。 IC Insights最新资料显示，随着Flash市场需求增加，各存储器业者为扩大或升级3D NAND生产线，纷纷增加Flash资本支出，使得2017与2018年全球该项支出分别年增92%与16%，达276亿与319亿美元，均高于各当年半导体业者在DRAM与晶圆代工上的资本支出。 而随着主要存储
2019-01-23 09:24:56
1391 减少资本支出。该公司计划在服务器、NAND闪存及DRAM需求和价格下降的情况下灵活应对市场状况。 DRAM价格下降11%，NAND价格下降21% 随着2018下半年内存需求放缓，供应短缺得到解决，内存市场环境迅速变化。因此，SK海力士第四季度合并收入环比下降13％至9.94万
2019-01-27 00:35:009508 三星已将下一代嵌入式半导体存储器产品MRAM纳入生产制造范畴，并在韩国器兴厂区率先进入大规模生产。MRAM号称是次世代记忆体，是继半导体存储器DRAM和NAND Flash之后又一划时代的创新存储器
2019-03-06 16:43:287573 畿道华城的三星华城半导体工厂停电约1分钟。 由于这次事故，三星电子停止了其位于韩国华城芯片工厂的部分DRAM和NAND闪存芯片生产线，该公司目前这些产线正在检修中。 预计损失将小于三星平泽半导体工厂在2018年的损失。在平泽半导体工厂停电期间，三星
2020-01-02 10:45:156202 半导体产业历经过去一年多低迷期后，近日芯片价格终于出现反弹迹象，令券商看好三星电子及SK海力士（SK Hynix）两大韩国芯片业者今年获利好转。 券商分析预计，今年第一季DRAM及NAND
2020-01-05 00:15:004400 在2019年收入和利润率大幅下降之后，SK Hynix宣布计划削减其资本支出。尽管市场已经显示出复苏的迹象，但该公司不确定对DRAM和NAND的需求，因此其投资将变得更加保守和谨慎。因此，SK海力士
2020-02-11 11:37:374372 合同价格将环比下跌21%，NAND的环比价格跌幅在12%。 存储芯片存储芯片大厂计划降价 ， 下调业绩预期 三星是全球最大的存储厂商 ， 根据此前的市场营收份额来看 ， 三星 2022 年
2022-07-10 10:07:515293 根据IC市场调研机构最新报道，尽管半导体产业萎靡不振，三大芯片巨头英特尔(Intel)、三星(Samsung)与台积电(TSMC)仍打算在今年下半年增加资本支出，以求进一步拉大与竞争对手之间的差距。据悉，三大芯片商2016下半年的资本支出估算大概为200亿美元，比较上半年增长90%。
2016-08-10 10:58:06843 
三星近来状况频传，在 Galaxy Note 7 电池出包与管理层级涉及行贿被起诉后，近日业界又传出其产业重心存储模组产品良率出问题需紧急召回，由于三星于 PC DRAM 市占过半，这次良率出问题除了可能让三星集团的处境雪上加霜外，也会让价格已上扬的 PC DRAM 价格再度飙高。
2017-03-02 07:10:49809 
日本东芝记忆体与合作伙伴西部数据为全新的半导体设施Fab 6 (6号晶圆厂)与记忆体研发中心举行开幕仪式；东芝记忆体总裁Yasuo Naruke无惧芯片价格下跌疑虑，表示将于9月量产96层3D NAND快闪芯片。
2018-09-20 09:25:425627 3月9日消息 ，在晶圆代工厂产能吃紧的情况下，芯片价格全面调涨，中国台湾地区 NAND Flash 控制芯片厂商群联也从去年第四季度开始调涨报价。业界认为，三星放出奥斯汀工厂 NAND 控制芯片产能
2021-03-09 11:08:364130 步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。同时，另一家半导体大厂
2018-10-12 14:46:09
预告明年的存储器市况持续走低。另外，三星高层主管指出，受到需求趋缓、价格下MAX3232EUE+T滑的影响，市况并不好，三星今年资本支出已创下历史新高纪录，三星今年在半导体部门资本支
2012-09-21 16:53:46
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折，将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士，更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
2025-04-18 10:52:53
那样。即使这样做，到2014年，一个DRAM电容器的容量（Cs）也只有2009年的52％。此次，三星通过将DRAM单元的配置由过去的格子状改成蜂窝状结构、引进减小Cb的“Air Spacer”技术
