三星内存芯片最高涨20%

据韩媒报导，由上游持续减产和下游需求逐渐提升，内存芯片市场出现复苏迹象，且最快第4季转为供不应求，三星电子已调涨DRAM与 NAND芯片价格10%~20%。

三星内存芯片最高涨20%

9月12日，据《韩国经济日报》报导，三星电子近期与客户（谷歌等手机制造商）签署了内存芯片供应协议，DRAM和NAND闪存芯片价格较现有合同价格上调10%-20％。三星电子预计，从第四季度起存储芯片市场或将供不应求。

与此同时，三星还计划以更高价格，向自家生产Galaxy系列手机的移动业务部门供应存储芯片，以此反应移动芯片价格上涨的趋势。

三星 DRAM 开发的部门负责人 Hwang Sang-Jun 也在近日表示，从第三季开始内存市场的供需正在达到平衡，第四季开始将出现大量的需求，明年基本会是「需求主导」的市场。

此外，三星、苹果等主要智能手机公司纷纷推出新产品进行创新竞争，也被认为内存行业的一大利多因素，因为这需要更多的内存来提高智能手机的性能。业界认为，智能型手机使用的 DRAM 容量每年增长超过 5%。

上游原厂的涨价，也带动了中间通路及下游厂商的一系列动作。

台媒经济日报今日也报道，随着上游NAND Flash原厂如三星、铠侠、SK海力士等开始拉高晶圆合约价，由于中间通路及下游系统模块厂手中库存低于正常季节水平，引发终端业者抢货，将进一步带动第4季内存模块价格全面走扬。

先前通路商及下游系统模块厂因市况不佳，加上预期价格可能持续下跌情况下，尽量降低持有内存库存。而后，随着内存原厂价格喊涨，原先就没有相关库存的终端业者，为抢拿中间通路及下游系统模块厂所剩不多的相对低价库存，开始使出浑身解数拉货。

由于终端业者拉货力道强劲，包括消费性SSD、存储卡及随身碟，手机相关零组件如eMMC、eMCP价格全面走扬。供应链传出，目前平均涨幅约在个位数左右，由于部分内存产品库存水位相对较低，因此第4季的涨幅有上看双位数水平。

价格持续走高

在DRAM市场， 价格逐步上涨主要由 LPDDR5X 等智能手机的最新产品带动。此外，集邦也表示，三星电子第2季开始抑制产量，第3季预料进一步压缩产量，随着库存即将减少，价格看来即将上涨，韩国内存芯片制造商决定调涨最新芯片价格，涨价也可能延续到第4季。

在NAND闪存市场，韩国产业主管说，客户也不再砍单，甚至扩大下单。芯片制造商也已开始减产 NAND 闪存芯片，「内存芯片制造商目前的实际资本支出与芯片投入量，都比今年初预定计划少了一半以上」，「DRAM和闪存芯片今年的供应位成长率可能下滑超过10%」。

随着龙头减产，存储市场拐点已隐隐显现，信达证券指出，前期存储原厂减产效应或已显现，库存去化效果明显，并且伴随着市场备货旺季到来，整体出货节奏加快，价格或已显现拐点，存储周期有望开启复苏。

编辑：黄飞