三星/SK海力士将大规模投资研发

　　从2013年以来持续成长的DRAM市场，2016年展望值首度出现衰退。为突破半导体市场的不景气，三星电子（Samsung Electronics）致力升级微细制程技术；SK海力士（SK Hynix）则准备以史上最大规模的投资计划应战。

　　韩国半导体业界自年初就弥漫紧张感，DRAM价格持续下跌，搭载DRAM的PC、智能型手机、平板电脑等市场需求也在萎缩。从2013~2015年一直维持成长的存储器市场，2016年展望值首度出现衰退。三星、SK海力士借着技术研发与大胆投资，试图突破市场困境。

　　据韩国经济报导，三星致力升级微细制程技术，日前宣布应用14纳米第二代鳍式场效晶体管（FinFET）制程的移动系统单芯片（SoC）开始量产。14纳米第二代FinFET制程比第一代耗电量节省15%，性能提升15%。

　　三 星在2015年1月率先业界，量产应用14纳米FinFET制程的Exynos 7 Octa；2016年以第二代FinFET制程同时量产Exynos 8 Octa与高通（Qualcomm）Snapdragon 820等代工产品。第二代制程产品预定将搭载于2016年3月上市的Galaxy S7（暂称）。

　　无论在资料处理速度或性能上，三星制程水准都在业界名列前茅，而借着这次量产的机会，三星代工事业收益性可望更上一层楼。

　　另一方面，SK海力士2016年则将执行史上最大规模，上看6.5兆韩元（约53.5亿美元）的投资计划。由于2015年投资规模为6.4兆韩元，因此根据估计2016年投资至少增加1，000亿韩元，约6.5兆韩元。

　　SK海力士相关人士表示，经营条件虽然困难，为了奠定未来的成长基础，仍然必须抢先投资。

　　SK海力士2013年起就持续扩大设备投资，以拓展竞争力。2013年投资3.6兆韩元、2014年5.2兆韩元，2015年京畿道利川M14厂竣工，完成量产系统的整顿。SK海力士2014年的营业利益首度突破5兆韩元的纪录，也被业界归功于大胆投资带来的效果。

　　2016 年SK海力士的投资重点将放在开发技术、强化成本竞争力与建构相关基础设施等方面。除了致力于10纳米级DRAM、3D NAND Flash的开发与量产，同时也会持续在韩国利川与清州地区进行兴建新厂的投资。已知SK海力士曾在2015年8月宣布，后续将投入46兆韩元建设M14 等3间新厂。

　　韩国半导体产业协会常务安基贤（译名）表示，连大陆都跨足存储器半导体市场，让韩国业界充满危机感，现在强化技术并透过投资维持竞争力，比任何时候都更为重要。