Kioxia（原东芝存储），西部数据（WD）联盟3D NAND闪存使用三星电子技术进行批量生产。 东芝开发的3D NAND技术 BiCS 很早之前，原东芝存储就在国际会议VLSI研讨会上首次分享了
2019-12-13 10:46:07
12470 投资80亿美元。 根据一份新报告，三星将增加对中国芯片工厂的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。据推测，在大笔投资之前，该公司预测由于供应有限以及对第五代网络和设备的需求增加，明年内存需求的激增将反弹。 目前，三星是全
2019-12-13 15:44:314805 ，于2018年新建，将在2020年3月竣工投产；第二阶段投资80亿美元，2021年下半年竣工，项目建成后将新增产能每月13万片，新增产值300亿元。 三星新厂建成后，或投产100+层3D NAND 在
2019-12-29 00:37:009419 北京时间8月24日，三星集团对外表示，未来三年内集团将在后疫情时代投资240万亿韩元（约合2050亿美元），让三星成为“战略重要行业”的领导者。 这样的投资水平，较2018年~2020年这三年
2021-08-26 09:00:001528 一周之前，三星公司才刚刚宣布推出了世界上首款拥有3D垂直NAND Flash技术的内存产品。仅仅一个礼拜的时间，同样是三星公司紧接着又宣布即将推出世界首款使用3D垂直NAND Flash技术的SSD固态硬盘。
2013-08-15 09:11:161488 包括三星电子（Samsung Electronics）、美光（Micron）与东芝（Toshiba）为量产3D NAND Flash，纷投资建厂或以既有生产线进行转换，SK海力士（SK Hynix
2015-10-09 09:40:15980 三星已经连续推出两代立体堆叠3D闪存，分别有24层、32层，并已用于850 EVO、850 Pro等多款固态硬盘产品，2015年8月正式量产首款可应用于固态硬盘（SSD）中的48层3bit MLC
2016-07-13 10:32:437470 目前3D NAND仅由三星电子独家量产。而进入了最近两个月，先有东芝（Toshiba）杀入敌营，如今美光（Micron）也宣布研发出3D NAND 芯片，而且已经送样，三星一家独大的情况将画下
2016-08-11 13:58:0644661 
目前，我们还无法断定3D NAND是否较平面NAND更具有製造成本的优势，但三星与美光显然都决定把赌注押在3D NAND产品上。如今的问题在于，海力士（SK Hynix）与东芝（Toshiba）两大市场竞争对手能否也拿出同样具备竞争优势的产品？
2016-09-12 13:40:252173 传三星电子平泽厂（Pyeongtaek）将提前投产，SK海力士（SK Hynix）、东芝（Toshiba）、美光（Micron）产能也将于明年下半全面开出，届时3D NAND可能会从供不应求、呈现供给过剩的状况。
2016-10-10 14:08:472158 
目前NAND闪存需求依然居高不下，厂商也有动力扩大产能了，SK Hynix公司日前宣布本月底将量产48层堆栈的3D NAND闪存，这是三星之后第二家量产48层堆栈3D闪存的公司。
2016-11-09 11:35:161088 通用电气（GE）的分公司GE Additive最近宣布，他们将在未来五年内在两个教育项目上投资1000万美元来开发3D打印技术和培养未来人才。 GE或将投资1000完美元 促进3D打印相关教育 新投资旨在促进与3D打印相关的教育，并帮助选定的教育机构在先进技术方面实现更好的配备。
2016-11-25 11:07:111045 以各原厂的技术进展来看，三星去年进度最快已成功量产3D NAND，去年底出货占比已达35％，最先进的64层芯片将在今年第1季放量投片，3D NAND的出货比重将在本季达到45％。另外，三星不仅西安厂全面量产3D NAND，韩国Fab 17/18也将投入3D NAND量产。
2017-03-02 10:40:251179 国产手机势头越来越强劲，把三星和苹果的市场份额抢占不少，但繁荣背后是对核心产业链控制的缺失，就比如闪存芯片，这基本上被韩国厂商垄断了。近日，高启全接受媒体采访时表示，长江存储将在2019年开始量产64层堆栈的3D NAND闪存，这个消息无疑让人振奋，而在今年他们还将出样32层NAND闪存。
2017-05-09 15:10:042528 电子发烧友早八点讯：三星今天在韩国宣布，开始大规模量产64层堆叠、256Gb（32GB）、3bit的V-NAND闪存芯片，是为第四代3D闪存。
