一季度，全球第二大记忆芯片制造商利润创下2012年来的最大跌幅。公司预计DRAM芯片需求将从二季度起复苏。 芯片销售仍然疲弱， SK海力士一季度营业利润同比下跌69%，创下2012年以来的最大
2019-04-25 18:25:10
4343 SK海力士开发的HBM2E DRAM产品具有业界最高的带宽。与之前的HBM2相比，新款HBM2E拥有大约50％的带宽和100％的额外容量。 该公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超过每秒
2019-08-13 09:28:416584 据韩媒报道，SK海力士将在2020年进行一系列的人事调动和业务重组，其中会将DRAM和NAND Flash两大开发部门整合在一起，实现从开发、制造，以及业务的后期处理等统一的管理。 Jin
2019-12-07 00:53:004758 最新消息，SK海力士将在2020年消费电子展（CES）上推出两款消费类PCIe NVMe SSD Gold P31和 Platinum P31。值得注意的是，新款SSD将首次搭载SK海力士128层
2019-12-30 15:57:394178 SK海力士10月6日宣布推出全球首款DDR5 DRAM，频率、容量、能效和功能技术都达到了全新的高度。
2020-10-08 00:54:408383 SK海力士今天正式发布了最新款的企业级SSDPE8000系列，包括PE8010、PE8030、PE8111三款型号，这也是其首款PCIe4.0SSD，无论存储密度、容量还是性能都是世界一流的，甚至
2020-04-08 10:11:536532 SK海力士宣布开始量产业界最高容量的18GB LPDDR5 移动端DRAM产品。此次实现量产的产品将搭载于最高配置的旗舰智能手机，为高分辨率游戏与视频处理需求提供最佳的性能体验。公司预测此产品
2021-03-08 15:03:173190 ，随即开始加强在中国晶圆代工事业的布局。而其中的重点，就是将 SK 海力士旗下负责晶圆代工的子公司 SK Hynix System IC，其为在南韩清州的代工厂设备出售给 SK 海力士与中国企业合资的公司，以持续进行该公司部属中国的计划。
2020-11-11 10:12:403651 极紫外（EUV）光刻技术将DRAM技术扩展到10nm以下，以及将内存和逻辑芯片整合到同一个设备中，以应对不断增加的工作负载。 SK海力士首席执行官李锡熙说：“我们正在改进DRAM和NAND各个领域的技术发展所需的材料和设计结构，并逐步解决可靠性问题。如果以此为基础
2021-03-29 14:38:437477 据韩媒报导，SK海力士将向德国汽车零部件巨头博世（Bosch）提供汽车存储芯片。知情人士表示，SK海力士目前正在草拟独家供应合同的草案。 博世公司相关负责人去年曾参观了SK海力士在韩国的工厂，并
2021-04-06 10:25:017589 4月16日消息 据悉，SK海力士正在与德国汽车巨头博世公司（Bosch）洽谈为其提供汽车存储芯片的事宜。 据称，SK海力士已完成了符合博世要求规格的内存芯片的开发。与消费类设备中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472906 。 图源：SK海力士官网 SK海力士将这一进展定义为：意义非凡。 激进的三星和SK海力士 在谈论EUV DRAM是否非凡之前，我们先了解一些关联技术。从原理上说，光刻技术就是利用光化学反应原理和化学、物理刻蚀方法将掩模板上的图案传递到晶圆的工艺技术。近半个多世纪，半导
2021-07-13 06:36:583394 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布业界首次成功开发现有最佳规格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:472155 
为由，将4家中国公司加入SDN名单。 2. SK 海力士开发出世界首款12 层堆叠HBM3 DRAM ，已向客户提供样品 SK海力士20日宣布，再次超越了现有最高性能DRAM（内存
2023-04-20 10:22:191910 
电子发烧友网综合报道，据韩媒报道，存储行业巨头SK海力士正全力攻克一项全新的性能瓶颈技术高带宽存储HBS。 SK海力士研发的这项HBS技术采用了创新的芯片堆叠方案。根据规划，该技术将通过一种名为
2025-11-14 09:11:212448 
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2021-01-29 17:52:55
海力士反行业主流看法：今年DRAM芯片恐将过剩
