这两种存储器有何
2023-02-17 14:06:29
。
Nand-flash存储器是flash存储器的一种，其内部采用非线性宏单元模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。Nand-flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于
2024-06-05 17:57:26
NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。Intel于1988年首先开发出NOR flash技术，彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着，1989年，东芝公司发表了NANDflash结构，
2010-07-15 11:38:41
79 Micron美光公司因其DRAM和NAND快闪存储器技术创新获得半导体Insight奖
美光科技股份有限公司近日宣布，Semiconductor Insights选择美光公司两项业内领先的D
2009-05-08 10:39:061236 旺宏电子推出全球首颗256Mbit序列快闪存储器
全球最大的序列式快闪存储器(Serial Flash)生产制造公司宣布，领先业界推出全球第一颗256Mbit序列快闪存储器产品─MX25L25635E
2009-11-02 15:30:01892 Intel、美光宣布投产25nm NAND闪存
由Intel、美光合资组建的IM Flash Technologies, LLC(IMFT)公司今天宣布，已经开始使用25nm工艺晶体管试产MLC NAND闪存芯片，并相信足以
2010-02-01 11:15:121155 Flash闪存有哪些类型
Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor Flash和AG-
2010-03-25 16:26:5612479 高性能20纳米级NAND闪存存储器
SAMSUNG电子有限公司推出业界首个20纳米级(nm) NAND芯片，用于安全数字(SD)存储器卡和嵌入式存储解决方案中。32
2010-05-17 12:15:021410 NAND闪存的自适应闪存映射层设计
闪存存储器主要分为NAND和XOR两种类型，其中NAND型是专为数据存储设计。本文的闪存映射方法主要是针对NAND类型的
2010-05-20 09:26:231244 
Flash 存储器的简介
在众多的单片机中都集成了 Flash 存储器系统，该存储器系统可用作代码和数据
2010-11-11 18:25:095395 
随着数码时代的来临，除了PC外，越来越多的数码信息产品正在或即将进入我们的家庭：移动电话、掌上电脑、数码相机、GPS等等，这些产品越来越多的使用各种移动微存储器。这些存储器中很大部分是快闪存储器(Flash Memory)。
2011-01-23 09:38:034838 
据《日刊工业新闻》报道，由于移动设备的需求持续增加，东芝(微博)最早计划今年夏天兴建一座新的NAND闪存芯片工厂。
2012-04-04 18:32:05843 美光在NAND闪存市场的份额首次超过20%， 营业收入增长，使得排名第三的美光缩小与第二名东芝之间的差距。
2012-09-14 09:34:321207 
Nand Flash存储器是Flash存储器的一种，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，如嵌入式产品中包括数码相机、记忆卡、体积小巧的U盘等。
2017-10-10 10:54:1126259 
FLASH存储器又称闪存 ，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存
2017-10-11 14:11:3723692 FLASH存储器（也就是闪存）就 是非易失随机访问存储器（NVRAM），特点是断电后数据不消失，因此可以作为外部存储器使用。而所谓的内存是挥发性存储器，分为DRAM和SRAM两大类，其中常说的内存
2017-10-11 14:39:469157 FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位，区块大小一般为256KB到20MB。闪存是电子
2017-10-11 15:16:1716975 FLASH存储器又称闪存，是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，由于其断电时仍能保存数据，FLASH存储器通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出
2017-10-13 16:34:3022518 flash存储器，及闪速存储器，这一类型的存储器具有速度快、方便等特点，是人们使用电脑办公或者娱乐时必备的工具。
2017-10-30 08:54:3434724 受益于DRAM 与 NAND 快闪存储器的供求和价格的上涨，美国存储器厂家美光本季度中EPS 财测超标。据悉，盘后大涨超过 5%。
2017-12-20 14:55:22789 
据悉，东芝的第 6 座工厂（Fab 6）还没有完工，东芝就宣布将在日本兴建第7座NAND Flash工厂，韦德就是能在2018年与三星，Intel、及 SK 海力士进行实力竞争。94 层 V-NAND 闪存生产将会是东芝的下一个计划。