2017-06-16 06:00:002458 六大NAND Flash颗粒制造商之一的东芝也宣布了自家96层3D NAND产品的新消息：他们正式推出了旗下首款使用96层3D NAND闪存的固态硬盘产品XG6。在性能方面，XG6也算是追上了目前
2018-07-24 10:57:355877 针对三星计划与地方政府等合资在西安投建8英寸晶圆代工厂一事，三星方面透露，相关报道不属实，目前公司并无相关建厂计划。三星在西安的项目为存储芯片，2012年落户西安高新区，一期项目于2014年5月竣工
2020-11-12 10:37:572210 （Frame sequential）功能的3D显示器应该只有三星一家。 说到这里，笔者最近正在测试三星的23吋SA950系列3D显示器，并且亲自体验了一把接蓝光播放机的原生3D效果，可以说非常的震撼，甚至在
2011-08-20 14:30:01
的大公司有着合作。2015年末从三星电子DMC研究所中独立并成立MOPIC株式会社之后，一直在国际3D技术领域发展活跃着，2017年还参加了在上海举办的MWC17世界移动大会。MOPIC旗下产品有两种，一种
2017-11-27 12:00:18
`CFMS2018近日成功举办，来自三星、西部数据、英特尔、美光、长江存储等全球存储业大咖，与行业人士共同探讨3D NAND技术的发展未来。我们来看看他们都说了什么。三星：看好在UFS市场的绝对优势
2018-09-20 17:57:05
，三星将有权向苹果索要这笔费用。2011年苹果起诉三星，称其侵犯苹果智能还搜集多项专利权。2012年三星被判侵犯苹果专利，要求赔偿10.5亿美元，但因为陪审团计算错误，所以案件又被发回重审。最终，三星被
2015-12-07 17:01:52
尚未公开。将根据市场情况等考虑增设生产设备，计划总投资额最多为70亿美元。由三星的全资子公司运营。 该工厂将生产垂直叠放存储元件的3D结构半导体。三星领先其他公司于2013年在韩国华城工厂率先
2014-05-14 15:27:09
数名总裁级别的高管。在三星集团董事长李健熙今年年初因病陷入昏迷后，其子李在镕为巩固对三星电子的控制权，主导了三星集团两关联公司合并案，该合并案于7月份被股东大会批准。今年9月份，第一毛织公司斥资80亿美元
2015-12-08 17:36:32
支MAX3232EUE+T出较前一年增加，前5大半导体厂的资本支出分别为三星电子131亿美元、英特尔112亿美元、台积电约83亿K1667美元、海力士约37亿美元、GlobalFoundries约31
2012-09-21 16:53:46
调整。”三星表示，“在欧洲，我们现在将停止继续销售包括Chromebook在内的所有笔记本电脑。这一决定只限于欧洲市场——并不能反映其他市场的情况。我们将继续根据市场情况在未来作出调整，以保证我们在新兴
2014-09-25 10:32:11
Insights资料显示，2017年全球半导体顶尖大厂的研发投资，以英特尔的130.98亿美元排名第一，成长3%，但占营收比重竟然高达21.2%；这个数字也是三星、东芝、高通、博通的总和。高通为
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
新鲜出炉的三星和苹果财报显示，两家企业成为全球手机市场的最大赢家。三星移动通讯业务过去一个财季实现营运收入26.25万亿韩元，而苹果的iPhone及其相关产品和服务的营收为171.25亿美元，两
2012-10-30 16:38:28
三星电子宣布开发出720万像素的CMOS图像传感器(CIS)，据称这是世界上第一款720万像素的袖珍相机CIS。在此前的6月份，三星推出了500万像素CIS。 三星这款720万像素的CIS
2018-11-19 17:12:09
的话，英特尔预计在2017年二季度将实现144亿美元的销售额，而三星电子的销售额预计将达到146亿美元。因此如果存储芯片的市场价格在二季度及余下时间里都能持续增长，三星电子将会取代英特尔成为全球最大
2019-04-24 17:17:53
！ 那么今年China Joy MM们最关注的是什么呢？当然是核心话题“3D”啦，本次展会最大的显示器赞助商三星提供了800多台显示器在整个展会，其中3D显示器体验区是最吸引China Joy MM们的地区，下面就来看一下三星3D显示器与China Joy MM们的故事吧！
2011-08-03 15:20:00
步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