2月9日消息，据台湾经济日报报道，在DRAM芯片行业多数企业普遍看好今年市况之际，全球第二大DRAM芯片厂海力士却发
2010-02-09 11:03:13884 全球DRAM二哥海力士（Hynix）认为，DRAM产业下半年起开始复苏。
2012-03-16 09:00:194669 据外媒报道，韩国SK海力士周四宣布，将在韩国和中国投资3.16万亿韩元（约合27亿美元）以提高存储芯片产能，抓住行业内需求增长的机遇。作为全球第二大存储芯片制造商，SK海力士表示，将投资2.2万亿
2016-12-23 09:38:001056 世界第二大存储芯片制造商SK海力士公司将花费31.6万亿韩元(约合1826.35亿人民币)提高产量，以满足不断增长的手机和计算机的存储需求。作为苹果和索尼的供应商，SK海力士公司星期四表示，将投资
2016-12-24 01:07:11981 SK 海力士周一发布全球最高密度、低耗能移动 DRAM，将应用于未来智能手机上。 海力士运用双通道 16 Gigabit 双通道芯片打造出低耗电 DDR4X 移动 DRAM，容量达 8GB。以 LPDDR4X 标准而言，SK 海力士新内存芯片密度是全球最高，功效则较现有 LPDDR4 提高两成。
2017-01-10 11:55:12941
受益于DRMA和NAND市场需求，SK海力士在存储领域的地位大幅提升。据报道，SK海力士将会考虑在中国涉足芯片代工业务，设立一家合资工厂，为没有半导体制造工厂的公司制造芯片
2017-12-20 15:40:481711 据市场分析，GPU业者对绘图DRAM需求料将有增无减，2018年绘图DRAM销量会持续上扬，三星、SK海力士相继量产HBM2，价格比一般DRAM贵5倍。
2018-02-07 14:47:531952 家存储器大厂SK海力士（Hynix）也传出消息，正在研发EUV技术来生产DRAM存储器，未来有机会藉此将生产DRAM的成本降低。
2018-10-29 17:03:244026 )制程DRAM，目前传出进入第三代10纳米(1z)制程开发。SK海力士(SK Hynix)和美光(Micron)也在不断加速先进制程研发速度，追赶三星，预 ... 10纳米级DRAM先进制程竞争
2018-11-12 18:04:02533 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研发完成基于1Ynm工艺的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:358288 SK海力士官方宣布，公司已经研发出单颗容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM内存颗粒，且是首款满足JEDEC标准规范的DDR5。
2018-11-17 11:47:495462 韩国存储器厂 SK 海力士受惠于 DRAM 价格大涨，以及市况持续畅旺，去年第四季净利几乎翻两倍。
2018-12-28 14:40:541160 
受到移动舍必需求钝化、库存屯积的影响，SK海力士主力产品DRAM的价格正急剧下跌，外界观测指出，接连刷新营业利益纪录的SK海力士，这次恐怕无法再缔新猷。
2019-01-22 15:35:131058 据外媒消息，第二大DRAM芯片厂商SK海力士已着手第六代DDR内存即DDR6的研发，预期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:561098 4月18日，SK海力士半导体（中国）有限公司（下简称“SK海力士”）举行主题为“芯的飞跃、芯的未来”的竣工仪式，宣布SK海力士二工厂项目竣工。
2019-04-19 16:30:373771 SK海力士近日宣布，将在提高第一代10nm级工艺(1xnm) DRAM内存芯片产能的同时，今年下半年开始销售基于第二代10nm级工艺(1ynm)的内存芯片，并为下代内存做好准备。SK海力士首款
2019-05-14 10:40:003315 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD硬盘，不过官方并没有公布SSD硬盘的名称，只知道是NVMe标准的，基于72层堆栈的3D TLC闪存，M.2版容量最大4TB，U.2容量可达8TB。
2019-06-21 09:14:583869 对于SK海力士而言，无锡工厂将承担SK海力士存储半导体生产总量的一半份额。
2019-06-21 08:44:404775 据外媒报道，由于DRAM内存芯片价格不断下跌，近期又有华为事件的影响，SK海力士正在计划推迟位于中国无锡的全球最先进内存芯片工厂的投产计划。