2017-12-27 14:06:092171 在SK Hynix的72层（72L） TLC NAND快闪存储器中，所谓的P-BiCS （Pipe-shaped Bit Cost Scalable）单元，是利用管线式（pipe）闸极连结每一个
2018-06-21 12:23:002783 
目前存储器市况呈现两样情，DRAM持续稳健发展，价格平稳或小涨；NAND Flash则因供过于求，价格缓跌。外界预期DRAM市场第3季将可喜迎旺季，而NAND Flash市场价格也可稍有反弹。
2018-06-22 15:48:001193 存储器大厂美光（Micron）22日在美国召开分析师大会，美光执行长Sanjay Mehrotra表示，存储器市场已出现典范转型，以智能型手机为中心的行动时代（mobile era），逐步转进
2018-06-28 07:34:001118 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 现代快闪存储器控制器中的磨损平衡技术已经有显著进步，能够克服快闪存储器储存介质固有的弱点，并帮助发挥出快闪存储器的优势。对于现代快闪存储器储存器系统而言，控制器的选择比快闪存储器储存器本身更加重要，借由选择合适的快闪存储器控制器进行应用，可以提升系统的耐用性和可靠性。
2018-03-07 09:45:021646 代快闪存储器控制器中的磨损平衡技术已经有显著进步，能够克服快闪存储器储存介质固有的弱点，并帮助发挥出快闪存储器的优势。对于现代快闪存储器储存器系统而言，控制器的选择比快闪存储器储存器本身更加重要，借由选择合适的快闪存储器控制器进行应用，可以提升系统的耐用性和可靠性。
2018-03-12 09:14:004986 ，存储器内的信息仍然存在，主要是闪存（Nand FLASH 和 NOR FLASH），NOR 主要应用于代码存储介质中，而 NAND 则用于数据存储。
2018-04-09 15:45:33113864 是新产品，普及还要一段时间，目前 3D TLC 快闪存储器如何发展，依然是关键。24 日，东芝宣布推出 XG6 系列 M.2 SSD 固态硬盘，是旗下 96 层堆栈 3D TLC 快闪存储器首发，读取
2018-07-26 18:01:002759 最近的新闻报导指出，英特尔(Intel)与美光(Micron)闪存研发策略联盟的分手，肇因于对未来3D NAND Flash发展的看法差异，想来合理，且早有征兆。
2018-06-13 16:31:453785 存储器大厂华邦电（2344）积极抢攻车用存储器市场，发表业界首款最高速度的车用序列式NAND Flash（Serial NAND），在四线序列周边介面（QSPI）下的最高传输速度可达每秒83MB
2018-06-21 16:33:001949 中国市场占美光整体营收达51%，成为美光不可或缺一大重要销售市场。美光(Micron)遭福建福州市中级法院裁定，暂时禁止部分固态硬盘(SSD)及存储器产品在国内销售，美光有高达51%年营收贡献自中国市场，是否因此禁令冲击营收表现也令外界关注。
2018-07-08 11:05:075006 半导体行业巨头美光在新加坡的新工厂破土动工，该工厂将致力于制造3D NAND Flash。
2018-08-01 17:40:372938 存储器是半导体三大支柱产业之一。据IC Insights数据，2015年半导体存储器市场总额达835亿美元。各类存储器中，NAND Flash是一个亮点。其广泛应用于PC、手机、服务器等各类电子产品，2015年营收达到267亿美元，占半导体存储器市场总额的32%。
2018-08-13 09:01:001863 背景知识的情况下，可以比较简单地使用大容量的NAND Flash存储器，降低了使用NAND Flash存储器的难度和成本。
2018-12-31 11:29:004005 
SK海力士完成M15工厂有两大意义。首先，NAND Flash快闪存储器因为工业4.0应用而快速成长，而新工厂将帮助SK海力士更积极因应全球对3D NAND Flash快闪存储器的需求。
2018-10-12 16:17:005500 由于各大内存厂产能“刹不住车”，NAND Flash快闪存储器和DRAM价格已经持续走低，终结了持续两年的市场供应紧俏状况。
2018-10-27 08:59:144267 集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 SK海力士宣布将在忠清北道清州市新建一个存储器晶圆厂，满足NAND Flash市场增加的需求。新工厂将坐落在清州科技园。SK海力士下个月开始设计外部的建设，2017年8月到2019年6月期间完成洁净室的装备，总投资达2.2兆韩元（18.4亿美金）。
2018-12-03 08:52:561817 存储器市况不明，针对存储器价格波动趋势，存储器控制芯片厂慧荣总经理苟嘉章表示，预估快闪存储器（NAND Flash）价格已近谷底，下半年若再跌，幅度大约在低个位数百分比；而动态随机存取存储器（DRAM）则预估持续跌至年底。
2019-05-06 16:23:48802 群联抢搭储存型快闪存储器（NAND Flash）需求爆发商机 ，今年在台北国际电脑展（ Computex）展出的高端储存系列产品受到市场瞩目，预料在进入5G后，将成为各大应领用领域新宠，也成为群联获利利器。