着，怎样才能阻止苹果的疯狂，从而夺回市场。而眼前，谷歌和三星这两个苹果昔日的老伙伴成为最引人注目的对象。 在上周三发布苹果IOS6中，亲密合作了五年的谷歌地图正式被苹果自己的地图替代，谷歌搜索成为
2012-09-22 10:17:03
格局。 目前太诱的市占率与三星电机还差6个百分点左右。随着爆炸事件的演进，太阳诱电会挤掉三星，拿下榜眼位置吗？这应该会成为未来一两年内MLCC市场的最大看点和变量。 文章来源：易容网`
2016-09-20 15:23:36
所有决策和重任寄托在单独的个人，也不可能把公司的荣辱兴衰寄托到一个人身上。你们怎么看？延伸阅读：1、2015年8月，李在镕曾经以三星集团名义涉嫌以马术选手培养为名，向崔顺实提供35亿韩元的资金，以三星
2017-01-20 11:09:50
市场占有率(Gartner市场调研)2016上半年的占有率是三星第一、苹果第二、华为第三;而2016下半年市场变化很大，看小编整理的材料：华为作为后起之秀，最近风头很劲，大有冲刺问鼎之势14年华为发布
2016-12-30 17:29:35
的3D闪存了，三星公司7月初宣布了第五代V－NAND闪存（3DNAND闪存中的一种），率先支持ToggleDDR4．0接口，传输速度达到了1．4Gbps，相比64层堆栈的V－NAND闪存提升了40
2021-07-13 06:38:27
家公司涉嫌实施垄断行为的反垄断调查已取得重要进展。自2016年三季度进入涨价通道后，存储芯片的涨价持续至今，已接近两年。包括三星、海力士、镁光等公司在内的三家国际存储器公司，旗下的存储芯片价格存在异常上涨
2018-11-22 14:49:22
耗电，因此小面积、大容量便成为竞争关键。2D的NAND在10xnm阶段便遭遇技术压力，因此三星、东芝(Toshiba)都向3D发展。相较于2017年，三星2018年的资本支出会少一点点，但比起往年仍是
2018-12-24 14:28:00
优势，或许，未来将有更多的玩家参与其中。存储产品的3D时代 伴随着三星、美光、东芝、英特尔纷纷开始投入到3D NAND的生产和研发中来，存储产品也开始走向了3D时代。在这些厂商发展3D闪存的过程当中，也
2020-03-19 14:04:57
,肉中刺”,三星一直向各个领域渗透,威胁了大多***企业的利益,而今年富士康以55亿美元(约合人民币200亿)的价格收购了夏普,佔据了全球大尺寸面板绝对的主导权,近期富士康科技集团做出了一份令人震惊同时又
2016-12-18 01:18:05
三星启动量产 3D电视决战正式开火
在三星宣布正式开始量产40寸、46寸与55寸3D电视开始，全球3D电视的市场热战也正式引燃。由三星首
2010-01-30 10:02:581172 美国美光公司在西安高新区再投3亿美元
日前，西安高新区与美国美光科技公司签署新投资项目合作协议，美国美光科技公司在继2.5亿美元投资西安高新区后，将再投资
2010-02-04 16:35:37780 三星计划投资40亿美元在中国建NAND闪存厂。如此之大的项目对任何一个城市来说都是一大诱惑。
2012-01-12 10:28:371346 有报道引用监管机构申请文件称韩国电子巨头三星电子宣布将在西安投资70亿美元建一座NAND晶圆厂。
2012-04-09 09:33:511096 “在增强工业综合实力上实现新突破”。
也正因此，面对体量巨大的三星闪存芯片项目，西安高新区有理由表现出比其他城市更大的渴望。以今明两年完成的一期项目70亿美元投资计算，仅此
2012-04-15 11:10:03887 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 做为世界最大的记忆芯片生产商，三星将在2021年前对位于平泽市的NAND闪存工厂投入14.4万亿韩元。此外，位于华城市的半导体生产线也将拿到6万亿韩元的投资。剩下的1万亿韩元，将分配给三星位于韩国的OLED屏幕工厂。同时，三星还计划为西安的NAND闪存生产基地添置一条新的生产线。
2017-07-04 15:57:301192 此前，SSD涨价的主要推手就是主要颗粒厂在改造3D NAND生产设备，现在老大三星和老幺SK海力士均行动，相信会稳定住市场格局，并在不远的将来看到市场供货改善。
2017-07-06 15:20:51706 三星的开支计划到底有多么凶猛？IC Insights预计，三星2017年第四季度的半导体资本支出为86亿美元，将占到整个半导体行业的33%（整个行业第四季度支出预计达到262亿美元）。同时，三星在第四季度的半导体销售额占整个行业的16%左右。