2019-06-21 11:33:154426 据报道，由于中美贸易摩擦愈演愈烈，韩国内存芯片大厂SK海力士有意放缓在中国工厂的投产计划。
2019-06-24 17:21:583526 海力士日前在一场会议上就公布了公司的规划，预计在2030 年推出800+ 层的NAND Flash，届时将可轻松打造出100 到200TB 容量的SSD。
2019-08-15 09:05:123089 说起韩国巨头SK海力士，大家肯定都知道他家的NAND闪存、DRAM内存芯片，不过其实在早些年，SK海力士还做过零售SSD产品的，只不过一直没有什么突破，就悄悄退出了，专心经营上游芯片。
2019-08-16 09:03:223985 虽然封装不易，但 HBM 存储器依旧会被 AMD 或者是 NVIDIA 导入。SK海力士宣布推出 HBM2E 标准存储器，而这也是接续 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:491322 SK海力士所研发的行业内首个五代双倍速率（DDR5） DRAM， 达到了电子工程设计发展联合协会（Joint Ele ctron Device Engineering Council，简称JEDEC） 标准， 这项技术正在DRAM市场开拓一片新天地。
2019-10-29 16:16:374434 SK 海力士公司宣布，其已成功开发出 1Znm 16GB DDR4 动态随机存储器（DRAM），创下了业内单芯最大密度的纪录。与上一代 1Y nm 产品相比，其产能提升约 27%，因其无需昂贵的极紫外（EUV）光刻加持，因此更具成本竞争优势。
2019-11-19 11:08:21941 SK海力士日前宣布推出新一代企业级SSD固态硬盘，不过并没有公布新品SSD的名称，有限的信息为支持NVMe协议，采用72层堆栈的3D TLC闪存，M．2版容量最大容量4 TB，U．2版最大容量可达8 TB。
2019-12-09 11:43:572304 本月DRAM现货价格急涨，以DRAM为主力商品的三星电子、SK海力士等半导体企业有望改善营收。
2019-12-18 16:36:543205 根据TPU的报道，SK 海力士展示了LPDDR5原型内存解决方案，旨在为下一代5G智能手机和超便携电脑提供更快的访问速度。SK海力士表示，新款的LPDDR4X已经将速度提高到4667MHz，LPDDR5将进一步提高，频率从5500MHz起步。
2020-01-10 14:46:124525 在最近举办的CES 2020展会上，SK海力士展出了两款新的高端SSD，分别是Gold P31、Platinum P31，最大特点采用了SK海力士自家的4D TLC NAND闪存。
2020-01-13 11:45:553583 SK海力士表示，为了应对以更小模块尺寸实现较高分辨率的竞争，SK海力士旗下的“黑珍珠（Black Pearl）”系列新推出的4款1.0μm（微米）级图像传感器产品将像素尺寸从原来的1.12μm降低到1.0μm。
2020-03-30 14:21:235200 4月8日消息，近日，SK海力士宣布推出基于首款 128 层 1Tb TLC 4D NAND 闪存的企业级 SSD-- PE8111，是针对读取密集型应用设计的高容量存储解决方案。SK海力士是一家全球存储器半导体制造商，其产品组合中包括 DRAM，NAND 闪存和控制器，以及 SSD 的全套技术。
2020-04-09 14:09:194475 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:12:362860 据韩联社报道，投资机构Eugene预测，由于受到新冠肺炎的影响，DRAM价格将在今年下半年下跌，且下修了SK海力士的目标股价。
2020-04-14 16:05:002999 这两家韩国公司将于 9 月 15 日终止与华为的交易。 根据美国商务部的制裁方案，三星电子和 SK 海力士将从 15 日开始停止向华为供应半导体。不仅是存储芯片，连 5G、移动通信 （AP）等系统芯片也将无法供应，华为的存储芯片获取将十分艰难。 不仅是手机
2020-09-15 16:41:402822 据路透社当地时间19日报道援引知情人士称，英特尔正准备将NAND芯片业务，以近100亿美元的价格，出售给SK海力士。若交易达成，将使得SK海力士超越日本Kioxia，成为NAND内存市场的全球第二大厂商，并进一步缩小与行业领头羊三星之间的差距。
2020-10-20 14:10:142309 虽然已经将闪存业务出售给SK海力士，但是Intel还会继续发展存储芯片。日前的存储峰会上，Intel推出了一系列SSD硬盘，包括670P、傲腾H20等，首发了144层TLC、QLC闪存，涵盖消费级、企业级等多个市场。