2015-12-14 13:45:01
对DRAM价格带来不利的影响。三星打什么算盘颇堪玩味，而更多人担心，存储器产业也许在未来几年会有一个大的翻转，已经主导需求超过30年的DRAM、Flash组成存储器产业，会不会在MRAM等新技术出现后
2018-12-25 14:31:36
三星宣布将开发手持式装置用的ＲＦＩＤ（ｒａｄｉｏ ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ ｉｄｅｎｔｉｆｉｃａｔｉｏｎ）读取芯片，能让使用者透过手机得知产品和服务信息，但三星并未透露产品何时上市。 三星指出，ＲＦＩＤ
2019-07-04 07:26:16
的话，英特尔预计在2017年二季度将实现144亿美元的销售额，而三星电子的销售额预计将达到146亿美元。因此如果存储芯片的市场价格在二季度及余下时间里都能持续增长，三星电子将会取代英特尔成为全球最大
2019-04-24 17:17:53
第三季度销售额为62.05万亿韩元，同比增加29.8%。净利润为11.19万亿韩元。三星第三季度业绩表现不错，主要体现在半导体芯片价格持续高涨以及OLED面板市场供不应求。伴随着三星管理层的重组，加之三星半导体芯片以及OLED面板的扩产，可以预料其第四季度营收也将极为可观。
2017-11-01 15:56:56
客户需求。他亦看好网路、伺服器等资讯基础建设产品，为了因应未来的发展，美光不会放弃任何购并的机会。此外，三星电子计划大举扩张资本支出，业者认为，恐引发DRAM将再度供过于求。美光并不担心DRAM
2022-01-21 08:28:38
增加资本资出扩产投资后，DRAM价格往往是衰退的。2017年的DRAM资本支出上涨81%至163亿美元，2018年预计将攀升40%至229亿美元。在这些水平上的资本支出，通常会导致大量新增产能，随后
2018-10-18 17:05:17
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2020-12-01 17:34:19
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2021-09-03 19:23:00
10%，2009年增长约20%。主要DRAM供应商三星(Samsung)电子和海力士(Hynix)半导体的价格自4月以来反弹，促使业内高管预期市场供需在今年下半年恢复平衡。 闪存价格持平 全球
2008-06-16 14:45:42
对DRAM芯片的强劲需求将继续超过供应，因三星和第二大记忆体芯片厂商SK海力士的新厂料在2019年前不会投产；此外，截至9月NAND闪存的需求则连续第六季超过供应。供苹果新手机使用的有机发光二极体（OLED）面板的销售增长，也支撑了第四季获利创纪录新高的预期。
2017-10-13 16:56:04
年收购电子芯片，收购电子IC，收购DDR ,收购集成电路芯片，收购内存芯片，大量回收SDRAM、DRAM、SRAM、DDR内存芯片系列，三星，现代，闪迪，金士顿，镁光，东芝，南亚，尔必达，华邦等各原装品牌。帝
2021-08-20 19:11:25
时间回到2018年第一季度，三星、东芝、美光等公司的NAND芯片利润率是40％，但是第一季度过后NAND价格就开始暴降，据统计去年上半年NAND闪存价格下跌了至少50％，而根据分析师表示，未来每年
2021-07-13 06:38:27
，计划将合作范围自现行的液晶面板事业扩大至事务机事业。据报导，夏普计划以OEM的形式提供事务机给三星(即为三星代工生产挂上三星品牌的事务机产品)，且为加强彼此的合作关系，三星也可能对夏普进行追加
2013-08-05 14:19:28
三星的K9F1G08U0A nand flash芯片，手册说有Unique ID可以用，但是没有说明具体怎么操作。另外在其他三星nor flash芯片手册中有看到OTP区域，可以来保存Unique
2017-03-21 09:22:02
包括：DRAM、NAND FLASH、NOR FLASH。DRAM动态随机存储器（Dynamic RAM），“动态”二字指没隔一段时间就会刷新充电一次，不然内部的数据就会消失。这是因为DRAM的基本单元
2019-09-18 09:05:09
DNW软件只能用于三星的ARM芯片吗？
2019-08-05 22:52:59
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2021-07-06 19:32:41
苹果NAND Flash减单 三星、新帝策略转向