2019-06-04 17:02:223583 美光对存储市场前景透露悲观气氛
2019-06-27 10:22:593500 6月15日，东芝存储器公司NAND Flash工厂于当地时间下午6点25分发生断电事故，大概花了13分钟之后就恢复供电了，然而工厂在恢复供电后一直处于停产状态。
2019-07-01 11:08:553923 的次数比NOR Flash要少，但是可以通过软件控制存储位置，利用其更高存储密度的特点，让每个位置被写的次数控制得均匀一些，这对延长存储器寿命具有重要作用。
2019-08-30 09:04:494797 
存储器大厂美光科技（Micron）近日宣布完成新加坡NAND Flash厂Fab 10A扩建。美光执行长Sanjay Mehrotra表示，新厂区将视市场需求调整资本支出及产能规划，并应用先进3
2019-08-19 11:33:005994 据外媒报道，东芝存储器美国子公司宣布推出一种新的存储器（Storage Class Memory）解决方案：XL-Flash，该技术是基于创新的Bics Flash 3D NAND技术和SLC。
2019-09-04 16:41:321643 快闪存储器的编程时间有时会很长（对于大的存储器或存储器组可达1分钟）。因此，此时不容许有其它元件的逆驱动，否则快闪存储器可能会受到损害。
2019-09-13 12:44:001166 随着NAND Flash价格的连续走低，为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃，三大NAND生产厂商、Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状，具体来讲就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 据分析机构最新数据，因数据中心对市场的带动作用，2019年第四季度NAND Flash总出货量季增近10%，市场逐渐供不应求。经历了一段降价期，NAND Flash存储器终于迎来一小段上升期。
2020-03-08 18:25:484778 美光在二季度财报电话会议上透露，该公司即将开始基于全新 RG 架构的第四代 3D NAND 存储器的量产工作。按照计划，美光将于 2020 Q3 采集开始生产，并于 Q4 像商业客户发货。作为这家硬件制造商的一次重大技术转型，第四代 3D NAND 存储器的层数达到了 128 层。
2020-04-02 11:26:522011 在市场NAND Flash快闪存储器供应仍有缺口，导致价格继续维持高位的情况下，包括国际大厂三星、SK海力士、东芝，以及中国厂商长江存储存纷纷宣布扩产以增加产能之际，7日美商存储器大厂美光（Micron）也宣布扩产，以补足市场供不应求的缺口。
2020-09-03 16:42:011016 相信有很多人都对计算机里的各种存储器（ROM、RAM、FLASH 等等）傻傻分不清，就会存在，内存条是 dram 还是 nand？nand flash 和 nor flash 的区别又是什么？程序
2020-12-17 14:56:3812674 Nand flash是flash存储器的其中一种，Nand flash其内部采用非线性宏单元模式以及为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。NAND FLASH存储器具有容量较大和改写速度快
2020-11-03 16:12:085421 
闪存具有兴趣，不妨继续往下阅读哦。 Flash闪存是非易失性存储器，这是相对于SDRAM等存储器所说的。即存储器断电后，内部的数据仍然可以保存。Flash根据技术方式分为Nand 、Nor
2020-11-06 17:36:109318 
据美媒Anandtech报道，美光日前宣布了其第五代3D NAND闪存，新一代产品拥有破纪录的176层构造。报道指出，新型176L闪存是自美光与英特尔的存储器合作解散以来推出的第二代产品，此后美光从浮栅（ floating-gate）存储单元设计转变为电荷陷阱（charge-trap）单元。
2020-11-10 14:56:593477 美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术，达到了创纪录的176层堆叠。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后，自己独立研发的第二代3D NAND闪存。
2020-11-11 11:50:212924 IT之家11月12日消息 今日，美光科技宣布已批量出货全球首款 176 层 3D NAND 闪存，刷新行业纪录，实现闪存产品密度和性能上的提升。 IT之家了解到，这款 176 层 NAND 产品采用
2020-11-12 13:04:572623 存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储
2020-11-12 16:02:553696 日前，存储器厂商美光宣布，其第五代3D NAND闪存技术达到创纪录的176层堆叠。预计通过美光全新推出的176层3D NAND闪存技术以及架构，可以大幅度提升数据中心、智能边缘计算以及智能手机存储的应用效能。