2020-12-17 10:11:282736 据etnews报道，SK海力士已开始在其位于韩国利川的M16工厂安装EUV光刻机，以量产10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布将在今年年内在M16厂建设产线以生产下一代DRAM，不过并未透露
2021-01-20 18:19:202943 31亿美元）建成了这座芯片工厂，工厂长336米，宽163米，高105米，相当于一座37层公寓的高度，是SK海力士目前最大的芯片工厂。
2021-02-02 15:00:152767 美元）建成了这座芯片工厂，工厂长336米，宽163米，高105米，相当于一座37层公寓的高度，是SK海力士目前最大的芯片工厂。 SK集团董事长崔泰源在颁奖典礼上称，建造新工厂的决定在两年前是十分大胆的，因为当时整个半导体存储芯片市场正处于低迷，如今
2021-02-03 17:23:412264 。 据报道，SK海力士与ASML公司签订了一个超级大单，未来5年内将斥资4.8万亿韩元，约合43.4亿美元购买EUV光刻机。 SK海力士在一份监管文件中称，这笔交易是为了实现下一代工艺芯片量产的目标。 ASML及SK海力士都没有透露这么多资金到底购买了多少台EUV光刻机，不过从之
2021-02-25 09:30:232709 SK海力士今天宣布，已经开始量产18GB LPDDR5移动版内存，存储密度、容量都是世界第一。
2021-03-08 14:41:543203 达到 415 万平方米，计划主要生产 DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度开工，2025 年建成投产。这一大型工厂将包含四个晶圆加工厂，每个月产量为 80 万片。 IT之家此前报道，SK 海力士近日表示，将在未来 10 年内开发 10nm 以下制程工艺的 DRAM 芯片，以及 600 层堆叠的
2021-04-13 11:29:492778 韩国SK海力士公司刚刚正式宣布已经成功开发出业界第一款HBM3 DRAM内存芯片，可以实现24GB的业界最大的容量。HBM3 DRAM内存芯片带来了更高的带宽，每秒处理819GB的数据，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142672 SK海力士在业界率先开发出最新高带宽存储器（HBM， High Bandwidth Memory）产品HBM31，公司不仅又一次创造历史，更进一步巩固了SK海力士在DRAM市场上的领先地位。
2022-09-08 09:28:252219 继SK海力士在去年11月推出的移动DRAM LPDDR5X*，将其性能提升成功开发出了LPDDR5T。本次产品的速度比现有产品快13%，运行速度高达9.6Gbps（Gb/s）。公司为了强调其超高速度特性，命名时在规格名称“LPDDR5”上加以“Turbo（涡轮增压）”作为了后缀。
2023-01-30 11:21:332449 SK海力士季度亏损创纪录 sk海力士2022年财报难看 前一两年还一直听说内存条在不断涨价的消息，现在突然就爆出消息SK海力士季度亏损创纪录，看来大伙的日子都不太好过。 宏观经济的下滑导致了很多需求
2023-02-01 16:52:123954 
Corp. 周四的数据，美光科技在 1 月至 3 月期间获得了了 27.2 亿美元的 DRAM 销售额，比上一季度的 28.3 亿美元下降了 8%。这家美国芯片制造商击败了 SK 海力士，后者的销售额
2023-06-01 08:46:061184 为了实现这一功能，还必须适合用于辅助计算的dram。现有智能手机使用的移动dram的速度是有限的。sk海力士根据苹果公司的要求，提供了最适合操作r1芯片的dram。大幅增加了输入/输出（i/o）频道的数量，可以将数据迅速传送到存储器内外。
2023-07-12 09:39:561019 meta是SK海力士的主要顾客之一，正在购买为构建和扩张数据中心的企业用ssd （ssd）和服务器dram。据悉，对ai服务器投入大量资金的meta还要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服务器dram。
2023-08-30 10:03:331393 近期，有关韩国SK海力士为华为提供关键芯片的消息引起了广泛关注。据某拆解视频显示，华为最新款手机Mate60 Pro的存储芯片上显示着“SK海力士”标识，但未能获取到有关存储芯片核心信息的详细资料。至于麒麟9000s芯片是否采用7nm或5nm工艺目前还没有定论。