2017-11-15 15:41:331306 
2018年是3D NAND产能快速增长的一年，主要是因为Flash原厂三星、东芝、SK海力士、美光等快速提高64层3D NAND生产比重，而且相较于2D NAND技术，64层256Gb和512Gb在市场上的广泛应用，使得高容量的NAND Flash相关产品价格持续下滑
2018-07-16 09:48:00918 %。 3D打印机、材料将占上述预估期间全球支出金额的三分之二，2021年预估分别达到69亿美元、67亿美元。IDC预估2021年3D打印业服务营业额为55亿美元。软件支出增幅预估将低于整体市场、五年CAGR为
2018-01-11 16:36:011119 三星电子(Samsung Electronics)3D NAND生产比重，传已在2017年第4季突破80%，三星计划除了部分车用产品外，2018年将进一步提升3D NAND生产比重至90%以上，全面进入3D NAND时代。
2018-07-06 07:02:001447 据IDC报告显示，未来3D打印支出将迎来巨大的增长规模，中国是APEJ增长的推动力，值得留意的是未来3D打印支出增长最快的行业是电讯业。IDC透露到2021年，亚太地区3D打印支出将增至36亿美元。
2018-01-31 11:42:47940 西安3D V-NAND芯片厂是三星最大的海外投资项目之一，也是是三星第二座3D V-NAND芯片厂。今日报道，工业气体供应商空气产品公司将助力三星生产的3D V-NAND闪存芯片，宣布将为3D V-NAND芯片厂供气。
2018-02-03 11:07:271538 三星电子内存解决方案的需求，随着内存的增加而飙升。目前三星正迅速转向3D NAND，尤其是TLC 3D NAND，于三星半导体是拉动三星营收和利润的关键，三星正在转向一家半导体和系统公司。
2018-02-07 14:41:521318 
位于西安高新技术开发区的芯片厂是三星电子最大的海外投资项目之一，也是中国最先进的半导体工厂之一。其生产的3D V-NAND闪存芯片广泛应用于嵌入式NAND存储、固态硬盘、移动设备和其它消费电子产品。
2018-02-09 10:18:468073 三星准备死磕台积电，近日报道三星投60亿美元建芯片厂，其主要目的是扩大代工业务，准备争抢台积电的份额。据悉工厂的建设将在明年下半年完成。
2018-02-24 11:45:521086 全球3D打印市场规模逐年增加，预计2022年市场规模达到61亿美元左右，专家预测预计未来五年全球3D打印行业继续保持快速增长的势头。大多是借助已有或引入的技术来源，进行项目产业化。
2018-02-27 12:28:073476 2017年8月底，三星电子宣布与陕西省政府达成合作协议，将扩大西安高新区工厂的 闪存产能 ，新建二期项目，未来三年投资70亿美元。 与此同时，三星也在韩国本土不断加大投资，连续开建两座新工厂，都兼具内存、闪存生产能力。
2018-03-19 14:59:011645 随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND将在Q4扩大出货，代表着NAND Flash市场霸主之争正式拉开序幕。
2018-08-05 11:50:161646 韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。
2018-08-05 11:53:421631 ，同时恐激化各家原厂展开96层3D NAND技术竞争，然而市场更多的是关心NAND Flash价格走向将如何。
2018-08-22 16:25:462599 随着64层/72层3D NAND产出的增加，以及原厂QLC和96层3D技术快速发展，NAND Flash在经历2年涨价后，2018年市场行情从缺货转向供应过剩，再加上成本下滑，以及供需双方博弈刺激下，预计2018年全球SSD出货量将超过1.9亿台，甚至有望冲刺2亿台。
2018-08-31 16:15:002745 9月3日消息，科技新闻博客GizChina报道，三星首席执行官（CEO）对人工智能（AI）持乐观态度，他承诺未来三年将向其增投220亿美元资金。
2018-09-05 17:29:014655 8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗？
2018-10-01 16:12:003303 DIMM插槽的3D XPoint硬盘，现在还不能取代DDR内存，但未来一切皆有可能。 3D NAND技术进展 2016年年下半除东芝（TOSHIBA）就64层3D NAND闪存展开送样出货外，三星电子