由于传出大客户苹果(Apple)开始减少下单，加上原本三星电子(Samsung Electronics)供应NAND Flash数量相当有限，12月供应量控制亦开始
2009-11-28 15:59:33568 三星将加大内存芯片资本支出并建新生产线
据韩国媒体报道，全球最大内存芯片生产商三星电子今年可能加大对内存芯片的投资，并建立一条新生产线。
2010-01-25 10:03:251092 上周东芝及西部数据宣布，已研发出堆叠64层的3D NAND Flash制程，并将于2017年上半年开始量产，不过恐怕仍无法超车NAND Flash市占王三星。
2016-08-02 14:53:261430 再增加6%，预期三星、英特尔今年资本支出均年增逾两位数，台积电则减2%，使得台积电今年资本支出预估100亿美元，低于英特尔的120亿美元、退居第三位。
2017-03-06 17:38:11754 三星、SK海力士、东芝、西数、美光和英特尔在将生产线从2D-NAND转至3D-NAND之后，产能和价格上涨问题将获得部分缓解。三星位于韩国京畿道平泽市的新半导体工厂近日已基本完成，预计将在今年7月份开始正式运营。
2017-04-13 15:21:544243 
在内存市场上三星已经占据了大半的江山，据悉，明年三星还将继续在生产方面的资本支出预算提到1.5倍，是想进一步垄断DRAM和NAND闪存市场，可以说这是一场260亿美元的豪赌。
2021-08-27 14:38:541349 内存指标大厂三星和美光释出今年内存市况分析，储存型闪存（NAND Flash）和DRAM市况不同调 。三星和美光同指本季NAND价格持续下探，但DRAM价格在服务器及移动设备、车用等应用多元下，价格将持稳到年底。
2018-06-21 18:45:001187 三星靠内存芯片价格暴涨，DRAM芯片、Galaxy S8智能手机的强劲销售取得创纪录的利润，计划将给员工发放相当于月工资的4倍的特别奖金。
2018-01-31 10:26:001071 的NAND flash厂商三星从中获益最多，依靠NAND flash和DRAM存储芯片业务其芯片业务营收在2017年一举超越Intel成为全球最大的半导体企业，此前Intel霸占全球半导体老大的位置长达20多年。
2018-05-31 12:10:001612 ，因而引来政府关注，将可能使今年第一季的 DRAM 价格受到抑制。而目前三星是全球最大的存储器芯片厂商，有近 48％ 的全球市占率。
2018-07-02 18:31:00956 根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。 之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平
2018-03-06 18:59:115298 从2016年第一季度至2017年第三季度，这三家公司的全球DRAM芯片销售额提高了一倍以上，原因是三家公司的产量下降，并串谋操纵芯片价格。
2018-05-02 09:54:265851 韩国业界最近指出，三星电子2019年的NAND Flash资本支出将达90亿美元，预计将以韩国平泽、中国西安为主，扩大高容量3D NAND生产规模，期望拉大与其它竞争对手间的差距。
2018-08-05 11:53:421631 日媒报道称三星明年的资本支出将下滑8%，其中DRAM内存投资大砍20%，三星针对DRAM产品不会考虑拼占有率而降价，砍投资的目标是维持内存高价位。
2018-10-09 10:46:394310 报导进一步指出，虽然针对存储器的投资总体会减少。但是，在DRAM及NAND Flash快闪存储器上还是有区别的。分析师认为，三星在2019年的半导体投资将减少8%，但NAND Flash快闪存
2018-10-10 15:38:114645 据日媒指出，三星2019年针对存储器的投资总体会减少，但是在DRAM及NAND Flash上的策略有所不同。其中，在DRAM部分，三星将大减20%资本支出；而在NAND Flash部分，三星的投资仍将持续增加。
2018-10-10 16:13:443814 据TrendForce旗下的DRAMeXchange发布的最新报告显示，本应该是购物旺季的Q4，DRAM芯片和NAND Flash芯片的合约采购价均呈现疲软的态势，其中DRAM预估下滑5％或更多。所以大家所关心的内存和SSD产品在接下来的一段时间内有希望迎来一波降价浪潮。
2018-10-11 16:12:291048 据报道，三星电子表示持续两年的内存芯片热潮已经结束。由于芯片业务占三星利润近五分之四，三星电子今年将削减27％的资本支出。三星还提到，“展望2019，由于季节性因素，2019年第一季度的盈利将会疲软，因为全球对电子设备需求正在不断下降。
