SK Hynix将在2020年削减资本支出 加速过渡1z nm DRAM和128L 4D NAND

在2019年收入和利润率大幅下降之后，SK Hynix宣布计划削减其资本支出。尽管市场已经显示出复苏的迹象，但该公司不确定对DRAM和NAND的需求，因此其投资将变得更加保守和谨慎。因此，SK海力士将专注于加速技术转换以削减成本并为下一代产品做准备。

收入同比下降33％

SK海力士2019财年的收入为26.99万亿韩元（225.67亿美元），比2018年下降了33％，而其净收入总计为2.016万亿韩元（16.85亿美元），比2018年大幅下降了87％。 2019年第四季度，该公司公布的收入为6.927万亿韩元（57.92亿美元），比去年同期下降30％，营业利润为2360亿韩元（1.973亿美元），与去年同期相比下降95％ 。

SK Hynix将今年最后一个季度的微不足道的利润归因于DRAM的平均销售价格比上一季度下降了7％，这是因为比特出货量增长了8％，以及NAND定价持平，因为比特出货量增长了10％。同时，SK Hynix本季度的净亏损总额为1,180亿韩元（9866.2万美元），因为它必须重新评估其在Kioxia的投资。

资本支出削减

SK Hynix的亏损是由于供过于求以及市场总体不确定性而导致DRAM和3D NAND价格下降的结果。为此，它已确定需要集中精力削减成本和支出，这就是制造商重新考虑其资本支出计划的原因。由于价格下跌，去年SK海力士的资本支出削减了25％（与2018年相比），降至12.7万亿韩元（106.19亿美元）。显然，今年该公司将进一步削减该数量，但目前尚无想要共享的数字。

SK Hynix的首席财务官Cha Jin-seok Cha表示：

“与去年的指导一样，今年的资本支出将同比大幅减少。基础设施资本支出将集中在计划于今年完成的M16，设备资本支出将主要集中在向1y纳米[DRAM]和96和128层[3D NAND]的技术移植上。同时，由于我们今年继续将M10中的DRAM容量转换为CMOS图像传感器，并将2D NAND容量转换为3D，因此，对于DRAM和NAND，年底时的晶圆容量计划将低于年初。 ”

加速过渡并专注于高价值产品

今年对3D NAND和DRAM的比特需求将毫无意外地继续增长，因此没有生产商可能会削减比特产量。因此，SK Hynix打算加快向较新工艺技术的过渡，以降低其每位成本。此外，该公司计划确保其下一代产品没有“毛刺”。

SK Hynix表示，到今年年底，使用第二代10 nm级制造工艺（1Y nm）制造的DRAM的份额将增加到40％。在NAND方面，该公司生产的一半以上NAND位将在2020年上半年使用其96层3D NAND技术制成。

车镇锡先生说：

“公司将通过在技术移植过程中稳步提高技术成熟度，并准备无故障的下一代产品，来加快成本削减。到年底，DRAM中1y纳米产品的很大一部分将增加到40％的水平，而对于96层3D NAND，它将在上半年过渡。”

更先进的工艺技术有望降低SK海力士的成本，但为了提高收入和盈利能力，该公司计划更好地应对高价值市场和产品。特别是，该公司将“积极”响应业务DRAM方面对LPDDR5，GDDR6和HBM2E的需求，并增加一般固态硬盘和数据中心驱动器（尤其是NAND方面）的销售。

首席财务官说的是：

“我们还将积极支持LPDDR5，GDDR6和HBM2E市场，这些市场有望通过增强质量竞争力并将我们的产品组合扩展到战略市场，从而在今年实现全面增长。我们将加快用于数据中心的SSD产品的销售，并继续增加SSD销售的份额，该份额在去年第四季度首次突破了30％。”

1z DRAM和128层4D NAND将于2020年推出

去年，SK Hynix完成了其用于DRAM（1Z nm）的第三代10 nm级工艺技术的开发，并开始了其128层“ 4D” NAND（官方仍将其称为“ 3D NAND”）的样品出货。该公司的电荷陷阱闪存（CTF）设计以及外围单元电池（PUC）架构。

今年，这两种技术都将用于批量生产，但是它们的份额不会很大。

“我们将在今年内开始批量生产下一代产品1z纳米[DRAM]和128层3D NAND。”

像其他行业参与者一样，SK Hynix看到了5G和AI等新兴技术的巨大应用潜力，这就是为什么它总体上对未来保持乐观的原因。同时，尽管有一些复苏的迹象，但根据公司管理层的说法，并非一切都恢复了正常，因此该公司在预测和支出方面都比较保守。