半导体产业历经过去一年多低迷期后,近日芯片价格终于出现反弹迹象,令券商看好三星电子及SK海力士(SK Hynix)两大韩国芯片业者今年获利好转。
券商分析预计,今年第一季DRAM及NAND Flash芯片价格较前一季增加5%至10%,推动三星今年获利成长。该公司将三星股价评等维持在买入,并将目标股价上修16%至71,000韩元。2日收盘三星股价下跌1%至55,200韩元。
2018年底中美贸易战开打以来,全球经济成长减速再加上智能手机市场接近饱和,导致芯片市场供过于求,价格一路下跌冲击三星获利。近日各国经济数据稍有起色,中美双方也预定在1月15日签署第一阶段贸易协议,令分析师看好芯片价格反弹。
三星在记忆体芯片市场称霸多年,近来更积极抢攻系统芯片及晶圆代工市场。三星在去年4月已宣布,2030年前将投资133兆韩元(约1,140亿美元)扩充半导体事业。
三星集团副会长李在熔为了加速拓展营收来源,新年第一个工作日便亲赴首尔近郊的三星半导体研发中心,视察3nmGAA(环绕闸极)制程发展进度。
李在熔表示,“昔日丰功伟业不能保证未来继续成功。我们必须摆脱陋习,向前探索新未来。”
专家分析预计2022年前三星电子半导体、手机、面板等三大事业都将稳健成长。
无独有偶,花旗集团也表示DRAM芯片价格反弹将让SK海力士今年获利优于预期。花旗将SK海力士第一季营业获利上修10%,全年营业获利也上修5.5%。
SK海力士股价在2日收盘上涨1%至94,700韩元。花旗将SK海力士股价评等维持在买入,并将目标股价上修9.6%至126,000韩元。
-
芯片
+关注
关注
463文章
54440浏览量
469414 -
三星电子
+关注
关注
34文章
15896浏览量
183226 -
SK海力士
+关注
关注
0文章
1014浏览量
41912
发布评论请先 登录
三星NAND涨价100%,存储芯片迎来超级周期
SK海力士荣获2026年IEEE企业创新奖
AI浪潮下的业绩狂飙:SK海力士2026年一季度财报深度解析
KV缓存黑科技!SK海力士“H³存储架构”,HBM和HBF技术加持!
台积电未来10年产能至少翻倍!AI存储需求旺,SK海力士和三星业绩飘红
SK海力士HBS存储技术,基于垂直导线扇出VFO封装工艺
芯片价格酝酿反弹 三星、SK海力士获利有看头
评论