SK海力士2024年第一季度将调整DRAM减产计划

据路透社等外媒报道，近日在CES 2024展会期间，韩国存储芯片制造商SK海力士举办了一场新闻发布会，展示了其在人工智能（AI）领域的技术和发展计划。SK海力士社长兼CEO Kwak Noh-Jung表示，由于人工智能需求的增长，公司市值预计在未来3年内翻倍，从当前的100万亿韩元增至200万亿韩元。

尽管在2023年面临存储芯片市场下滑和价格下跌，SK海力士因应人工智能芯片需求的增长，尤其是高带宽内存（HBM）的激增，于去年12月成功超越竞争对手三星电子，跃居韩国第二大市值的位置。

去年，面对存储芯片市场需求下滑，包括SK海力士在内的上游存储芯片制造商纷纷减产。然而，随着去年第四季度存储芯片市场的复苏，Kwak Noh-Jung表示公司可能在2024年第一季度调整DRAM的减产计划，并在上半年后对NAND Flash市场采取类似措施。

Kwak Noh-Jung指出，虽然DRAM已现复苏迹象，但NAND Flash的复苏速度相对较慢。

在发布会上，SK海力士进一步表示，公司在HBM市场份额和技术研发方面领先。计划推出高性能产品，包括HBM3和HBM3E，以及最大容量的服务器存储器TSV DIMM、移动存储器LPDDR5 Turbo和服务器DIMM等。此外，还将推出专注于带宽的HBM4和HBM4E等产品，以进一步巩固在人工智能时代的领先地位。

为满足爆炸性增长的人工智能存储器需求，SK海力士正在建设一个占地超过415万平方米的新存储芯片制造基地，预计投资额超过120万亿韩元（927亿美元）。这一庞大产能将使SK海力士能够持续为客户提供服务并及时交付产品。

审核编辑：黄飞