2023-09-18 16:58:033085 SK海力士明年计划的设施投资为10万亿韩元（76.2亿美元），超出了市场预期。证券界最初预测“SK海力士明年的投资额将与今年类似，约为6万亿至7万亿韩元”。鉴于经济挑战，观察人士预计严格的管理措施将延续到明年。由于存储半导体价格大幅下跌，SK海力士预计今年赤字将超过8万亿韩元。
2023-11-22 17:28:051540 数据显示，首尔半导体操作 DRAM晶圆及HBM相关设备的定单数量有所上升。其中三星电子已开始扩大其HBM生产能力，并启动大规模HBM设备采购；此外，三星和SK海力士计划加强DRAM技术转移，进一步加大对DRAM的投资力度。
2024-01-08 10:25:221580 随着全球半导体市场的复苏，SK海力士认识到，为了保持市场地位，推出更高性能的DRAM产品是必要的。
2024-01-15 15:53:082080 无锡工厂是SK海力士的核心生产基地，其产量约占公司DRAM总产量的40%。目前，无锡工厂正在生产两款较旧的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:051539 SK海力士正积极应对AI开发中关键组件HBM（高带宽存储器）日益增长的需求，为此公司正加大在先进芯片封装方面的投入。SK海力士负责封装开发的李康旭副社长明确指出，公司正在韩国投入超过10亿美元，以扩大和改进其芯片封装技术。
2024-03-08 10:53:441798 SK海力士，作为全球知名的半导体公司，近期在中国业务方面进行了重大的战略调整。据相关报道，SK海力士正在全面重组其在中国的业务布局，计划关闭运营了长达17年的上海销售公司，并将其业务重心全面转移到无锡。这一决策的背后，反映了SK海力士对于中国市场发展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:252163 HBM3E的推出，标志着SK海力士在高性能存储器领域取得了重大突破，将现有DRAM技术推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:531844 在基础晶圆上通过硅通孔（TSV）连接多层DRAM，首批HBM3E产品均采用8层堆叠，容量为24GB。SK海力士和三星分别在去年8月和10月向英伟达发送了样品。此前有消息称，英伟达已经向SK海力士支付了约合5.4亿至7.7亿美元的预付款，供应下一代HBM3E。 SK海力士和三星都在推进12层
2024-03-27 09:12:081225 SK海力士表示，凭借其在AI应用领域存储器发展的领先地位，以及与台积电在全球顶尖逻辑代工领域的深厚合作基础，该公司有信心持续引领HBM技术创新。通过整合IC设计厂、晶圆代工厂及存储器厂的技术资源，SK海力士将进一步提升存储器产品性能，实现新的突破。
2024-04-19 09:28:041153 SK海力士最近透露，预计其HBM销售额今年将“占其DRAM芯片销售额的两位数百分比”。
2024-04-29 10:50:411195 
SK海力士，作为全球领先的内存芯片制造商，正在积极考虑建设一家新的DRAM工厂。这一决策源于其现有的龙仁芯片集群投产计划的推迟，以及对今年内存芯片需求大幅增长的预测。
2024-05-06 10:52:02982 今日，SK海力士公司宣布了一项革命性的技术突破，他们成功研发出了面向端侧（On-Device）AI应用的全新移动端NAND闪存解决方案——“ZUFS（Zoned UFS）4.0”。这款产品的推出，标志着SK海力士在闪存技术领域的又一次飞跃。
2024-05-09 11:00:301175 在智能手机技术日新月异的今天，SK海力士再次引领行业潮流，成功推出新一代移动端NAND闪存解决方案——ZUFS 4.0。这款专为端侧AI手机优化的闪存产品，无疑将为用户带来前所未有的使用体验。
2024-05-11 10:14:191068 近日，SK海力士与台积电宣布达成合作，计划量产下一代HBM（高带宽内存）。在这项合作中，台积电将主导基础芯片的前端工艺（FEOL）和后续布线工艺（BEOL），确保基础芯片的质量与性能。而SK海力士则负责晶圆测试和HBM的堆叠工作，确保产品的最终品质与可靠性。
2024-05-20 09:18:461055 在DRAM和NAND芯片的生产上，三星和SK海力士两大巨头依然保持谨慎态度。尽管四月份8Gb DDR4 DRAM通用内存的合约价环比上涨，这一上涨主要归因于地震影响美光内存产能，进而推动了通用内存需求的短暂上升。
2024-05-22 14:54:491035 瑞银集团最新报告指出，SK海力士的HBM4芯片预计从2026年起，每年将贡献6至15亿美元的营收。作为高带宽内存（HBM）市场的领军企业，SK海力士已在今年2月宣布其HBM产能已全部售罄，显示其产品的强劲需求。
