减产有成效，Q4三星NAND Flash要涨价10%，加速存储市场反弹

电子发烧友网报道（文/梁浩斌）近日有消息称，三星计划在今年第四季度将NAND Flash产品的价格提高10%以上，预计最快会从10月开始涨价。与此同时，为了加速去库存以配合涨价，三星自今年以来就一直对NAND闪存以及DRAM减产。

在今年第一季度财报中，半导体业务暴亏4.58万亿韩元（约合249亿元人民币）后，三星改变了此前“不减产”的承诺，表示将调整存储芯片产量。经过半年多的减产等调控措施，从近期包括三星在内的多家存储大厂的动作来看，存储市场似乎即将迈入新的上行周期。

持续减产降低投资，NAND开始大幅涨价

存储器市场是半导体周期的重要风向标之一，周期性较为突出，每次存储器价格的下行都伴随着主流大厂“主动”或“被动”的减产对市场价格进行调控。

三星在今年1月和今年4月分别进行了两次产能调整，降低晶圆投入以降低NAND和DRAM产能，初期减产主要着重于DRAM。而进入下半年，随着产能的下降，部分存储器已经开始出现止跌的迹象。

在4月减产计划进行三个月后，有机构估算，今年7月三星将DRAM晶圆的月产量削减至62万片，同比减少超过12%，创下了公司近两年来的新低，减产效果显著。不过当时由于终端市场的需求并未恢复，尽管三星、SK海力士、美光三大存储厂商希望在三季度拉动DRAM的合约价提高7%-8%，但市场上实质的反弹还未到来。

美光在6月的财报会议上表示，将扩大DRAM和NAND Flash的减产规模，从此前的减产25%扩大至减产30%，并持续到2024年。

SK海力士在二季度财报中提到，NAND Flash的去库存速度相比DRAM更慢，因此公司将进一步扩大NAND Flash的减产幅度。与此同时，SK海力士的投资规模也将同比减少50%以上，产能扩充的重点也将转移到DDR5、HBM3等未来需求上。

三星近期也继续缩减对存储器产能的投资。三星最大的生产基地平泽P3晶圆厂中，此前扩建计划规模如今被缩减为原来的三分之一。三星原计划将P3晶圆厂的产能提升至8万片DRAM和3万片NAND Flash，如今分别被缩减至5万片和1万片。

无论如何，从通过产能调控来提高市场价格的角度看，目前存储厂商的减产措施已经有所成效。

首先是供给端，今年年初三星NAND Flash的库存水位超过20周，最高曾高达28周，三星的目标是在今年年底实现NAND Flash的库存正常化，达到约6到8周的水平。存储厂商在减产的同时，也积极与主要客户重新谈判价格，存储器合约价自下半年以来就开始有所上涨，特别是DRAM产品中，由于供应商在价格谈判中态度强硬，需求方接受涨价，三季度DDR5 DRAM合约价涨幅达到5%到10%。

而需求端方面，由于AI热潮持续，AI服务器对DDR5、HBM等高端DRAM产品需求高涨，带动DRAM价格率先实现反弹。同时因为预期价格的上涨，需求方也开始增加采购力度，因此将会带动DRAM出货以及价格的持续上涨。

一般来说，DRAM由于市面上原厂数量较少，减产带来的去库存涨价效应会更加显著。所以同样的减产策略下，NAND Flash的涨价相对来得更晚。不过在合约价上，近期有消息称三星与多家手机厂商客户，包括小米、OPPO、谷歌签署了存储芯片供应协议，DRAM和NAND Flash价格在现有合同的价格基础上上涨10%-20%，这大概是为了四季度的整体涨价定下基调。

伴随着芯片减产初有成效，三星预计到今年第四季度存储器市场将迎来供不应求的状况。

产品更新迭代进一步提高存储市场预期

在存储市场下行周期，存储大厂都在削减资本支出，将资源集中在创新产品上。更高性能的存储器产品带来更高的附加值，也能拉高整体存储市场的产品均价。SK海力士预计5年后AI服务器内存，包括HBM、DDR4和DDR5在整个服务器内存的市场份额将会从目前的17%提高至38%，因此更高端的存储产品会是包括SK海力士在内，存储厂商未来会重点关注的方向。

今年8月，SK海力士在2023闪存峰会上展示了全球首个300层以上的NAND Flash样品。这款1Tb TLC 4D NAND Flash样品高达321层相比上一代238层的512Gb NAND Flash效率提高了59%，通过对数据单元的堆叠突破，在单位晶圆上实现更大的存储容量产出。

SK海力士的321层NAND Flash将会在2025年上半年开始量产，而针对更大容量的NAND Flash，SK海力士表示对应的PCIe 6.0接口和UFS 5.0规格的产品也已经在开发中。

随后又传出消息称，三星计划在2024年抢先SK海力士量产第九代300层以上的V-NAND Flash，不过三星没有公布相关技术细节。按照三星规划的路线图，到2030年NAND堆叠将超过1000层，能够更好地支持未来的数据密集型应用。

在AI热潮下，AI加速卡以及GPU等应用对DRAM内存带宽需求暴增，从GDDR到HBM，是顺应更高的数据吞吐量而产生的技术更替。

美光在7月率先宣布向客户提供HBM3 Gen2（同HBM3e）的样品，具有1.2 TB/s的聚合带宽，8高堆叠容量为24GB。未来还有12高堆叠版本，容量可达36GB，与上一代HBM2e相比，每瓦性能是上一代的2.5倍。美光还在近期确认，HBM2 Gen2 DRAM产品将会在明年年初大批量出货交付，主要客户包括NVIDIA。

随后的8月，SK海力士也宣布成功开发出HBM3E DRAM，最高每秒可以处理1.15TB数据。SK海力士计划明年上半年将HBM3E投入量产，但交付可能要稍晚于美光。

同时在移动DRAM方面，SK海力士也在今年年初宣布成功开发出LPDDR5T。相比LPDDR5X 8.5Gbps的速率，LPDDR5T再次提升了13%，达到9.6Gbps。而今年8月SK海力士宣布旗下LPDDR5T DRAM已经在联发科新一代天玑9300平台上完成验证，天玑9300+LPDDR5T 将有望成为下一代旗舰手机的“标配”。

写在最后

存储市场的触底比业界此前预测的来得更晚，但各大存储原厂的大规模减产以及强硬的价格谈判态度等措施的作用下，储存市场的反弹在第四季度基本已经成为定局。不过要让存储市场真正迈进上行周期，仅依靠AI服务器以及汽车带来的新需求是远远不够的，最终还需要等待消费终端市场的全面复苏。