三星确认建厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能

根据韩国媒体的报导，韩国存储器大厂三星已经确认，将会在韩国平泽市兴建一座新的半导体工厂，用于扩大DRAM、NAND Flash快闪存储器的产能。

之前，韩国媒体《FN News》曾经引用业界人士和平泽市官员说法报导指出，三星电子将召开管理委员会议，决定是否兴建第2座芯片厂，并于农历新年后宣布决定。报导指出，总投资额可能约为30万亿韩元（约27.6亿美元）。

而根据《FN News》的进一步报导，目前三星已经在韩国平泽市有了一座大型工厂，这座工厂从2017年开始在进行64层堆叠NAND Flash快闪存储器颗粒的生产工作。而新工厂暂时名为P2 Project，就在距离旧工厂不远处。

目前该新工厂的投资额达30万亿韩元（约27.6亿美元），不过暂时不清楚是初步投资金额还是总投资金额。至于会采用独资或者是合资的方式来兴建，三星目前也没有透露更多的消息。

报导进一步指出，现在这座新工厂已经开始建设，而且管道铺设工程也已经接近尾声。

未来，新工厂完成兴建之后，将会拥有同时生产DRAM、NAND Flash快闪存储器的能力。但是目前三星并没有对外披露具体的生产计划。

外界预估，届时DRAM、NAND Flash快闪存储器的生产应该会各占产能的一半，而且三星会根据市场的需要进行动态调整，以此来决定DRAM或NAND Flash快闪存储器的产能高低。

根据规划，三星的这一座新工厂将会在2019年年底完工。因为，设备的采购和人员的到位也还需要一段时间。

因此，三星最迟也要在2018年年底决定生产DRAM、NAND Flash快闪存储器的比例。

市场人士认为，目前NAND Flash快闪存储器的缺口不是很大，原有的工厂产能也没有达到满载情况，但是DRAM市场目前却处于供不应求的状态，所以新工厂应该会以DRAM为主。

这样的话，只要新工厂完成后投入生产，DRAM的产能就会得到进一步的提升，纾解当前DRAM不足的问题。

来源：财经新报