2024-05-30 10:27:221511 SK海力士在半导体领域再次迈出创新步伐，计划在其第6代（1c工艺，约10nm）DRAM的生产中，首次采用Inpria的下一代金属氧化物光刻胶（MOR）。这一突破性的应用标志着MOR技术正式进入DRAM量产工艺。
2024-05-30 11:02:581506 ）提交了一份关于3D DRAM（三维动态随机存取存储器）的详细研究论文。该论文不仅揭示了SK海力士在3D DRAM领域取得的显著进展，更向世界展示了其在这一未来存储技术上的坚定决心与卓越实力。
2024-06-24 15:35:291746 在全球半导体技术的激烈竞争中，SK海力士再次展示了其卓越的研发实力与创新能力。近日，在美国夏威夷举行的VLSI 2024峰会上，SK海力士宣布了其在3D DRAM技术领域的最新研究成果，其中5层堆叠的3D DRAM良品率已高达56.1%，这一突破性的进展引起了业界的广泛关注。
2024-06-27 10:50:221473 据最新消息，SK海力士正酝酿一项重要财务战略，考虑推动其NAND与SSD业务子公司Solidigm在美国进行首次公开募股（IPO）。Solidigm作为SK海力士在2021年底通过收购英特尔相应业务后成立的独立美国子公司，承载着SK海力士在存储解决方案领域的重要布局。
2024-07-30 17:35:402332 近日，据外媒报道，SK海力士已宣布将其DDR5 DRAM芯片价格上调15%至20%，这一举动在业界引起了广泛关注。供应链内部人士透露，此次涨价的主要原因在于HBM3/3E产能的大幅扩张，对DDR5的生产资源造成了明显挤占。
2024-08-14 15:40:461516 SK海力士近日宣布了一项重要计划，即开发采用4F2结构（垂直栅）的DRAM。这一决策紧跟其竞争对手三星的步伐，标志着SK海力士在DRAM制造领域的新探索。SK海力士研究员表示，随着极紫外（EUV
2024-08-14 17:06:431670 SK 海力士，作为全球知名的半导体巨头，近期宣布了一项重要的扩产计划，旨在通过扩大M16晶圆厂的生产规模，显著提升其DRAM内存产能。据韩媒报道，SK 海力士已积极与上游设备供应商合作，订购了关键生产设备，以加速提升M16晶圆厂在HBM（高带宽内存）及通用DRAM内存方面的生产能力。
2024-08-16 17:32:241920 SK海力士宣布了一项重大技术突破，成功开发出全球首款采用第六代10纳米级（1c）工艺的16Gb DDR5 DRAM。这一里程碑式的成就标志着SK海力士在半导体存储技术领域的领先地位。
2024-08-29 16:39:151255 SK海力士宣布，公司已正式踏入人工智能芯片生产的新阶段，批量生产业界领先的12层HBM3E芯片。这款芯片不仅代表了SK海力士在内存技术上的重大突破，更以36GB的超大容量刷新了现有HBM产品的记录，为全球人工智能领域的发展注入了强劲动力。
2024-09-26 14:24:41878 今日，半导体巨头SK海力士震撼宣布了一项业界瞩目的技术里程碑，该公司已成功在全球范围内率先实现12层HBM3E芯片的规模化生产，此举不仅将HBM存储器的最大容量推升至史无前例的36GB新高度，更进一步巩固了SK海力士在AI应用存储器市场的领军地位。
2024-09-26 16:30:311987 限的产能转向更高端的产品线，如人工智能用存储器及先进DRAM产品。 SK海力士的这一决策可能与其重点发展高端存储技术研发和生产有关。近日，该公司对外展示了全球首款48GB 16层HBM3E产品，该产品在容量和层数上均达到了业界最高水平。这一成果不仅彰显了SK海力士
2024-11-07 11:37:181277 据外媒最新报道，韩国两大存储芯片巨头三星电子与SK海力士已正式结盟，共同致力于推动LPDDR6的存内计算（Processing In Memory，简称PIM）产品的标准化进程。此举旨在加速人工智能
2024-12-03 10:42:501350 存储芯片，并将其应用到一家大型科技公司的 AI 计算芯片上。SK 海力士预计将在明年下半年供应该芯片。 由于需要同时向英伟达和博通供应 HBM，SK 海力士肯定会调整其 DRAM 产能预测。这家公司计划
2024-12-21 15:16:46915 
SK海力士今年计划大幅提升其高带宽内存（HBM）的DRAM产能，目标是将每月产能从去年的10万片增加至17万片，这一增幅达到了70%。此举被视为该公司对除最大客户英伟达外，其他领先人工智能（AI）芯片公司需求激增的积极回应。
2025-01-07 16:39:091310
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