2018-11-02 15:58:36683 据相关数据显示，三星在DRAM芯片市场占有46%左右的市场份额，在NAND Flash市场占有近四成的市场份额；而NAND Flash存储芯片从2016年大涨至去年，DRAM则从2016年涨至今
2018-11-05 16:31:564306 集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新研究显示，随着下半年各家原厂最新64层堆栈的3D-NAND Flash产能开出，在三星及美光等领头羊带领下，预估第三季3D-NAND Flash
2018-11-16 08:45:591450 记忆体的3D NAND flash大战即将开打！目前3D NAND由三星电子独家量产，但是先有东芝(Toshiba)杀入敌营，如今美光(Micron)也宣布研发出3D NAND，而且已经送样，三星一家独大的情况将划下句点。
2018-12-13 15:07:471294 据相关新闻报道，三星计划明年削减内存芯片的产量，使内存和闪存的增长率分别低于20%和30%。三星在11月份召开的第三季度财报电话会议上说，内存的年增长率预计为20%左右，闪存为40%左右。
2018-12-28 15:02:233972 持续上涨两年多的DRAM内存价格在今年Q4季度终于由涨转跌了，三星、SK Hynix及美光三大内存芯片供应商都在想方设法应对即将到来的降价周期，这三家公司已经确定会削减明年的资本支出，不再大幅增加内存产能以减缓内存降价趋势。
2018-12-28 15:04:283401 先前反垄断局针对DRAM三大业者，三星电子(Samsung Electronics)、SK海力士(SK Hynix)及美光(Micron)展开反垄断嫌疑调查，据悉最近调查已告一段落，调查与开罚的理由，也从原先的DRAM价格垄断转至NAND Flash捆绑销售。
2018-12-29 09:22:514036 美光宣布将资本支出削减至30亿美元，产能增幅从20%下修到15%左右；SK海力士2019年的资本支出将减少至55亿美元；三星宣布终止其平泽工厂的产能扩张，三星半导体年产量增长率降至20％左右，创历史新低。
2019-01-08 14:19:395615 作为全球最大的NAND Flash和DRAM生产商的三星成为最大受益者，其半导体营收快速增长，2017年其半导体业务收入一举超越Intel成为全球最大的半导体企业，夺走了Intel霸占24年的半导体
2019-03-07 08:35:363558 三星上季大砍NAND Flash和DRAM报价后，NAND Flash价格接近亏损边缘，决定本季起不再降价。
2019-05-08 08:47:554026 在2016年的旧金山闪存峰会上，三星公布了Z-NAND与Z-SSD的相关信息。后者基于第四代V-NAND，但由于具有一些新的特性（介于DRAM内存和NAND闪存之间）、包含独特的电路设计与优化后的主控，三星于是用Z-NAND来命名这款闪存芯片。
2019-08-31 09:43:426632 随着NAND Flash价格的连续走低，为了防止过量的NAND闪存供应导致市场崩溃，三大NAND生产厂商、Intel、美光以及SK海力士已经共同宣布将采取手段遏制供大于求的现状，具体来讲就是全方位
2019-10-12 10:01:221136 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:543205 如果存储芯片价格下滑，DRAM与NAND闪存的销售额，还能否达到预期就存在变数。研究机构预计今年全球DRAM的销售额，将达到645.55亿美元，同比增长3.2%；NAND闪存的销售额预计将达到560.07亿美元，同比增长27.2%。
2020-08-17 16:34:053601 统计数据： 对目前市场主要的Nand Flash厂商及其产品进行梳理，以下是具体内容： 三星 1、三星SSD 980 PRO 三星电子推出首款消费类PCIe 4.0 NVMe SSD：三星SSD 980
2020-11-04 14:17:5917671 而三星正利用这一时期扩大领先优势，三星计划明年将DRAM、闪存和代工芯片的月晶圆产能分别扩大3万、6万和2万片。
2020-11-24 14:34:082248 （41%）与NAND Wafer（8%），由于供货商数量远高于DRAM，加上供给位元成长的幅度居高不下，预计2021年价格仍将逐季下跌。展望明年第一季，在三星、长江存储（YMTC）、SK海力士与英特尔