2020-11-20 17:10:122392 Flash（快闪或闪存）由Intel公司于1988年首先推出的是一种可用电快速擦除和编程的非易失性存储器，其快速是相对于EEPROM而言的。Flash从芯片工艺上分为Nor Flash和Nand
2020-12-07 14:17:014410 美光科技（Micron Technologies）宣布退出曾经前景看好的3D Xpoint非易失性存储器市场，随着市场频宽需求持续飙升，将资料中心应用技术发展重点聚焦于新兴的CXL （Compute Express Link）高速互连介面。
2021-04-03 09:20:001758 Flash Memory是一种非易失性的存储器。在嵌入式系统中通常用于存放系统、应用和数据等。在PC系统中，则主要用在固态硬盘以及主板BIOS中。绝大部分的U盘、SDCard等移动存储设备也都是
2022-01-25 17:25:1262317 
存储器的历史始于1984年，彼时 Masuoka 教授发明了 NAND Flash（NAND 闪存）。1989年，东芝首款 NAND Flash 上市。2001年，许多Flash厂商推出MLC
2022-11-25 14:57:352730 基于232层3D TLC NAND闪存的美光UFS 4.0模块能效提升25% 此前美光推出了其首个UFS 4.0移动存储解决方案，采用了232层3D TLC NAND闪存；速度提升很大，可以达到最高
2023-07-19 19:02:211823 摘要：本文主要对两种常见的非易失性存储器——NAND Flash和NOR Flash进行了详细的比较分析。从存储容量、性能、成本等方面进行了深入探讨，以帮助读者更好地理解这两种存储器的特性和应用。
2023-09-27 17:46:062633 随着信息技术的飞速发展，数据存储需求日益增长。作为一种新型的非易失性存储器，NAND Flash因其高容量、低功耗、高密度等优势，在各个领域得到了广泛应用。本文将对NAND Flash存储器的工作原理、结构特点、性能指标及应用领域进行详细解析，以期为读者提供一个全面的了解。
2023-09-27 18:26:175563 诉讼旨在解决以下问题的一个方面：美光试图通过迫使长江存储退出3D NAND Flash（闪存）市场来阻止竞争和创新。
2023-11-13 15:47:511090 长江存储在以上起诉书中称，长江存储不再是新秀（upstart），而已成为全球3D NAND市场的重要参与者。长江存储表示，去年11月，分析和跟踪闪存市场的TechInsights公司得出结论：长江存储是3D NAND闪存领域的领导者，超过了美光。
2023-11-13 16:53:041658 
前言 NAND Flash 和 NOR Flash是现在市场上两种主要的闪存技术。Intel于1988年首先开发出 NOR Flash 技术,彻底改变了原先由 EPROM 和 EEPROM 一统天下
2024-03-01 17:08:451311 
非易失性存储器芯片又可分为快闪存储器 （Flash Memory） 与只读存储器 （Read-Only Memory）。其中，快闪存储器又可以分为 NAND 存储和 NOR 存储。
2024-03-22 10:54:152049 
NAND闪存，又称之为“NAND Flash”，是一种基于Flash存储技术的非易失性闪存芯片。下面将从NAND闪存的定义、工作原理、特点、应用领域以及未来发展等几个方面进行详细阐述。
2024-08-10 15:57:1913061 NAND Flash作为一种基于NAND技术的非易失性存储器，具有多个显著优点，这些优点使其在数据存储领域得到了广泛应用。以下是对NAND Flash优点的详细阐述，并简要探讨与其他类型存储器的区别。
2024-08-20 10:24:441952 铁电存储器（Ferroelectric RAM, FRAM）与闪存（Flash）是两种不同类型的非易失性存储器，它们在工作原理、性能特点、应用场景等方面存在显著的差异。
2024-09-29 15:25:324375 模式，为固态大容量内存的实现提供了廉价有效的解决方案。 NAND Flash存储器具有容量较大，改写速度快等优点，适用于大量数据的存储，因而在业界得到了越来越广泛的应用，如闪存盘、固态硬盘、eMMC、UFS等。 根据其不同的工艺技术，NAND已经从最早的SLC一路发展到
2024-11-11 11:26:4214852 
随着人工智能技术的迅猛发展，对先进存储芯片的需求日益增长。在此背景下，美光科技宣布将在新加坡投资70亿美元，扩建其制造业务，以满足市场需求。 周三，美光科技在新加坡的新工厂正式破土动工。据悉，该工厂
2025-01-09 11:34:431465 光在亚洲地区的进一步布局和扩张。 据美光方面介绍，该工厂将采用最先进的封装技术，致力于提升HBM内存的产能和质量。随着AI芯片行业的迅猛发展，HBM内存的需求也在不断增长。为了满足这一市场需求，美光决定在新加坡建设这座先进的封装工
2025-01-09 16:02:581155 产品价格。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096
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