2018-10-08 15:52:39780 近日，据报道，三星CEO表示对人工智能持乐观态度，并承诺将在未来三年内增投220亿美元资金应用于人工智能技术发展。
2018-11-12 17:28:42794 集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 根据韩媒报导，三星预计2019年将在新的Galaxy S10及 Galaxy A系列的智能手机上采用ToF 3D面部识别技术，并极有可能砍掉虹膜识别。
2018-11-22 09:26:092163 ，紫光将先后启动三大基地生产 3D NAND 芯片，即使合计投资金额高达 1，800 亿人民币，花十年目标换来比肩巨人三星、东芝的机会，紫光此举看来大胆但却值得！
2018-11-30 09:16:252791 NAND Flash产业在传统的Floating Gate架构面临瓶颈后，正式转进3D NAND Flash时代，目前三星电子（Samsung Electronics）、东芝（Toshiba）的3D
2018-12-03 09:04:572304 早些时候，韩国媒体报道称，三星的一家供应商将三星的曲面屏技术出售给中国竞争对手，而泄密的是能将曲面屏智能手机的玻璃与OLED面板贴合在一起的技术。 对此，三星公开表示，这项技术的泄露将导致该公司未来3年销售额损失58亿美元，利润损失8.9亿美元。
2019-05-10 15:43:471920 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294 三星电子近日申请了Depth Vision Lens商标，据推测这或许将用于三星Galaxy Note 10 的3D ToF摄像头。
2019-07-04 16:44:103519 
日前，西安三星电子闪存芯片项目再次取得重要突破。12月10日，该项目二期第二阶段80亿美元投资正式启动。
2019-12-11 10:52:547136 从“尚未决定”到“最终落户”，三星电子第二阶段二期投资终于落户西安。据最新消息，三星电子在西安的闪存芯片项目二期投资80亿美元落地。在今年5月份，三星电子曾表示，尚未决定对中国西安的第二条闪存芯片生产线进行额外投资的计划，具体情况将取决于市场状况。
2019-12-16 11:43:234321 根据AnandTech的报道，三星计划投资数十亿美元扩大其在中国西安的3D NAND生产设施。
2019-12-18 10:38:203458 据了解，136层第六代V-NAND闪存是三星今年的量产主力。韩媒报道称三星可能会大幅改进制造工艺，从现在的单堆栈（single-stack）升级到双堆栈（double-stack），以便制造更高层数的3D闪存。
2020-04-20 09:06:01776 三星计划明年开始与台积电在封装先进芯片方面展开竞争，因而三星正在加速部署3D芯片封装技术。
2020-09-20 12:09:163743 目前并无在西安投建 8 英寸晶圆代工厂的计划。 IT之家获悉，三星电子的晶圆厂集中在韩国，且以 12 英寸为主，只有一座 8 英寸晶圆厂。 三星在中国也有晶圆厂，但主要生产自家的存储芯片。公开资料显示，三星 2012 年落户西安，2013 年投资 108 亿美元，兴建一期
2020-11-11 17:44:042286 NAND 应运而生，可以支持在更小的空间内容纳更高的存储容量，在需要存储海量数据的时代有着重大价值。 依托于先进工艺的 3D NAND，氧化层越来越薄，面临可靠性和稳定性的难题，未来的 3D NAND 将如何发展？如何正确判断一款 3D NAND 的总体效率？ 在 2020 年的闪存峰
2020-11-20 16:07:133095 。 3D NAND 路线图：三星最早入局，长江存储跨级追赶 Choe 介绍了 2014-2023 年的世界领先存储公司的闪存路线图，包括三星、铠侠（原东
2020-11-20 17:15:444306 时，西安累计阳性感染者43例，在疫情封锁的影响下，位于西安的三星工厂可能会受到一定程度上的影响。 三星西安的工厂是三星唯一的海外存储芯片制造基地，每月加工25万片晶圆，NAND闪存产能总量的40%都由西安的工厂提供。 去年12月，因为疫情，三星
2022-04-18 16:18:592612 我们之前见过的闪存多属于Planar NAND平面闪存，也叫有2D NAND或者直接不提2D的，而3D 闪存，顾名思义，就是它是立体堆叠的，Intel之前用盖楼为例介绍了3D NAND，普通NAND是平房，那么3D NAND就是高楼大厦，建筑面积一下子就多起来了，理论上可以无线堆叠。