2020-12-15 09:31:301863 近日，据韩媒报道称，三星的研发人员收到了中断1b工艺DRAM芯片开发的命令，要求直接研发1c工艺DRAM芯片，也就是跳过12nm工艺直接研发11nm工艺。 在此之前，三星也做出过类似的决定。曾经各大
2022-04-18 18:21:582244 去年存储芯片价格持续上涨，今年却价格一路向下。据上海虹口区一家数码电子商城显示，容量 1TB 的 M2 接口的存储器三星 980 去年价格一度上涨至 1400 元左右，目前已经不到 700 元。
2022-09-28 14:43:111481 SK海力士透露，第三季度用于设备和服务器的DRAM芯片价格环比下降了约20%；服务于数据存储市场的NAND闪存芯片价格跌超20%。
2022-10-27 13:03:511456 据经济日报报道，存储大厂美光近日表示，正采取进一步的动作来应对存储市场情况，包含减少DRAM和NAND晶圆产量，本季将比上季减少20%左右，并计划进一步削减资本支出。 美光昨日发布的声明指出，正在
2022-11-17 11:27:341465 中长期需求。因此，总而言之，今年的(资本支出)计划预计与前几年类似。” 不过，1月31日，有行业消息称，因今年第一季度可能出现巨额运营亏损，三星电子正考虑削减芯片投入，以生产更少的DRAM(动态随机存取内存)和NAND(计算机闪存设备
2023-02-11 01:48:301226 近日有消息称，三星电子在当地时间周四发布的二季度财报中预计，存储芯片的需求在下半年将逐渐恢复，但是即便如此，三星电子并没有计划增加产量，并且打算继续削减DRAM和NAND闪存的产量
2023-07-31 10:31:16816 业界认为，三星电子的减产可能会带来3d nand价格上涨的效果，从而可能会改变nor、slc nand的购买战略。美国外国人认为，slc nand和nore产品第四季度不会上调价格。
2023-09-11 11:35:042024 随着行动内存芯片市场迹象显示出复苏迹象，并且最早在第四季度供不应求，三星电子已宣布将提高动态随机存取存储器（DRAM）和NAND闪存芯片的价格，幅度达到10%~20%。 韩国经济日报报道，知情人
2023-09-13 14:22:341161 据业界透露，三星电子存储器部门最近决定向小米、oppo、谷歌等主要智能手机制造企业提出上调价格。主要顾客三星电子移动保险（mx）部门也计划上调价格。一家半导体企业表示：“中国客户订购是因为相信海外销售额会比国内销售额进一步增加。”
2023-09-14 10:16:062121 日前有消息称，存储芯片领域正在迎来一轮明显的复苏，特别是移动DRAM芯片销售行业。
2023-09-14 10:42:471744 9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。
2023-09-14 10:56:18908 三星公司计划在下半年再次削减DRAM制程的产能，而今年以来这一减产主要针对DDR4。业界普遍预期，三星的目标是在今年年底之前将库存水平降至合理水平。这一减产举措可能会导致DDR4市场价格上涨，而目前
2023-09-15 17:42:081808 据消息人士透露，nand闪存价格从第三季度初的最低点开始逐渐反弹，到目前为止已经上涨了10%以上。他表示：“nand价格上涨将为dram价格上涨营造有利的市场氛围。存储器模块制造企业正在密切关注dram价格反弹的时间。
2023-09-20 10:19:501370 平泽p3 晶圆厂是三星最大的生产基地之一。据报道，三星原计划将p3工厂的生产能力增加到8万个dram和3万个nand芯片，但目前已将生产能力减少到5万个dram和1万个nand芯片。
2023-10-08 11:45:571540 在芯片供应过剩、需求低迷的情况下，DRAM芯片现货价格自2022年2月以来一直处于下跌状态。三星和SK海力士自去年底开始大幅削减芯片产量，导致芯片库存资产触底反弹，芯片价格持续走低。价格依次回升。
2023-10-09 16:35:591336 三星内部认为当前NAND Flash供应价格过低，计划从今年四季度开始调涨NAND Flash产品的合约价格，涨幅预计在10%以上。
2023-10-10 17:15:371879 Kim Jae-jun补充道：“三星电子将通过维持投资来进一步巩固其在尖端存储器市场的地位，以确保其中长期竞争力。”三星电子负责半导体业务的DS部门计划每年投资47.5万亿韩元的资本支出。
