据悉,三星已经向子公司Semes采购了大量热压(TC)键合机。作为生产堆叠DRAM、高带宽内存(HBM)以及DDR5等前沿技术所需设备之一,这种大型订单预示着三星有望在今年全力拓展先进DRAM产品。
消息透露,自2023年末起,存储芯片价格逐渐上涨;尽管整个行业陷入衰退期,受服务器和数据中心应用拉动,先进DRAM芯片需求依然稳健。而在另一方面,NAND闪存需求预计将继续走弱。
考虑到TC键合机订单数量庞大,据知情人士预测,三星还可能扩展订购广达制造的Syndion(适用于硅通孔(TSV)蚀刻)及泛林集团的Damascene SABRE 3D设备两款,也主要用于HBM的制备过程。
此外,据相关媒体报道,三星计划提升1a、1bDRAM芯片产能。
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