看好后续eMMC放量出货,将推升整体NAND营收状况。 旺宏电子称,目前市场真正短缺的并非MLC NAND 芯片本身,而是eMMC模组。随着部分厂商相继宣布停产
发表于 08-08 09:12
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深圳帝欧电子回收三星S21指纹排线,收购适用于三星S21指纹模组。回收三星指纹排线,收购三星指纹排线,全国高价回收三星指纹排线,专业求购指纹
发表于 05-19 10:05
三星电子在 HBM3 时期遭遇了重大挫折,将 70% 的 HBM 内存市场份额拱手送给主要竞争对手 SK 海力士,更是近年来首度让出了第一大 DRAM 原厂的宝座。这迫使三星在 HBM4 上采用
发表于 04-18 10:52
据媒体最新报道,韩国三星电子的晶圆代工部门已正式解除位于平泽园区的晶圆代工生产线的停机状态,并计划在今年6月将产能利用率提升至最高水平。这一举措标志着三星在应对市场波动、调整产能策略方
发表于 02-18 15:00
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近日,据韩媒报道,三星位于中国西安的NAND闪存工厂正在加速推进技术升级与产能扩张计划。该工厂在成功将制程从第六代V-NAND(即136层技术)转换至第八代V-
发表于 02-14 13:43
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月7日正式发表声明进行回应。公司方面明确表示,关于赵明加盟字节跳动的消息并不属实,公司并未与赵明就加盟事宜进行过任何接触或谈判。这一声明迅速澄清了市场关于赵明可能加入字节跳动的猜测。 同时,字节跳动还否认了自行研发并
发表于 02-10 09:12
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据报道,三星电子已正式否认了有关其将重新设计第五代10nm级DRAM(即1b DRAM)的传闻。这一否认引发了业界对三星电子内存产品策略的新
发表于 01-23 15:05
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近日,三星电子宣布了一项重大决策,将大幅削减其晶圆代工部门在2025年的设施投资。据透露,与上一年相比,此次削减幅度将超过一半。 具体来说,三星晶圆代工已将2025年的设施投资预算定为
发表于 01-23 14:36
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近日,据最新报道,三星计划在2025年大幅削减其晶圆代工部门的投资规模,设备投资预算将从2024年的10万亿韩元锐减至5万亿韩元,削减幅度高达50%。 此次投资削减主要集中在韩国的两大
发表于 01-23 11:32
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据DigiTimes报道,三星电子对重新设计其第五代10nm级DRAM(1b DRAM)的报道予以否认。 此前,ETNews曾有报道称,三星电子内部为解决12nm级DRAM内存产品面临的良率和性能
发表于 01-23 10:04
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、TLC、QLC和PLC。
以SLC NAND为例,每个单元存储数据位数为1位,这意味着每个单元可以存储一个“0”或“1”;类似的,MLC NAND每个单元可以存储数据两位,即“00
发表于 01-15 18:15
近日,三星电子已做出决定,将减少其位于中国西安工厂的NAND闪存产量。这一举措被视为三星电子为保护自身盈利能力而采取的重要措施。 当前,全球NAND闪存市场面临供过于求的局面,预计今年
发表于 01-14 14:21
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近日,三星电子宣布将对其在中国西安的NAND闪存工厂实施减产措施,以应对全球NAND市场供过于求的现状及预期的价格下滑趋势。据《朝鲜日报》报道,三星决定将该工厂的晶圆投入量
发表于 01-14 10:08
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,这两条生产线目前已停止运营。 三星显示的L8线原本包含L8-1-1、L8-2-1、L8-1-2和L8-2-2四条生产线。其中,L8-1-1生产线是最早停产的,于2019年便停止了运营。随着技术的迭代
发表于 12-20 13:48
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NAND只需要提高堆栈层数,目前多种工艺架构并存。从2013年三星推出了第一款24层SLC/MLC 3D V-NAND,到现在层数已经迈进200+层,并即将进入300+层阶段。目前,
发表于 12-17 17:34
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