2023-11-03 16:17:571753 部分存储模组厂已接到三星通知，要求明年年初至少将DRAM价格上调15%以上，且该通知并未涉及NAND闪存定价，故预计后者将会持续上涨。DRAM价格在去年年底上涨2%-3%，不及3D TLC NAND约10%；
2024-01-03 10:46:211562 根据最新的存储器模组行业消息，随着自2023年下半年以来NAND Flash价格一路攀升，三星电子和美光等主要存储器制造商计划在Q1上调DRAM价格，涨幅预计将达到15%-20%。 业内分析师指出
2024-01-03 18:14:161738 当前，人工智能热潮助推了三星存储芯片销售。尽管2023年因DRAM、NAND供应异常充足，导致价格大跌，使其陷入严重亏损，但得益于减产政策的成效，近期此类芯片价格有所反弹。
2024-01-04 09:41:38968 消息透露，自2023年末起，存储芯片价格逐渐上涨；尽管整个行业陷入衰退期，受服务器和数据中心应用拉动，先进DRAM芯片需求依然稳健。而在另一方面，NAND闪存需求预计将继续走弱。
2024-01-09 15:16:121426 三星计划NAND闪存价格谈判 欲涨价15%—20% 三星认为NAND Flash价格过低；在减产和获利优先政策的促使下三星计划与客户就NAND闪存价格重新谈判，目标价位是涨价15%—20%。
2024-03-14 15:35:22995 在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035 AI技术的蓬勃发展正以前所未有的速度推动着存储器产业的飞跃，其中，海量数据的激增对存储容量与性能提出了更高要求，使得NAND Flash技术的重要性日益凸显。在此背景下，全球存储巨头如三星和铠侠，在深耕DRAM市场的同时，也持续加大对NAND Flash技术的投入与创新。
2024-07-05 15:39:371592 近日，三星电子宣布了一项重大市场决策，计划在第三季度对其DRAM和NAND闪存存储芯片进行15%-20%的价格调整。这一举措背后，是人工智能领域对高性能存储芯片需求的急剧攀升，预示着存储芯片市场正迎来新一轮的价格上涨周期。
2024-07-18 09:50:251233 近日，业界传出消息，MLC NAND(多层单元闪存)的产能供给将大幅削减，其中三星电子被指将调整产能。据市场传言，三星计划在2024年底现货市场停止销售MLC NAND，并可能在2025年6月全面
2024-11-20 16:13:301462 近日，信荣证券分析师Park Sang-wook对三星电子的未来前景表达了担忧。他预测，由于客户库存过剩，三星电子在2025年上半年可能会面临内存芯片价格下跌的挑战。 Park指出，尽管下半年芯片价格
2024-11-27 11:22:071225 近日，三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施，以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道，三星决定将该工厂的晶圆投入量削减超过10%，预计每月
2025-01-14 10:08:09852 近日，三星电子已做出决定，将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前，全球NAND闪存市场面临供过于求的局面，预计今年NAND闪存
2025-01-14 14:21:24867 。 继美光和三星宣布减产计划后，全球第二大NAND Flash厂商SK海力士也宣布了减产决定。据悉，SK海力士计划将上半年NAND Flash存储器的产量削减10%。这一决定无疑将对市场产生深远影响。 根据机构先前发布的报告，SK海力士在NAND Flash存储器领
2025-01-20 14:43:551096 nm DRAM。 这一新版DRAM工艺项目被命名为D1B-P，其重点将放在提升能效和散热性能上。这一命名逻辑与三星此前推出的第六代V-NAND改进版制程V6P相似，显示出三星在半导体工艺研发上的持续创新与投入。 据了解，在决定启动D1B-P项目时，三星现有的12nm级DRAM工艺良率
2025-01-22 14:04:071411 电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日有消息称，三星计划在今年第四季度将NAND Flash产品的价格提高10%以上，预计最快会从10月开始涨价。与此同时，为了加速去库存以配合涨价，三星自今年以来就一直
2023-10-08 09:01:373853
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