2023-03-30 14:02:394227 三星已经确定了新一代3D NAND闪存的开发计划，预计在2024年推出第九代3D NAND，其层数可达到280层
2023-07-04 17:03:293142 最近，三星集团援引业界有关负责人的话表示，计划到2024年批量生产300段以上的第9代3d nand。预计将采用将nand存储器制作成两个独立的程序之后，将其一起组装的dual stack技术。三星将于2020年从第7代176段3d nand开始首次使用双线程技术。
2023-08-18 11:09:052015 三星决定升级西安工厂的原因大致有两个。第一，在nand闪存市场尚未出现恢复迹象的情况下，在nand闪存市场保持世界领先地位。受从去年年底开始的it景气低迷和半导体景气低迷的影响，三星nand的销量增加，从而使亏损扩大。
2023-10-16 14:36:001975 据业界2日透露，三星电子计划对中国西安nand闪存工厂进行改造，将目前正在生产的128段（v6） nand闪存生产线扩大到236段（v8）。三星决定从明年初开始更换设备，并向业界通报了到2025年分阶段完成的目标。
2023-11-03 11:48:032419 三星计划在2024年先进3D芯片封装技术SAINT（Samsung Advanced Interconnection Technology，三星高级互连技术），能以更小尺寸的封装，将AI芯片等高性能芯片的内存和处理器集成。
2023-11-15 11:09:302499 三星将在IEEE国际固态电路研讨会上展示其GDDR7产品以及280层堆叠的3D QLC NAND技术。
2024-02-01 10:35:311299 三星电子，全球半导体产业的领军企业，近期在其位于中国西安的NAND闪存工厂实现了开工率的显著回升，从去年的低谷20-30%提升至目前的70%。这一变化不仅反映了三星电子对市场趋势的敏锐洞察和快速响应，也凸显了中国智能手机市场回暖以及全球半导体库存调整对产业链上游的积极影响。
2024-03-14 12:32:261306 两座技术领先的逻辑芯片厂、一座研发中心和一个先进封装设施，同时扩建三星原有的奥斯汀晶圆厂。建厂补贴最高可以达到64亿美元。 而对应的三星电子在美国半导体工厂的投资额将从170亿美元提高至近450亿美元。450亿美元的资金主要用于三星在德
2024-04-16 18:39:331916 近日，据韩国媒体报道，全球领先的半导体制造商三星即将在今年推出其高带宽内存（HBM）的3D封装服务。这一重大举措是三星在2024年三星代工论坛上正式宣布的，同时也得到了业内消息人士的证实。
2024-06-19 14:35:501643 三星电子即将启动一项计划，将其位于中国西安的NAND闪存工厂以及其他前端和后端工艺生产线的旧设备进行销售。这些设备原本因美国政府的压力而积压，现预计将通过中国本土企业或第三方进行出售，过程预计将于2025年正式展开。
2024-11-06 14:00:041777 近日，业界传出消息称，三星电子将大幅削减MLC NAND闪存的产能供给，并计划在2024年底停止在现货市场销售该类产品，而到了2025年6月，MLC NAND闪存可能会正式停产。这一消息引起了业界
2024-11-21 14:16:121474 还将进一步迈出重要一步——建设第九代V-NAND(286层技术)产线。 报道指出，为了实现这一目标，三星西安NAND厂将在今年上半年引入生产第九代V-NAND所需的新设备。这些先进设备的导入，将为产线建设提供坚实的基础，确保技术升级顺利进行。 据悉，三星西安NAND厂的目标
2025-02-14 13:43:271089 （约99亿美元）。报道称此次投资将会主要集中在西安二期工厂和平泽P2工厂。据悉，存储相关设备的投资已经先行。br /nbsp;br /西安二期为NAND Flash工厂，目前已订购的设备将在今年6-7月交付产线用于生产128层V6 3D NAND。消息称，西安二期工厂建成后合计月
2021-01-30 06:27:003363 电子发烧友网报道（文/黄山明）近日，铠侠再次宣布，将在2027年实现3D NAND的1000层堆叠，而此前铠侠计划是在2031年批量生产超1000层的3D NAND存储器。三星也在此前表示，将在
2024-06-29 00:03:008061
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